CY8292 Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, plano C de Al2O3 (0001) 5 x 5 x 0,5 mm

Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, plano C de Al2O3 (0001) 5 x 5 x 0,5 mm Descrição

Projetado com Al2O3 (óxido de alumínio) de qualidade superior, nosso substrato de safira monocristalino é orientado com precisão ao longo do plano C (0001) para garantir desempenho e estabilidade ideais. Com dimensões de 5 x 5 x 0,5 mm, esse substrato oferece excepcional resistência mecânica, excelente condutividade térmica e uma alta constante dielétrica, o que o torna ideal para aplicações avançadas de semicondutores e optoeletrônica.

Cada wafer é submetido a rigorosas medidas de controle de qualidade para garantir o mínimo de defeitos de superfície e a planicidade líder do setor. O resultado é uma plataforma uniforme que suporta o crescimento de camadas epitaxiais de alta precisão e reduz os problemas relacionados ao estresse. Seja para a fabricação de LEDs, óptica a laser ou dispositivos eletrônicos de alta frequência, nosso substrato de safira oferece consistentemente desempenho superior, confiabilidade e longevidade para tecnologias de última geração.

Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm Aplicações

O substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, também conhecido como substrato de Al2O3 plano C, deve sua popularidade à dureza superior, à excelente condutividade térmica e à notável clareza óptica. Essa versão de 5 x 5 x 0,5 mm oferece qualidade de superfície consistente, o que a torna a escolha preferida para componentes eletrônicos de ponta, sistemas de laser e dispositivos ópticos. Sua baixa perda dielétrica e estrutura química estável também facilitam pesquisas inovadoras em vários campos científicos, expandindo as aplicações em vários setores.

1. Aplicações industriais

- Revestimentos de fornos de alta temperatura: A robusta estabilidade térmica e a resistência química do substrato o tornam ideal para componentes de fornos em ambientes industriais exigentes.

- Base de diodo laser durável: Sua excepcional dureza e capacidade de suportar altas temperaturas garantem a operação confiável de diodos a laser em ambientes de produção em massa.

2. Aplicações de pesquisa

- Experimentação de filmes finos: A orientação cristalográfica bem definida da safira melhora o crescimento e a análise de filmes finos avançados na pesquisa de ciência dos materiais.

- Estudos de implantação de feixe de íons: Sua baixa perda dielétrica e alta pureza suportam experimentos precisos de feixe de íons, permitindo a investigação precisa de dopagem e defeitos.

3. Aplicações comerciais

- Janelas e lentes ópticas: A excelente claridade óptica o torna adequado para uso em lasers, sistemas de observação e dispositivos especializados de geração de imagens.

- Cristais de proteção para relógios: A resistência a arranhões e a durabilidade da safira aumentam a vida útil do produto em dispositivos de consumo de luxo.

Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001) Embalagem de 5 x 5 x 0,5 mm

Esses substratos de cristal de safira de óxido de alumínio, com dimensões de 5 x 5 x 0,5 mm, são meticulosamente embalados em contêineres antiestáticos selados. Cada substrato é amortecido com espuma sem ácido e selado a vácuo em bolsas resistentes à umidade para evitar contaminação. A embalagem inclui dessecantes que absorvem a umidade para manter a secura e reduzir os riscos. Armazene-as em um ambiente fresco, sem poeira e longe da luz solar direta. Tamanhos de embalagem, métodos de vedação e opções de rotulagem personalizáveis estão disponíveis para atender a requisitos logísticos e de manuseio específicos.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm Perguntas frequentes

Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm?

A1: Os substratos de safira de óxido de alumínio (Al2O3) são conhecidos por sua excepcional dureza (Mohs 9), alta estabilidade térmica e forte resistência química. A orientação do plano C (0001) fornece planos atômicos bem definidos, essenciais para o crescimento epitaxial. Com uma baixa constante dielétrica e altas propriedades de isolamento elétrico, esses substratos apresentam uma incompatibilidade mínima de rede para muitos semicondutores compostos, promovendo uma qualidade superior de filme e permitindo um desempenho avançado do dispositivo.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Para evitar contaminação e danos mecânicos, sempre use luvas para salas limpas e manuseie os substratos de safira com pinças não metálicas ou outras ferramentas apropriadas. Armazene-os em um ambiente controlado com temperatura e umidade estáveis, normalmente em embalagens antiestáticas ou seladas a vácuo. Evite superfícies abrasivas e mantenha-os longe de produtos químicos agressivos. A rotulagem adequada e o gerenciamento de estoque garantem a rastreabilidade e mantêm a integridade do substrato para processamento posterior.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm?

R3: A maioria dos fornecedores de boa reputação produz esses substratos de safira com sistemas de gerenciamento de qualidade certificados pela ISO 9001, garantindo uma fabricação consistente e um rigoroso controle de processos. Eles geralmente estão em conformidade com as diretrizes RoHS e REACH, verificando a ausência de substâncias perigosas. Além disso, os produtos podem seguir as especificações SEMI para precisão dimensional e planicidade do wafer, bem como os padrões ASTM para pureza do material e orientação cristalográfica. Os certificados de conformidade normalmente acompanham cada lote.

Informações relacionadas

1. Processo de fabricação

A precisão meticulosa rege o processo de fabricação do substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm. Cada substrato começa como uma matéria-prima de alumina de alta pureza, que passa por um procedimento de crescimento controlado de cristais conhecido como método Czochralski. Ao longo dessa abordagem, os mestres de crescimento monitoram continuamente as temperaturas de fusão e as velocidades de extração dos cristais para garantir uma estrutura de rede consistente e uma clareza cristalina de primeira linha. Uma vez formado o boule cristalino, ele é cuidadosamente cortado em wafers finos com serras com ponta de diamante, mantendo superfícies perfeitas que minimizam os defeitos. Os wafers resultantes são então polidos por meio de um extenso processo de várias etapas para obter planicidade e transparência óptica superiores.

Processos de inspeção minuciosos acompanham as fases de corte e polimento, garantindo que cada substrato de 5 x 5 x 0,5 mm esteja em conformidade com tolerâncias dimensionais rigorosas. Ferramentas especializadas de metrologia, como interferômetros e equipamentos de difração de raios X, analisam a orientação do cristal, verificando o alinhamento do plano C (0001). Essas etapas controladas ajudam a garantir o arranjo uniforme da estrutura do substrato - essencial para os processos de deposição subsequentes ou para o crescimento epitaxial. Por meio dessa metodologia refinada, os fabricantes podem produzir de forma confiável substratos com resistência mecânica estável e resistência térmica, o que os torna a base ideal para aplicações de alto desempenho.

2. Aplicações em setores avançados

A fabricação de semicondutores avançados geralmente depende do substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001) wafers de 5 x 5 x 0,5 mm para dispositivos de alta frequência e alta potência. Como a safira tem uma condutividade térmica e um isolamento elétrico notáveis, ela é uma excelente plataforma para o desenvolvimento de nitreto de gálio (GaN) e outros materiais de banda larga essenciais para a eletrônica de potência. Sua estrutura robusta e sua resistência à corrosão garantem que componentes delicados possam suportar as condições exigentes de operações de alta tensão e alta corrente sem comprometer o desempenho ou a longevidade.

Os componentes eletrônicos resistentes à radiação também utilizam substratos de safira para aplicações aeroespaciais e militares em que os ambientes de radiação extrema são uma preocupação. A orientação estável do cristal e a densidade mínima de defeitos permitem que esses substratos mantenham a confiabilidade operacional sob condições cósmicas adversas. Enquanto isso, a capacidade do material de resistir ao desgaste químico, combinada com sua clareza óptica, torna-o igualmente valioso para dispositivos ópticos que variam de detectores de UV a lasers de estado sólido. Essas vantagens distintas, aliadas ao fator de forma de 5 x 5 x 0,5 mm, destacam a importância dos substratos de safira em setores industriais de ponta.