AL10264 Wafer de safira Al2O3 M plano 10x10x1,0 mm

Wafer de safira Al2O3 plano M 10x10x1,0 mm Descrição

O wafer de safira Al2O3 plano M 10x10x1,0 mm é fabricado com óxido de alumínio de alta pureza (Al2O3) com orientação de plano M, otimizado para aplicações que exigem propriedades cristalográficas precisas. As dimensões do wafer garantem a compatibilidade com equipamentos de processamento padrão, enquanto a espessura e a planicidade controladas ajudam a melhorar o desempenho em ambientes ópticos e de semicondutores. Sua dureza intrínseca e inércia química também servem como uma base estável para o crescimento epitaxial subsequente, minimizando a propagação de defeitos.

Wafer de safira Al2O3 M plano 10x10x1,0 mm Aplicações

Eletrônicos
- Usado como substrato em dispositivos LED para obter uma emissão de luz uniforme, aproveitando a orientação cristalográfica consistente do wafer.

Processamento de semicondutores
- Empregado como wafer de suporte durante a fabricação de dispositivos para otimizar o gerenciamento térmico, utilizando sua alta condutividade térmica e estabilidade dimensional.

Componentes ópticos
- Aplicado como base em conjuntos de sensores ópticos para melhorar a integridade do sinal por meio de suas propriedades quimicamente inertes e de superfície lisa.

Wafer de safira Al2O3 M plano 10x10x1,0 mm Embalagem

O wafer é acondicionado individualmente em um contêiner de dissipação estática com amortecimento de espuma para absorver choques mecânicos. Ele é selado em um saco antiestático para evitar contaminação por partículas e descarga eletrostática. A embalagem foi projetada para armazenamento em um ambiente com temperatura e umidade controladas. Opções personalizadas de rotulagem e embalagem compartimentada estão disponíveis para atender a requisitos específicos de manuseio e envio.

Perguntas frequentes

P1: Como a orientação do plano M influencia o desempenho do dispositivo?
R1: A orientação do plano M oferece uma superfície cristalográfica exclusiva que melhora a uniformidade do crescimento da camada epitaxial. Isso resulta em melhor adesão do filme e menor densidade de defeitos, beneficiando as aplicações ópticas e de semicondutores ao facilitar a fabricação de dispositivos mais precisos.

P2: Quais são as condições de armazenamento recomendadas para o wafer?
A2: O wafer deve ser armazenado em um ambiente limpo, com temperatura controlada e baixa umidade para evitar a absorção de umidade e o estresse térmico. A embalagem antiestática e almofadada adequada é essencial para reduzir os riscos de danos mecânicos e contaminação.

P3: A SAM pode oferecer personalização em dimensões de wafer ou acabamentos de superfície?
R3: Sim, a SAM oferece opções limitadas de personalização, como ajustes na espessura, nas dimensões laterais e no acabamento da superfície. As revisões técnicas garantem que todas as modificações cumpram os requisitos de compatibilidade de processos necessários para ambientes de fabricação avançados.

Informações adicionais

A safira, uma forma cristalina de óxido de alumínio (Al2O3), é conhecida por sua alta condutividade térmica, inércia química e dureza mecânica. Essas características a tornam adequada para aplicações que exigem desempenho estável em condições operacionais adversas. Suas propriedades de transparência óptica e isolamento elétrico também facilitam seu uso em vários equipamentos eletrônicos de alta precisão.

No contexto dos substratos de cristal, as propriedades intrínsecas da safira contribuem para melhorar a confiabilidade e o desempenho dos dispositivos durante as fabricações avançadas de semicondutores e ópticos. A compreensão da ciência dos materiais por trás dos substratos de Al2O3 ajuda a otimizar os parâmetros do processo para a integração de próximo nível em aplicações industriais e de pesquisa de alta demanda.