Síntese de película fina de siliceto de vanádio A15 supercondutor-sobre-isolador

Título	Síntese de película fina de siliceto de vanádio A15 supercondutor-sobre-isolador
Autores	Wenrui Zhang, Anthony T. Bollinger, Ruoshui Li, Kim Kisslinger, Xiao Tong, Mingzhao Liu, Charles T. Black
Revista	Relatórios científicos
data	01/27/2021
Doi	10.1038/s41598-021-82046-1
Introdução	Esta pesquisa apresenta uma nova abordagem para fabricar filmes finos da fase supercondutora A15 de siliceto de vanádio com uma temperatura crítica superior a 13 K. Ao promover a interdifusão entre um filme de vanádio metálico e a camada de silício em um substrato de silício sobre isolante a temperaturas que variam de 650 a 750 °C, o método confina a disponibilidade de silício, favorecendo a fase A15 rica em vanádio. A verificação por meio de espectroscopia de raios X com dispersão de energia, espectroscopia de fotoelétrons de raios X e difração de raios X confirma a estequiometria e a estrutura. As propriedades supercondutoras são caracterizadas por correntes críticas que ultrapassam 10^6 amperes por centímetro quadrado em baixas temperaturas e um campo magnético crítico superior de 20 T, correlacionado com um comprimento de coerência supercondutora de 4 nm. A alta temperatura crítica torna o siliceto de vanádio A15 atraente para dispositivos e circuitos quânticos compatíveis com silício.
Citação	Wenrui Zhang, Anthony T. Bollinger e Ruoshui Li et al. Thin-film synthesis of superconductor-on-insulator A15 vanadium silicide. Sci Rep. 2021. DOI: 10.1038/s41598-021-82046-1
Elemento	Silício (Si) , Vanádio (V)
Materiais	Silicidas , Supercondutores
Indústria	Eletrônicos