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Plasmons de intervalo em diamante dopado com boro

Título Plasmons de intervalo em diamante dopado com boro
Autores Souvik Bhattacharya, Jonathan Boyd, Sven Reichardt, Valentin Allard, Amir Hossein Talebi, Nicolò Maccaferri, Olga Shenderova, Aude L. Lereu, Ludger Wirtz, Giuseppe Strangi, R. Mohan Sankaran
Revista Comunicações da Natureza
data 01/14/2025
Doi 10.1038/s41467-024-55353-0
Introdução Os semicondutores dopados podem apresentar características metálicas, incluindo supercondutividade e ressonâncias plasmônicas de superfície localizadas ajustáveis. O diamante, um semicondutor de banda larga, torna-se eletronicamente ativo com dopantes de buracos de boro. Os efeitos do boro na estrutura da banda eletrônica do diamante são bem conhecidos, mas sua conexão com os plasmons ainda não foi mostrada. Apresentamos os plasmons de intervalência no diamante dopado com boro como excitações eletrônicas coletivas entre subbandas de valência possibilitadas por buracos. A evidência dessas excitações de baixa energia é demonstrada por meio da perda de energia do elétron de valência e da espectroscopia de infravermelho de campo próximo. Os espectros são reproduzidos por cálculos de primeiros princípios, destacando o impacto das transições de banda de intervalência na função dielétrica. Nossas descobertas indicam um cruzamento na parte real da função dielétrica, característica da metalicidade. Essas percepções propõem um novo método para induzir o comportamento semelhante ao plasmônico em semicondutores dopados, sugerindo o potencial para essas características no diamante, um material importante para as tecnologias de informação quântica emergentes.
Citação Souvik Bhattacharya, Jonathan Boyd e Sven Reichardt et al. Intervalence plasmons in boron-doped diamond (Plasmons de intervalo em diamante dopado com boro). Nat Commun. 2025. DOI: 10.1038/s41467-024-55353-0
Elemento Boro (B) , Carbono (C)
Temas Materiais fotônicos e optoeletrônicos
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