AL10254 Wafer de safira Al2O3 Plano A (11-20) 10x10x1,0 mm

Wafer de safira Al2O3 plano A (11-20) 10x10x1,0 mm Descrição

O wafer de safira Al2O3 plano A (11-20) 10x10x1,0 mm é um substrato produzido a partir de óxido de alumínio de alta pureza (Al2O3, CAS 1344-28-1) com orientação definida para o plano A (11-20). Sua área de superfície de 10 mm x 10 mm e espessura de 1,0 mm garantem a conformidade com o equipamento padrão de processamento de semicondutores. A orientação controlada permite a deposição uniforme de camadas e propriedades elétricas aprimoradas na fabricação de dispositivos avançados.

Wafer de safira Al2O3 plano A (11-20) 10x10x1,0 mm Aplicações

1.
Aplicações eletrônicas
- Usado como substrato em dispositivos semicondutores para obter um crescimento epitaxial uniforme, aproveitando a orientação precisa do plano A (11-20).
- Aplicado como base dielétrica em circuitos de RF para melhorar a integridade do sinal, utilizando sua baixa densidade de defeitos e composição estável.

2.
Aplicações industriais
- Serve como elemento fundamental em módulos de sensores para proporcionar estabilidade térmica, empregando sua alta pureza e inércia química.
- Frequentemente usado em sistemas ópticos de precisão para manter a precisão dimensional e reduzir os efeitos de dispersão por meio de sua estrutura cristalográfica controlada.

Wafer de safira Al2O3 plano A (11-20) 10x10x1,0 mm Embalagem

O wafer é embalado individualmente em um transportador antiestático de grau de sala limpa e amortecido com inserções de espuma para minimizar as vibrações. O armazenamento deve ocorrer em um ambiente com temperatura e umidade controladas. Opções de embalagem personalizadas estão disponíveis para atender a requisitos específicos de processamento e manuseio.

Perguntas frequentes

P1: Como a orientação do plano A (11-20) do wafer influencia a fabricação do dispositivo?
R1: A orientação do plano A (11-20) promove a deposição epitaxial uniforme e minimiza as densidades de deslocamento, o que é fundamental para o desempenho consistente em dispositivos semicondutores e ópticos.

P2: Quais protocolos de manuseio são recomendados para esses wafers de safira?
A2: Recomenda-se o manuseio em um ambiente de sala limpa usando ferramentas antiestáticas para evitar contaminação por partículas e danos físicos. Recomenda-se o mínimo de contato com os dedos usando pinças ou ferramentas a vácuo para manter a integridade da superfície.

P3: As especificações dimensionais desse wafer são fixas?
R3: As dimensões padrão são 10x10x1,0 mm; no entanto, a personalização pode estar disponível com base nas capacidades de produção e nas demandas específicas do processo. Recomenda-se consultar a SAM para obter opções detalhadas.

Informações adicionais

A safira, ou óxido de alumínio cristalino, é conhecida por sua dureza, estabilidade térmica e inércia química. Essas propriedades fazem dela um material preferido para substratos usados em ambientes de alta temperatura e alta tensão. As orientações cristalográficas definidas oferecem uma uniformidade notável, auxiliando nos processos precisos de fabricação de dispositivos.

Na ciência dos materiais, a síntese controlada de pastilhas de safira desempenha um papel importante em várias aplicações de alto desempenho. Compreender a interação entre orientação cristalográfica, pureza e precisão dimensional é essencial para obter resultados ideais de processamento nos setores de semicondutores, óptico e de sensores.