AL10250 Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,1 mm

Wafer de safira Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,1 mm Descrição

O wafer de safira Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,1 mm é um substrato de óxido de alumínio monocristalino com um plano cristalográfico (0001), medindo 10 mm por 10 mm com uma espessura de 0,1 mm. A orientação controlada do wafer e a inércia química inerente permitem o processamento de dispositivos em alta temperatura e alta frequência. Sua superfície plana e a baixa densidade de defeitos garantem uma integração eficaz na fabricação de semicondutores e optoeletrônicos.

Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,1 mm Aplicações

Aplicações eletrônicas
- Uso como substrato isolante em dispositivos de RF para minimizar a interferência de sinal, aproveitando sua baixa perda dielétrica.
- Uso como plataforma em conjuntos de LEDs para aumentar a eficiência da extração de luz, aproveitando a alta condutividade térmica e a inércia química do wafer.

Aplicações industriais
- Uso como componente em módulos de sensores de alta temperatura para obter um desempenho operacional estável, aproveitando a estabilidade térmica robusta e o acabamento uniforme da superfície.

Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,1 mm Embalagem

O wafer é acondicionado em uma bolsa antiestática e antirriscos dentro de um recipiente rígido revestido de espuma para evitar danos mecânicos e contaminação. Uma barreira contra umidade protege o produto durante o transporte e o armazenamento. Instruções claras de manuseio e recomendações de armazenamento são fornecidas para manter a integridade da superfície. Soluções de embalagem personalizadas estão disponíveis mediante solicitação para atender a requisitos laboratoriais ou industriais específicos.

Perguntas frequentes

P1: Quais métodos de controle de qualidade são aplicados durante a produção de wafer?
R1: O processo de produção incorpora difração de raios X e perfilometria de superfície para verificar a orientação (0001) e detectar quaisquer microdefeitos. Essas medidas garantem que o wafer atenda às especificações rigorosas para o processamento de semicondutores.

P2: Como a orientação do plano C (0001) beneficia a fabricação de dispositivos?
A2: A orientação do plano C (0001) proporciona uma superfície atomicamente lisa, o que é fundamental para a deposição de camadas e a integração de dispositivos. Essa orientação minimiza as irregularidades da superfície, auxiliando no crescimento uniforme do filme durante a fabricação de semicondutores.

P3: Quais condições de armazenamento são recomendadas para manter a integridade do wafer?
R3: Os wafers devem ser armazenados em um ambiente limpo, com temperatura controlada e livre de umidade excessiva e partículas. O uso de embalagens livres de estática e a manutenção de uma área de armazenamento livre de poeira ajudam a preservar a superfície e a integridade geral do wafer.

Informações adicionais

Os substratos de safira compostos de Al2O3 são amplamente utilizados na ciência dos materiais devido às suas excepcionais propriedades térmicas, elétricas e mecânicas. Sua dureza inerente e inércia química permitem que resistam a ambientes de processamento rigorosos, tornando-os ideais para aplicações em semicondutores e optoeletrônicos.

A seleção de uma orientação de plano C (0001) é fundamental para obter modos de crescimento específicos na deposição de filmes finos. Esse alinhamento promove a uniformidade em toda a superfície do wafer, dando suporte a técnicas avançadas de microfabricação e garantindo um desempenho eficaz em aplicações de dispositivos de alta precisão.