Crescimento de filme fino sem tensão de dióxido de vanádio depositado em material de camadas atômicas 2D de nitreto de boro hexagonal investigado por sua dependência de espessura do comportamento de transição isolante-metal

Título	Crescimento de filme fino sem tensão de dióxido de vanádio depositado em material de camadas atômicas 2D de nitreto de boro hexagonal investigado por sua dependência de espessura do comportamento de transição isolante-metal
Autores	Boyuan Yu, Shingo Genchi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hidekazu Tanaka
Revista	Física Aplicada Express
data	02/10/2025
Doi	10.35848/1882-0786/adaf09
Introdução	Este estudo concentra-se na criação de filmes ultrafinos de dióxido de vanádio (VO2) sobre nitreto de boro hexagonal (hBN), um material bidimensional, para demonstrar uma transição metal-isolante distinta devido à interação mínima de van der Waals em suas superfícies. Os filmes de VO2 sobre hBN, com espessuras de 10 a 40 nm, apresentam transições metal-isolante semelhantes às do material em massa sem perda de desempenho, conforme verificado pela espectroscopia de espalhamento Raman e medições de transporte elétrico. Essas descobertas destacam a função essencial da natureza bidimensional do hBN na criação de filmes finos de óxido sem tensão.
Citação	Boyuan Yu, Shingo Genchi e Kenji Watanabe et al. Strain-free thin film growth of vanadium dioxide deposited on 2D atomic layered material of hexagonal boron nitride investigated by their thickness dependence of insulator-metal transition behavior. Appl. Phys. Express. 2025. Vol. 18(2):025502. DOI: 10.35848/1882-0786/adaf09
Elemento	Nitrogênio (N) , Vanádio (V)
Materiais	Óxidos
Temas	Grafeno e materiais 2D
Indústria	Pesquisa e laboratório