Distribuição espectral não homogênea ultra-estreita de centros de vanádio de comprimento de onda de telecomunicação em carbeto de silício enriquecido isotopicamente

Título	Distribuição espectral não homogênea ultra-estreita de centros de vanádio de comprimento de onda de telecomunicação em carbeto de silício enriquecido isotopicamente
Autores	Pasquale Cilibrizzi, Muhammad Junaid Arshad, Benedikt Tissot, Nguyen Tien Son, Ivan G. Ivanov, Thomas Astner, Philipp Koller, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Daniel White, Christiaan Bekker, Guido Burkard, Michael Trupke, Cristian Bonato
Revista	Comunicações da Natureza
data	12/19/2023
Doi	10.1038/s41467-023-43923-7
Introdução	Os emissores quânticos de spin ativo são fundamentais nas tecnologias quânticas, mas suas amplas frequências de emissão óptica representam desafios. Este estudo se concentra em centros únicos de vanádio V 4+ em 4H-SiC, oferecendo emissão de comprimento de onda de telecomunicação e estado de spin coerente S = 1/2. Por meio de espectroscopia, observamos transições ópticas dependentes de spin, cruciais para interfaces spin-fóton. Ao modificar a composição isotópica do SiC, alcançamos uma distribuição espectral impressionantemente estreita de 100 MHz, muito menor do que qualquer emissor conhecido. A adaptação das concentrações de dopantes estabiliza o estado de carga V 4+, ampliando significativamente sua vida útil e aumentando seu potencial para redes quânticas de telecomunicações escalonáveis.
Citação	Pasquale Cilibrizzi, Muhammad Junaid Arshad e Benedikt Tissot et al. Ultra-narrow inhomogeneous spectral distribution of telecom-wavelength vanadium centres in isotopically-enriched silicon carbide. Nat Commun. 2023. Vol. 14. DOI: 10.1038/s41467-023-43923-7
Elemento	Vanádio (V)
Temas	Materiais fotônicos e optoeletrônicos