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CY11155 Wafer de silício revestido com irídio (Ir)

Número de catálogo. CY11155
Material Irídio, silício
Pureza Ir: ≥99,9%
Formulário Substrato

O wafer de silício revestido com irídio (Ir) é um substrato de silício que apresenta um filme fino de irídio aplicado por meio de deposição controlada. A Stanford Advanced Materials (SAM) emprega deposição por pulverização catódica e mapeamento de superfície por SEM para controle de qualidade, monitorando com precisão a espessura e a uniformidade do filme. Esse método minimiza os riscos de oxidação e contaminação durante os processos de alta temperatura. A estrutura técnica da SAM garante que cada wafer atenda às rígidas especificações de fabricação para pesquisa de semicondutores e desenvolvimento de processos.

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FAQ

Como o revestimento de irídio afeta o desempenho do wafer em temperaturas elevadas?

A camada de irídio atua como uma barreira contra a oxidação e a difusão de metais, protegendo o substrato de silício durante os processos de alta temperatura. Sua deposição controlada minimiza a contaminação, garantindo assim que o wafer mantenha sua integridade estrutural durante os ciclos térmicos.

Que técnica de deposição é usada para obter uma camada uniforme de irídio?

O revestimento de irídio é aplicado por meio de um método de deposição por pulverização catódica. Essa técnica permite o controle preciso da espessura e da uniformidade do filme, o que é fundamental para garantir propriedades consistentes do material durante a fabricação de semicondutores.

Existem desafios de integração ao incorporar wafers revestidos com irídio nos processos padrão de semicondutores?

A integração exige um controle cuidadoso dos parâmetros de deposição e das etapas de limpeza subsequentes. No entanto, o revestimento foi projetado para ser compatível com os processos convencionais de fabricação de CMOS, embora seja recomendada a verificação periódica da uniformidade do filme por meio de SEM.

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