AL10284 Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) Dia. 1 polegada x 0,5 mm

Wafer de safira Al2O3 C-plane (0001) Dia. 1 polegada x 0,5 mm Descrição

O wafer é fabricado a partir de safira (Al2O3) com orientação de plano C (0001), medido com 1 polegada de diâmetro e 0,5 mm de espessura. Sua estrutura suporta baixa densidade de defeitos e qualidade de superfície uniforme, tornando-a adequada para aplicações de semicondutores, ópticas e de alta temperatura. O alinhamento cristalográfico preciso aumenta a consistência do material, crucial para processos como crescimento epitaxial e fabricação de dispositivos de alta frequência.

Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) Dia. 1 polegada x 0,5 mm Aplicações

Aplicações em eletrônicos e semicondutores
- Uso como substrato isolante em dispositivos de RF para reduzir a capacitância parasita, aproveitando a alta resistência dielétrica da safira.
- Aplicado como base para deposição de camada epitaxial na fabricação de semicondutores para obter um crescimento uniforme do filme, aproveitando a orientação cristalográfica definida do wafer.

Aplicações industriais e ópticas
- Usado como componente em sistemas de geração de imagens para obter alta transmissão de luz, aproveitando a clareza e a uniformidade ópticas do material.
- Aplicado como substrato de suporte na montagem de LEDs e diodos a laser para melhorar o gerenciamento térmico, aproveitando a excelente condutividade térmica da safira.

Wafer de safira Al2O3 plano C (0001) Dia. 1 polegada x 0,5 mm Embalagem

O wafer é acondicionado individualmente em um recipiente antiestático e almofadado para evitar contaminação e danos mecânicos. A embalagem inclui uma caixa de transporte rígida forrada com espuma e selada com filme resistente à umidade. As recomendações de armazenamento especificam um ambiente seco, com temperatura controlada e provisões antiestáticas. Opções de embalagem personalizadas, incluindo etiquetagem e compartimentação, estão disponíveis para atender a requisitos específicos de armazenamento e transporte.

Perguntas frequentes

P1: Como a espessura especificada do wafer afeta sua aplicação em processos de semicondutores?
R1: A espessura de 0,5 mm garante a compatibilidade com o equipamento padrão de processamento de semicondutores, permitindo a dissipação eficaz de calor e o suporte mecânico durante operações em alta temperatura. Essa espessura também contribui para a rigidez do wafer e o mínimo de empenamento durante o processamento.

P2: Quais métodos são usados para avaliar a qualidade da superfície do wafer?
R2: A qualidade da superfície é normalmente avaliada por meio de inspeção óptica e medições de rugosidade da superfície. Esses métodos detectam pequenas imperfeições e garantem que o wafer atenda às especificações exigidas para aplicações em fabricação de alta precisão.

P3: Quais são as principais precauções no manuseio do wafer de safira durante o processamento?
R3: As precauções de manuseio incluem o uso de ferramentas não abrasivas, o cumprimento de procedimentos antiestáticos e o armazenamento do wafer em um ambiente controlado e limpo. Essas etapas minimizam o risco de danos e contaminação da superfície durante a fabricação e o transporte.

Informações adicionais

Os wafers de safira, compostos de Al2O3 cristalino, são fundamentais em ambientes que exigem alta estabilidade térmica e resistência química. Sua orientação cristalográfica definida minimiza as incompatibilidades de rede durante o crescimento epitaxial, o que é crucial para o desempenho dos dispositivos semicondutores. Os avanços no polimento e na preparação do substrato aumentam ainda mais a utilidade da safira nos setores eletrônico e óptico.

A utilização da safira nessas aplicações decorre de sua capacidade de resistir a condições operacionais extremas, incluindo altas temperaturas e ambientes corrosivos. Isso torna a safira um material importante para pesquisa e desenvolvimento em áreas como optoeletrônica e eletrônica de potência, em que a estabilidade do material é fundamental para o desempenho do dispositivo.