AL10245 Wafer de safira Al2O3 A plano (11-20) 5x5x0,5 mm

Wafer de safira Al2O3 plano A (11-20) 5x5x0,5 mm Descrição

O wafer de safira Al2O3 plano A (11-20) 5x5x0,5 mm é fabricado com óxido de alumínio sintético (Al2O3) usando processos térmicos controlados para obter a orientação desejada do plano A (11-20). As dimensões do wafer de 5 mm por 5 mm com uma espessura de 0,5 mm garantem a compatibilidade com o equipamento padrão de fabricação de semicondutores. O alinhamento cristalográfico específico suporta propriedades anisotrópicas definidas, essenciais para aplicações ópticas e elétricas. O processamento controlado minimiza os defeitos, o que é essencial para o desempenho preciso do dispositivo.

Wafer de safira Al2O3 plano A (11-20) 5x5x0,5 mm Aplicações

Eletrônica
- Usado como substrato em componentes de circuitos de RF para minimizar a perda de sinal, aproveitando as propriedades dielétricas estáveis.
- Serve como camada de base em microdispositivos semicondutores para garantir a estabilidade dimensional por meio da utilização da estrutura cristalográfica uniforme.

Optoeletrônica
- Aplicado como uma janela óptica em módulos de LED para obter uma transmissão de luz consistente usando a estrutura de rede controlada por defeitos.
- Frequentemente usado em componentes de montagem de laser para realizar o gerenciamento preciso de fótons, aproveitando as propriedades anisotrópicas do wafer.

Wafer de safira Al2O3 A plano (11-20) 5x5x0,5 mm Embalagem

O wafer é acondicionado individualmente em uma bolsa antiestática almofadada e alojado em um recipiente rígido revestido de espuma para evitar danos mecânicos e contaminação. Recomenda-se o armazenamento em condições controladas de temperatura e baixa umidade para manter a integridade da superfície. Outras opções de personalização incluem embalagem com barreira contra umidade e rotulagem específica para atender aos padrões de laboratório ou de produção.

Perguntas frequentes

P1: Como a orientação do plano A controlado (11-20) afeta o desempenho do dispositivo?
R1: A orientação controlada do plano A (11-20) aprimora as propriedades anisotrópicas, o que é vital para comportamentos ópticos e eletrônicos previsíveis nos dispositivos. Esse alinhamento melhora a consistência da propagação do sinal e oferece suporte à modelagem precisa durante a fabricação de semicondutores.

P2: Que medidas são tomadas durante a fabricação para garantir o mínimo de defeitos na superfície?
A2: O processo de fabricação inclui síntese em alta temperatura e inspeções de superfície baseadas em SEM. Essas etapas são implementadas para medir e manter a baixa densidade de defeitos de superfície, o que é fundamental para garantir a integração eficaz do dispositivo e o desempenho a longo prazo.

P3: Como a uniformidade da espessura do wafer é mantida durante a produção?
R3: Controles rigorosos de processo, como polimento mecânico de precisão e metrologia de espessura em linha, são usados para manter a uniformidade da espessura de 0,5 mm. Esses controles evitam variações que poderiam afetar a compatibilidade do dispositivo e a eficiência geral da fabricação.

Informações adicionais

Os substratos de safira, compostos de óxido de alumínio (Al2O3), são essenciais para a fabricação de vários dispositivos semicondutores e optoeletrônicos. Sua inerente inércia química e transparência óptica os tornam adequados para aplicações que exigem alta condutividade térmica e estabilidade estrutural. Esses atributos se devem principalmente à ligação cristalina robusta presente nos materiais de Al2O3.

A orientação do plano A (11-20) nesses wafers proporciona um comportamento anisotrópico definido que pode ser explorado em sistemas eletrônicos e fotônicos avançados. A engenharia desses substratos exige um processamento térmico e mecânico preciso, garantindo que as propriedades microestruturais suportem aplicações de dispositivos de alto desempenho em todos os setores técnicos.