AL10310 Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício de 4 polegadas 4 polegadas x 500 nm

Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício de 4 polegadas 4 polegadas x 500 nm Descrição

O modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício de 4 polegadas (Si <111> dopado com P tipo B) é depositado como um filme de 500 nm em um wafer de silício de 4 polegadas com dopagem controlada de B tipo p. Composta de AlN e Si, a estrutura oferece alta condutividade térmica e isolamento elétrico, essenciais para dispositivos semicondutores. Seu filme uniforme ajuda a minimizar as incompatibilidades de rede e a tensão térmica durante a fabricação do dispositivo, garantindo a compatibilidade com o equipamento de processamento padrão.

Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício de 4 polegadas 4 polegadas x 500 nm Aplicações

1.aplicações eletrônicas e de semicondutores
- Uso como camada dielétrica ou de barreira em transistores de alta frequência para controlar as correntes de fuga, aproveitando o isolamento elétrico e o alinhamento cristalográfico do filme.
- Aplicado como uma camada intermediária em dispositivos de RF para reduzir a capacitância parasita por meio de sua espessura uniforme de 500 nm.

2.aplicações industriais e de sensores
- Usado como substrato na fabricação de sensores para manter a estabilidade térmica, aproveitando a alta condutividade térmica do AlN.
- Frequentemente empregado em embalagens microeletrônicas para atenuar as tensões térmicas, aproveitando as propriedades de interface controlada do material.

Modelo de nitreto de alumínio não dopado AlN em silício de 4 polegadas Embalagem de 4 polegadas x 500 nm

O substrato é embalado em um recipiente revestido de espuma antiestática dentro de uma bolsa de polietileno selada para evitar contaminação e danos mecânicos. Ele deve ser armazenado em um ambiente seco e com temperatura controlada para manter a consistência do filme. Opções adicionais de personalização, como vedação a vácuo e compartimentação personalizada, estão disponíveis para atender a requisitos específicos de manuseio para o processamento de semicondutores.

Perguntas frequentes

P1: Que medidas de controle de qualidade são implementadas durante a produção?
R1: A SAM usa microscopia eletrônica de varredura e perfilometria para verificar a uniformidade do filme e identificar defeitos, garantindo que as variações de processamento permaneçam dentro dos limites aceitáveis para aplicações de semicondutores.

P2: Como a dopagem B do tipo P influencia o desempenho do substrato?
A2: A dopagem B controlada no substrato de silício melhora as características elétricas e facilita a integração uniforme com o filme de AlN, o que é essencial para o desempenho consistente do dispositivo sob condições de processo de semicondutores.

P3: Quais condições de armazenamento são recomendadas para preservar a integridade do substrato?
R3: O substrato deve ser armazenado em um ambiente com baixa umidade e temperatura estável, usando uma embalagem anti-contaminação e livre de estática para minimizar a exposição a tensões mecânicas e contaminantes ambientais.

Informações adicionais

O nitreto de alumínio (AlN) é amplamente reconhecido por sua alta condutividade térmica e propriedades de isolamento elétrico, o que o torna adequado para aplicações eletrônicas avançadas. A combinação de AlN com um substrato de silício cria uma plataforma que suporta a dissipação eficiente de calor e minimiza a tensão térmica durante a operação do dispositivo.

Na fabricação de semicondutores, o controle da orientação cristalina e da uniformidade do filme é fundamental para a confiabilidade do dispositivo. A integração do AlN não dopado em um wafer de silício com uma orientação <111> definida garante que o substrato resultante possa suportar etapas de processamento rigorosas sem comprometer a integridade estrutural necessária para dispositivos eletrônicos de alto desempenho.