AL10240 Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,5 mm

Wafer de safira Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,5 mm Descrição

O wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,5 mm consiste em um substrato de Al2O3 de cristal único com uma orientação precisa (0001). Suas dimensões permitem a integração com equipamentos padrão de fabricação de semicondutores. A inércia química inerente e a estabilidade térmica da safira fazem dela uma barreira eficaz contra a oxidação. A espessura consistente e a superfície bem polida do wafer permitem o processamento controlado do dispositivo e a avaliação precisa do desempenho em aplicações avançadas.

Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,5 mm Aplicações

Aplicações em eletrônicos e semicondutores
- Usado como substrato na fabricação de LEDs para obter uma dissipação de calor uniforme, aproveitando a alta condutividade térmica da safira.
- Aplicado como material de base em dispositivos semicondutores de potência para obter um desempenho elétrico estável, aproveitando sua inércia química.

Optoeletrônica
- Usada como componente em conjuntos de diodos a laser para obter dispersão óptica mínima, aproveitando sua superfície lisa e sem defeitos.
- Empregado em sistemas de sensores ópticos para obter uma transmissão de sinal precisa, aproveitando a estrutura cristalográfica estável do material.

Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,5 mm Embalagem

O wafer é embalado em um recipiente rígido antiestático com inserções almofadadas para evitar danos mecânicos e minimizar a contaminação por partículas. Ele é armazenado em condições controladas de temperatura e umidade para manter a integridade da superfície. Opções de embalagem personalizadas, incluindo bolsas com barreira contra umidade e selagem individual, estão disponíveis para atender a requisitos específicos de manuseio durante o transporte e o armazenamento.

Perguntas frequentes

P1: Que vantagens a orientação do plano C (0001) oferece?
R1: A orientação (0001) proporciona um arranjo atômico uniforme que facilita os processos de fabricação de dispositivos controlados. Essa uniformidade garante uma superfície consistente para a subsequente deposição e modelagem de filmes finos, reduzindo a variabilidade durante operações de alta temperatura.

P2: Como o wafer deve ser manuseado para manter a integridade da superfície?
A2: Manuseie o wafer usando ferramentas não abrasivas e luvas antiestáticas para evitar contaminação da superfície e microarranhões. Ele deve ser limpo em um ambiente controlado usando solventes apropriados para evitar o acúmulo de resíduos na superfície altamente polida.

P3: Há condições específicas de armazenamento recomendadas para esse wafer?
R3: O wafer deve ser armazenado em um ambiente limpo, com temperatura controlada e umidade mínima. O uso de um recipiente selado antiestático ajuda a evitar a contaminação por partículas e o estresse mecânico, preservando as propriedades estruturais e de superfície do wafer.

Informações adicionais

A safira é uma forma cristalina de óxido de alumínio (Al2O3) conhecida por sua baixa densidade de defeitos e alta estabilidade térmica. Essas propriedades fazem dela uma escolha comum em substratos usados para processamento de dispositivos de alta temperatura e aplicações optoeletrônicas. Sua inércia química também proporciona uma plataforma estável para camadas de deposição subsequentes na fabricação de semicondutores.

A síntese controlada e o monitoramento da qualidade dos wafers de safira evoluíram significativamente, com avanços na deposição de vapor químico e na metrologia de superfície. Essas melhorias permitem o controle preciso da orientação cristalográfica e do acabamento da superfície, que são essenciais para aplicações em dispositivos eletrônicos e ópticos, garantindo que o material atenda aos rigorosos requisitos de integração.