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CY11153 Wafer de silício revestido com paládio (Pd)

Número de catálogo. CY11153
Material Paládio, silício
Pureza Pd: ≥99,95%
Formulário Substrato

O wafer de silício revestido com paládio (Pd) é projetado com uma fina camada de paládio depositada por pulverização catódica em um substrato de silício para enfrentar desafios específicos em processos de semicondutores. A Stanford Advanced Materials (SAM) emprega técnicas precisas de deposição e inspeções de qualidade de superfície em linha usando ferramentas avançadas de metrologia. Essa abordagem minimiza os defeitos de superfície e garante a uniformidade, proporcionando uma interface eficaz para as etapas de processamento subsequentes e mantendo controles rigorosos do processo.

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FAQ

Como o revestimento de paládio influencia o desempenho do wafer no processamento de semicondutores?

O revestimento de paládio atua como uma barreira de difusão durante o processamento térmico, reduzindo a migração de metais e os riscos de oxidação. Essa interface controlada melhora a estabilidade e a consistência do processo em ambientes de microfabricação.

Quais são os procedimentos de limpeza recomendados antes de integrar esses wafers aos processos de semicondutores?

Recomenda-se o uso de protocolos padrão de limpeza de semicondutores usando procedimentos RCA. Esses procedimentos removem contaminantes orgânicos e inorgânicos sem comprometer a integridade estrutural da camada de paládio.

O wafer pode ser integrado aos processos de silício existentes sem modificações adicionais?

Sim, a compatibilidade do substrato com o equipamento de processamento padrão permite a integração nos fluxos de processo de silício existentes. Podem ser necessários pequenos ajustes para acomodar a influência do revestimento de metal durante os ciclos térmicos. Para obter mais detalhes, entre em contato conosco.

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