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Magnetorresistência extremamente grande em heteroestruturas de poucas camadas de grafeno/nitreto de boro

Título	Magnetorresistência extremamente grande em heteroestruturas de poucas camadas de grafeno/nitreto de boro
Autores	Kalon Gopinadhan, Young Jun Shin, Rashid Jalil, Thirumalai Venkatesan, Andre K. Geim, Antonio H. Castro Neto, Hyunsoo Yang
Revista	Comunicações da Natureza
data	09/21/2015
Doi	https://doi.org/10.1038/ncomms9337
Introdução	A investigação da magnetorresistência, que é a variação da resistência elétrica sob um campo magnético externo em escala atômica, é essencial para o entendimento fundamental e para os avanços tecnológicos. O grafeno e outros materiais bidimensionais apresentam uma chance única de estudar a magnetorresistência durante os primeiros estágios do desenvolvimento estrutural. Este estudo relata uma magnetorresistência local excepcionalmente grande de aproximadamente 2.000% a 400 K e uma magnetorresistência não local superior a 90.000% em um campo magnético de 9 T a 300 K em heteroestruturas de grafeno/boronitreto de poucas camadas. A magnetorresistência local resulta de diferenças significativas nas propriedades de transporte, como a mobilidade de portadores, em várias camadas de grafeno de poucas camadas quando expostas a um campo magnético perpendicular. Em contraste, a magnetorresistência não local é atribuída ao efeito Ettingshausen-Nernst induzido pelo campo magnético, o que sugere um possível interruptor térmico ajustável por porta baseado em grafeno. Além disso, essas descobertas sugerem que as heteroestruturas de grafeno são promissoras para aplicações em detecção de campo magnético.
Citação	Kalon Gopinadhan, Young Jun Shin e Rashid Jalil et al. Extremamente grande magnetorresistência em heteroestruturas de grafeno/boron-nitreto de poucas camadas. Nat Commun. 2015. Vol. 6. DOI: 10.1038/ncomms9337
Elemento	Boro (B) , Carbono (C) , Nitrogênio (N)
Temas	Grafeno e materiais 2D , Materiais magnéticos
Indústria	Eletrônicos , Pesquisa e laboratório

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