AL10309 Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício (Si <111> tipo P) 10 mmx10 mm x 200 nm

Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício (Si <111> tipo P) 10 mmx10 mm x 200 nm Descrição

O modelo de nitreto de alumínio (AlN) não dopado sobre silício (Si <111> tipo P) é produzido por meio de um processo de deposição preciso que cria um filme de AlN de 200 nm de espessura em um substrato de silício de 10 mm x 10 mm. Essa configuração permite o isolamento elétrico controlado e o gerenciamento térmico eficiente, essenciais para a integração de dispositivos semicondutores. A orientação cristalina uniforme do substrato oferece suporte à consistência do processo e à compatibilidade com protocolos de microfabricação padrão.

Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN sobre silício (Si <111> tipo P) 10 mmx10 mm x 200 nm Aplicações

1.
Aplicações eletrônicas e de semicondutores
- Usado como uma camada isolante na fabricação de circuitos integrados para reduzir o vazamento elétrico, aproveitando suas propriedades dielétricas.
- Aplicado como camada de passivação em dispositivos sensores para aumentar a estabilidade térmica e proteger contra contaminação por meio de sua estrutura de filme uniforme.

2.
Aplicações industriais
- Utilizado como substrato em módulos de dispositivos de energia para obter uma dissipação de calor eficiente, aproveitando sua condutividade térmica inerente.
- Serve como suporte para processos de película fina em montagens microeletrônicas para garantir a uniformidade do processo, fornecendo uma superfície estável e lisa.

Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN sobre silício (Si <111> tipo P) 10 mmx10 mm x 200 nm Embalagem

O substrato é embalado com segurança em um contêiner antiestático revestido de espuma com bolsas de barreira contra umidade para reduzir a contaminação e os danos mecânicos. O design da embalagem inclui uma rotulagem robusta para indicar claramente as especificações do produto e as instruções de manuseio. Armazene em um ambiente com temperatura controlada e baixa umidade para manter a integridade do filme. Opções de embalagem personalizadas estão disponíveis para adaptar a proteção a requisitos específicos de transporte ou armazenamento.

Perguntas frequentes

P1: Como a espessura do filme influencia a integração do substrato em processos de semicondutores?
R1: A espessura do filme de AlN de 200 nm proporciona isolamento controlado e gerenciamento térmico, o que é essencial para reduzir o vazamento elétrico e melhorar a dissipação de calor durante a fabricação de semicondutores. Um filme uniforme também oferece suporte à consistência entre as etapas de processamento.

P2: Quais métodos de controle de qualidade são aplicados durante o processo de deposição de AlN?
A2: O processo de deposição incorpora imagens de SEM de alta resolução e metrologia de superfície para monitorar a uniformidade do filme e detectar defeitos. Essas inspeções garantem o cumprimento das tolerâncias dimensionais e a consistência do material em toda a produção.

P3: Quais condições de armazenamento são recomendadas para manter o desempenho do substrato?
R3: O substrato deve ser armazenado em um ambiente com temperatura controlada e baixa umidade. A embalagem protetora minimiza a exposição a contaminantes e tensões mecânicas, preservando a integridade estrutural e funcional do substrato.

Informações adicionais

O nitreto de alumínio é um material cerâmico conhecido por sua excepcional condutividade térmica e propriedades de isolamento elétrico. Como substrato, sua capacidade de gerenciar o calor e fornecer uma camada dielétrica estável é fundamental na fabricação de semicondutores, dando suporte a aplicações eletrônicas e microeletrônicas precisas.

Compreender o processo de deposição e a microestrutura do substrato é importante para otimizar o desempenho dos circuitos integrados e da eletrônica de potência. O controle cuidadoso da espessura do filme e da orientação cristalina aumenta a compatibilidade com o processamento padrão de semicondutores, contribuindo para melhorar a eficiência e a confiabilidade do dispositivo.