AL10302 Modelo de nitreto de alumínio polido em dois lados sobre safira (0001) Filme de AlN de 2 polegadas x 0,5 mm 1000nm

Modelo de nitreto de alumínio polido de dois lados em safira (0001) Filme de AlN de 1000 nm de 2 polegadas x 0,5 mm Descrição

O modelo de nitreto de alumínio polido de dois lados integra um filme de AlN de 1000 nm em um substrato de safira Al2O3 (0001). Suas dimensões de 2 polegadas por 0,5 mm são otimizadas para aplicações em semicondutores e microeletrônica. O AlN aumenta a condutividade térmica, enquanto a base de safira reduz a incompatibilidade de rede. Essa estrutura facilita a deposição precisa do filme e minimiza a tensão, tornando-o adequado para a integração de dispositivos eletrônicos de alto desempenho.

Modelo de nitreto de alumínio polido em dois lados sobre safira (0001) Filme de AlN de 2 polegadas x 0,5 mm Aplicações de 1000 nm

1.eletrônica
- Usado como substrato dielétrico em circuitos de RF para minimizar a perda de sinal, aproveitando sua baixa constante dielétrica.
- Aplicado como dissipador de calor em módulos de energia para manter a estabilidade térmica, aproveitando a alta condutividade térmica.

2.industrial
- Usado como uma plataforma para sensores microeletrônicos para melhorar a integridade do sinal, aproveitando uma superfície de filme uniforme.
- Aplicado como uma camada isolante em dispositivos de medição de precisão para obter leituras precisas, aproveitando as propriedades controladas do material.

Modelo de nitreto de alumínio polido em dois lados sobre safira (0001) Filme de AlN de 2 polegadas x 0,5 mm Embalagem de 1000 nm

O substrato é embalado em recipientes antiestáticos revestidos de espuma e selados em sacos com barreira contra umidade para evitar contaminação e danos mecânicos. O amortecimento protetor minimiza a vibração e o choque durante o transporte. Armazene em um ambiente limpo, seco e com temperatura controlada para manter a integridade do filme. Opções de embalagem personalizadas, incluindo inserções compartimentadas e rotulagem detalhada, estão disponíveis mediante solicitação.

Perguntas frequentes

P1: Como a espessura do filme de 1000 nm é monitorada durante a produção?
R1: A espessura do filme é verificada por meio de elipsometria espectroscópica e perfilometria, garantindo taxas de deposição consistentes e uniformidade em toda a superfície do substrato para o processamento de semicondutores.

P2: Que precauções de manuseio devem ser tomadas com esse substrato?
A2: Use ferramentas de manuseio antiestáticas e trabalhe em um ambiente controlado de sala limpa para evitar a contaminação por partículas. Recomenda-se o armazenamento adequado em condições de umidade controlada para preservar as propriedades do filme.

P3: A personalização das dimensões do substrato é viável para aplicações específicas?
R3: Sim, estão disponíveis ajustes no diâmetro, na espessura e nos parâmetros de deposição do filme. Os pedidos personalizados são processados seguindo especificações detalhadas para atender a requisitos específicos de semicondutores ou microeletrônicos.

Informações adicionais

O nitreto de alumínio (AlN) é valorizado na fabricação de eletrônicos e semicondutores de alta temperatura devido à sua alta condutividade térmica e propriedades isolantes. Os substratos de safira (Al2O3) são usados com frequência por sua clareza óptica e orientação cristalina estruturalmente robusta, facilitando a deposição precisa do filme. A integração desses materiais promove um melhor desempenho do dispositivo, principalmente em aplicações que exigem gerenciamento térmico e isolamento elétrico eficientes.

A combinação de AlN com safira resulta em substratos com baixa incompatibilidade de rede e estresse térmico reduzido, o que é fundamental para embalagens eletrônicas avançadas e aplicações de circuitos de alta frequência. Compreender essa interação é essencial para otimizar o desempenho em sistemas microeletrônicos e optoeletrônicos.