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  • Dispositivos de óxido de tântalo memristivo multiestado para aritmética ternária

    • Dispositivos de óxido de tântalo memristivo multiestado para aritmética ternária

    Título Dispositivos de óxido de tântalo memristivo multiestado para aritmética ternária
    Autores Wonjoo Kim, Anupam Chattopadhyay, Anne Siemon, Eike Linn, Rainer Waser, Vikas Rana
    Revista Relatórios científicos
    data 11/11/2016
    Doi 10.1038/srep36652
    Introdução A memória de acesso aleatório de comutação resistiva (ReRAM) baseada em redox está surgindo como uma tecnologia promissora para futuras soluções de memória não volátil. Recentemente, aumentou o interesse em ReRAMs de dois estados para a implementação da lógica booleana. Este estudo apresenta dispositivos de óxido de tântalo de sete estados que facilitam a aritmética modular intrínseca por meio de um sistema numérico ternário. A aritmética modular, conhecida desde a época de Euclides, encontra aplicações em diversos campos, como comércio eletrônico e notação musical. Os dispositivos de vários estados reduzem significativamente o espaço de armazenamento e permitem novas operações na memória, como a computação com sistemas numéricos de alto índice, que são inviáveis com dispositivos de dois estados. Os sistemas de alto índice reduzem a complexidade computacional ao reduzir os requisitos de dígitos, diminuindo assim o número de operações de cálculo e dispositivos lógicos necessários.
    Citação Wonjoo Kim, Anupam Chattopadhyay e Anne Siemon et al. Dispositivos de óxido de tântalo memrísticos de múltiplos estados para aritmética ternária. Sci Rep. 2016. Vol. 6. DOI: 10.1038/srep36652
    Elemento Tântalo (Ta)
    Materiais Óxidos
    Temas Nanotecnologia e nanomateriais
    Indústria Eletrônicos
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