AL10261 Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) 0,25 polegada x 0,25 polegada x 0,5 mm

Wafer de safira Al2O3 C-plane (0001) 0,25 pol. x 0,25 pol. x 0,5 mm Descrição

O wafer de safira Al2O3 plano C (0001) de 0,25 polegada x 0,25 polegada x 0,5 mm é um substrato semicondutor composto de óxido de alumínio de alta pureza (Al2O3). A orientação do plano C (0001) oferece uma topologia de superfície uniforme, que é essencial para a deposição de filme epitaxial. Suas dimensões, 0,25 polegada por 0,25 polegada com 0,5 mm de espessura, garantem a compatibilidade com o equipamento de processamento padrão. Essa estrutura cristalográfica controlada ajuda a minimizar a densidade de defeitos durante a fabricação de dispositivos.

Wafer de safira Al2O3 C-plane (0001) 0,25 polegada x 0,25 polegada x 0,5 mm Aplicações

1.aplicações eletrônicas e de semicondutores
- Usado como substrato em matrizes de LED para obter um crescimento uniforme do filme epitaxial, aproveitando a orientação consistente do plano C.
- Aplicado como uma camada de base em circuitos de RF para diminuir a perda de sinal, utilizando sua baixa densidade de defeitos e composição química estável.

2.aplicações optoeletrônicas
- Usado como material de janela em sensores ópticos para obter uma transmissão de luz estável, aproveitando sua morfologia de superfície homogênea.
- Aplicado como substrato para a fabricação de diodos a laser para aumentar a estabilidade da emissão, aproveitando suas propriedades cristalográficas controladas.

3.aplicações industriais
- Usado como componente em sensores de alta temperatura para obter estabilidade de desempenho, aproveitando sua inércia química.
- Aplicado como substrato de suporte em instrumentação de precisão para garantir resultados de medição precisos, utilizando sua propagação mínima de defeitos.

Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) Embalagem de 0,25 polegada x 0,25 polegada x 0,5 mm

Cada wafer é embalado individualmente em um transportador antiestático com amortecimento de espuma integrado para evitar danos mecânicos e contaminação. O wafer é selado em bolsas resistentes à umidade e com controle de contaminação e armazenado em condições de sala limpa. A embalagem é projetada para manter a temperatura ambiente e os níveis de umidade controlados. Opções personalizadas de etiquetagem e contêineres também estão disponíveis para atender a requisitos específicos de manuseio.

Perguntas frequentes

P1: Como a orientação do plano C (0001) é verificada nesses wafers?
R1: A orientação do plano C é confirmada por meio da análise de difração de raios X (XRD) de alta resolução. Essa técnica garante que o alinhamento cristalográfico atenda aos rigorosos requisitos necessários para a deposição uniforme de filmes no processamento de semicondutores.

P2: Que medidas de controle de qualidade são aplicadas durante a fabricação do wafer?
A2: O processo de fabricação envolve inspeção óptica avançada e análise espectroscópica para verificar a planicidade da superfície e a composição química. Essas medidas ajudam a identificar desvios antecipadamente e garantem que o wafer mantenha a consistência cristalográfica e de composição necessária.

P3: As dimensões do wafer são compatíveis com o equipamento de processamento padrão?
R3: Sim, as dimensões do wafer de 0,25 polegada por 0,25 polegada com espessura de 0,5 mm foram projetadas para serem compatíveis com as ferramentas de fabricação de semicondutores existentes. Isso facilita a integração perfeita em vários processos de fabricação de dispositivos e crescimento epitaxial.

Informações adicionais

Os substratos de safira feitos de óxido de alumínio são amplamente utilizados em aplicações de semicondutores e optoeletrônicas devido à sua excelente estabilidade térmica e química. Sua dureza inerente e reatividade mínima os tornam adequados para ambientes que exigem materiais duráveis, inertes e resistentes a altas temperaturas e produtos químicos agressivos.

A compreensão das orientações cristalográficas em wafers de safira é fundamental para otimizar a deposição de filmes finos e camadas epitaxiais. O alinhamento do plano C (0001) é especificamente favorecido em muitas aplicações porque promove a uniformidade e reduz a propagação de defeitos durante o processamento em alta temperatura. Esse conhecimento desempenha uma função importante na seleção de materiais e no desenvolvimento de processos na fabricação de produtos eletrônicos avançados.