AL10304 Modelo de nitreto de alumínio polido em um lado sobre safira Al2O3 (0001) Filme de AlN de 4 polegadas x 0,5 mm 1000 nm

Modelo de nitreto de alumínio polido em um lado sobre safira Al2O3 (0001) Filme AlN de 4 polegadas x 0,5 mm 1000 nm Descrição

Esse substrato combina um filme de nitreto de alumínio de 1000 nm de espessura com uma base de safira (Al2O3), oferecendo uma superfície altamente plana e lisa para o processamento de semicondutores. A técnica de polimento em um único lado minimiza a rugosidade da superfície e aumenta a uniformidade. Com dimensões de 4 polegadas por 0,5 mm, o modelo oferece suporte à integração confiável na fabricação de dispositivos, facilitando o alinhamento litográfico preciso e o gerenciamento térmico eficiente em aplicações de alta potência.

Modelo de nitreto de alumínio polido em um lado sobre safira Al2O3 (0001) Filme de AlN de 4 polegadas x 0,5 mm Aplicações de 1000 nm

1.eletrônica
- Usado como substrato ativo em dispositivos eletrônicos de potência para gerenciar a dissipação de calor, aproveitando a alta condutividade térmica da safira.
- Aplicado como base em componentes de radiofrequência para melhorar a integridade do sinal por meio de seu filme uniforme de AlN.

2.industrial
- Serve como uma camada funcional em conjuntos de sensores para obter maior sensibilidade usando a superfície lisa e com poucos defeitos do substrato.
- Frequentemente usado em ferramentas de usinagem de precisão, em que a estabilidade dimensional é essencial para a modelagem de alta resolução.

Modelo de nitreto de alumínio polido em um lado sobre safira Al2O3 (0001) Filme de AlN de 4 polegadas x 0,5 mm Embalagem de 1000 nm

O substrato é embalado em um recipiente antiestático revestido de espuma com uma tampa protetora para evitar danos mecânicos. Ele é selado em uma embalagem com barreira contra umidade para manter a integridade da superfície e minimizar a contaminação por partículas. Recomenda-se o armazenamento em condições de temperatura ambiente controlada. Opções de embalagem personalizadas, incluindo inserções compartimentadas e rotulagem, estão disponíveis para atender a protocolos de manuseio específicos.

Perguntas frequentes

P1: Como o acabamento polido em um lado afeta a integração do substrato nos processos de semicondutores?
R1: A superfície polida reduz a rugosidade da superfície, aumentando a precisão litográfica e garantindo melhor adesão do filme. Essa uniformidade é fundamental para minimizar os defeitos durante as etapas de processamento subsequentes.

P2: Qual é a função do substrato de safira no gerenciamento térmico?
A2: A safira (Al2O3) oferece alta condutividade térmica, o que ajuda a dissipar o calor durante a operação do dispositivo. Essa propriedade é particularmente benéfica em eletrônicos de alta potência, em que a estabilidade térmica é fundamental.

P3: Quais protocolos de limpeza são recomendados antes da fabricação do dispositivo?
R3: A limpeza padrão, como a limpeza com RCA seguida de um enxágue com água deionizada, é recomendada para remover contaminantes sem comprometer a integridade do filme. Esse processo garante que o substrato mantenha suas propriedades durante a integração.

Informações adicionais

As cerâmicas de nitreto de alumínio (AlN) são valorizadas em aplicações de alto desempenho devido às suas excelentes propriedades de condutividade térmica e isolamento elétrico. A integração de um filme de AlN na safira melhora o desempenho mecânico e térmico do substrato, tornando-o adequado para aplicações de semicondutores e sensores.

Os avanços nas técnicas de deposição e polimento melhoraram a consistência e a uniformidade dos filmes de AlN. Essas melhorias são essenciais para aplicações de precisão em que a uniformidade do filme pode afetar significativamente o desempenho do dispositivo, a confiabilidade e a eficiência da integração em processos de fabricação complexos.