AL10296 Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício de 2 polegadas (tipo Si <111> N) 2 polegadas x 500 nm

Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício de 2 polegadas (Si <111> tipo N) 2 polegadas x 500 nm Descrição

O nitreto de alumínio (AlN) não dopado em um substrato de silício de 2 polegadas (orientação Si <111>) apresenta uma espessura de filme precisa de 500 nm. O substrato suporta a fabricação de dispositivos semicondutores padrão, mantendo propriedades cristalográficas controladas e baixa densidade de defeitos. Sua inércia química e condutividade térmica contribuem para a estabilidade do dispositivo durante o processamento em alta temperatura. A espessura definida da camada garante uniformidade em todo o substrato para uma integração consistente em sistemas eletrônicos.

Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício de 2 polegadas (Si <111> tipo N) 2 polegadas x 500 nm Aplicações

1.aplicações eletrônicas
- Usado como uma camada isolante em circuitos de RF para obter baixa capacitância parasita, aproveitando a baixa perda dielétrica do filme de AlN.
- Aplicado como uma camada de passivação em dispositivos semicondutores para reduzir as correntes de fuga, utilizando a espessura uniforme do filme e a cristalografia controlada.

2.aplicações industriais
- Usado como elemento de gerenciamento térmico em eletrônica de potência para dissipar o calor, aproveitando a alta condutividade térmica do filme de AlN.
- Empregado como base de substrato na fabricação de MEMS para garantir a estabilidade dimensional, aproveitando o controle preciso da deposição do filme.

Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício de 2 polegadas (tipo Si <111> N) Embalagem de 2 polegadas x 500 nm

O substrato é embalado em um recipiente antiestático revestido de espuma para oferecer proteção mecânica e controle de contaminação. Uma bolsa de plástico selada protege contra umidade e partículas. As opções de embalagem personalizada, como unidades seladas a vácuo ou amortecimento adicional, estão disponíveis para atender a requisitos específicos de manuseio e transporte.

Perguntas frequentes

P1: Como o filme de AlN de 500 nm afeta o desempenho do dispositivo?
R1: O filme de AlN de 500 nm oferece uma camada dielétrica controlada com baixa densidade de defeitos, minimizando os efeitos parasitas em circuitos de alta frequência. Essa camada uniforme oferece suporte à integração precisa na fabricação de semicondutores, garantindo propriedades elétricas e térmicas consistentes em todo o substrato.

P2: Quais são as condições de armazenamento recomendadas para esse substrato?
A2: O substrato deve ser armazenado em um ambiente com temperatura controlada e baixa umidade para proteger o filme de AlN da contaminação por umidade e partículas. O uso de embalagens antiestáticas e almofadadas ajuda a evitar danos mecânicos e mantém a integridade do filme ao longo do tempo.

P3: O substrato é compatível com o equipamento padrão de processamento de silício?
R3: Sim, a base de silício de 2 polegadas e a camada controlada de AlN foram projetadas para se integrar aos processos rotineiros de fabricação de semicondutores. A espessura bem definida e a orientação cristalográfica permitem a compatibilidade com os protocolos de fabricação de dispositivos estabelecidos.

Informações adicionais

Os substratos cerâmicos, como os baseados em nitreto de alumínio, são fundamentais em aplicações em que o gerenciamento térmico e o isolamento elétrico são essenciais. As propriedades intrínsecas do AlN, incluindo a condutividade térmica e o desempenho dielétrico, tornam-no adequado para uso em embalagens eletrônicas e aplicações de dispositivos de energia.

A integração de um filme de AlN sobre silício proporciona um equilíbrio entre as propriedades mecânicas do silício e as características elétricas do AlN. Essa combinação dá suporte aos avanços no processamento de semicondutores, abordando os desafios de dissipação de calor e miniaturização de dispositivos, mantendo a estabilidade dimensional e a compatibilidade de processos.