AL10292 Wafer de safira Al2O3 A plano (11-20) Dia. 1 polegada x 0,5 mm

Wafer de safira Al2O3 A plano (11-20) Dia. 1 polegada x 0,5 mm Descrição

O produto é um wafer feito de óxido de alumínio (Al2O3) com orientação de plano A (11-20), oferecendo propriedades cristalográficas definidas. Seu diâmetro de 1 polegada e espessura de 0,5 mm garantem a compatibilidade com equipamentos de processamento padrão. A inércia química e a alta estabilidade térmica do Al2O3 tornam o wafer adequado para aplicações em alta temperatura e em dispositivos ópticos. As medições são confirmadas por técnicas de metrologia precisas para manter a precisão dimensional e estrutural.

Wafer de safira Al2O3 Plano A (11-20) Dia. 1 polegada x 0,5 mm Aplicações

Eletrônicos
- Use como substrato no processamento de semicondutores para obter um gerenciamento térmico estável, aproveitando a alta condutividade térmica.
- Aplicado como suporte para deposição de película fina na fabricação de sensores para manter a integridade da superfície, aproveitando a baixa densidade de defeitos.

Industrial
- Usado como janela em sistemas de laser para obter uma transmissão eficiente de luz, aproveitando a excelente claridade óptica.
- Aplicado como substrato em dispositivos de microfabricação para garantir a consistência dimensional, aproveitando uma orientação controlada do plano A.

Wafer de safira Al2O3 Plano A (11-20) Dia. 1 polegada x 0,5 mm Embalagem

O wafer é embalado em materiais antiestáticos e acolchoados e fixado em um contêiner revestido de espuma para reduzir o choque mecânico e a contaminação. Ele é armazenado sob temperatura controlada e baixa umidade para preservar suas propriedades estruturais. A embalagem inclui medidas antipoeira e permite a etiquetagem e a compartimentação personalizadas para atender a requisitos específicos de armazenamento.

Perguntas frequentes

P1: Como são verificadas as tolerâncias dimensionais do wafer?
R1: As dimensões são verificadas por meio de interferometria óptica, garantindo que o wafer atenda às tolerâncias rigorosas para processamento de semicondutores e aplicações de pesquisa.

P2: Quais métodos são usados para avaliar a qualidade da superfície do wafer?
A2: A qualidade da superfície é avaliada por microscopia de força atômica (AFM), que verifica a uniformidade e identifica quaisquer defeitos de superfície que possam afetar o desempenho do dispositivo.

P3: Quais precauções de manuseio devem ser observadas durante o processamento do wafer?
R3: Recomenda-se usar luvas sem pó e ferramentas antiestáticas e armazenar o wafer em um ambiente com temperatura e umidade controladas para evitar contaminação e danos mecânicos.

Informações adicionais

Os wafers de safira, compostos de Al2O3, são amplamente utilizados como substratos em várias aplicações industriais e de pesquisa. Sua transparência óptica inerente, estabilidade térmica e inércia química as tornam adequadas para sistemas ópticos e de alta temperatura. Essas propriedades são essenciais para manter o desempenho do dispositivo em aplicações fotônicas e de semicondutores.

O estudo dos substratos de safira se estende às áreas de crescimento de cristais e engenharia de defeitos. A orientação cristalográfica controlada garante um comportamento previsível sob variações de temperatura, o que é essencial para aplicações de materiais avançados. Esse contexto mais amplo ressalta sua importância tanto na pesquisa experimental quanto na fabricação em escala industrial.