CY8294 Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, plano C de Al2O3 (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm

Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, plano C de Al2O3 (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Descrição

Criado a partir de uma estrutura monocristalina de Al₂O₃, esse substrato de safira plano C (0001) está entre as soluções mais robustas para dispositivos de alto desempenho. Com diâmetro de 50,8 mm e espessura de 0,5 mm, ele oferece resistência mecânica excepcional, inércia química e estabilidade térmica extraordinária. Essas características o tornam ideal para aplicações avançadas, como epitaxia de LED, microeletrônica e sistemas ópticos. Sua elevada constante dielétrica e baixas perdas dielétricas facilitam ainda mais as operações de alta frequência.

Seguindo os rígidos padrões do setor, cada substrato é submetido a testes rigorosos para garantir qualidade consistente e defeitos mínimos na superfície. As superfícies polidas garantem crescimento epitaxial uniforme e fácil integração em estruturas de dispositivos complexos. Confie nesse wafer de safira com plano C de Al₂O₃ para obter um desempenho confiável, maior eficiência do dispositivo e durabilidade inigualável em ambientes exigentes.

Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, plano C de Al2O3 (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Aplicações

O substrato de cristal de safira de óxido de alumínio (Al2O3) plano C (0001) Diâmetro. 50,8 mm x 0,5 mm é altamente valorizado por sua excepcional claridade óptica, incrível dureza e estabilidade térmica superior. Essas características o tornam um material essencial em vários setores, apoiando a pesquisa avançada e o desenvolvimento de produtos comerciais. Sua capacidade de resistir a ambientes adversos, mantendo a transparência óptica, torna-o especialmente valioso para dispositivos que exigem desempenho confiável em condições exigentes.

1. Aplicações industriais

- Janelas de proteção para equipamentos de alta temperatura, aproveitando a estabilidade térmica superior do substrato

- Componentes resistentes ao desgaste usados em ambientes industriais adversos, aproveitando a excepcional dureza da safira

2. Aplicações de pesquisa

- Substrato para pesquisa de semicondutores, fornecendo uma plataforma estável para crescimento epitaxial e estudos avançados de materiais

- Bancos de teste de componentes ópticos em experimentos de espectroscopia, beneficiando-se das propriedades de alta transmissão do cristal

3. Aplicações comerciais

- Cristais de relógio resistentes a arranhões, fazendo uso da robusta resistência mecânica da safira

- Lentes de câmeras de última geração, aproveitando sua notável clareza e baixa birrefringência

Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, plano C de Al2O3 (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Embalagem

Cada substrato de safira Al2O3 C-plane (0001) (50,8 mm de diâmetro x 0,5 mm de espessura) é cuidadosamente acondicionado em uma embalagem antiestática selada a vácuo com amortecimento de espuma para evitar danos mecânicos. Os substratos devem ser armazenados em um ambiente limpo e com baixa umidade para minimizar a contaminação. Utilizamos contêineres plásticos selados com pacotes de dessecantes para obter a secagem ideal. Opções personalizadas de rotulagem e configurações de embalagem estão disponíveis para atender a necessidades específicas de manuseio, garantindo que cada substrato permaneça intacto para uma aplicação precisa.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Perguntas frequentes

Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm?

A1: Os substratos de safira de óxido de alumínio (Al2O3) oferecem dureza excepcional (9 na escala Mohs), alta condutividade térmica (25-35 W/mK) e excelente estabilidade química. A orientação do plano C (0001) é a preferida para o crescimento epitaxial, garantindo uma estrutura de superfície bem definida. Com uma baixa constante dielétrica e transmissão óptica superior, esses substratos são amplamente utilizados em aplicações microeletrônicas e optoeletrônicas. O diâmetro de 50,8 mm e a espessura de 0,5 mm atendem aos requisitos de wafer padrão do setor.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Devido à sua fragilidade e às superfícies de precisão, o substrato deve ser manuseado em um ambiente de sala limpa usando luvas sem fiapos e ferramentas não abrasivas. Para evitar arranhões ou contaminação, armazene cada wafer em um suporte ou cassete de proteção, separado por materiais de intercalação macios. Mantenha níveis estáveis de temperatura e umidade e evite o contato direto com as mãos desprotegidas ou produtos químicos agressivos para preservar a integridade do cristal.

Q3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm ?

R3: Para wafers de safira para semicondutores, os sistemas de qualidade relevantes normalmente incluem a ISO 9001 para gerenciamento geral de fabricação e qualidade, bem como a ISO 14001 para práticas ambientais. Em alguns casos, os produtores podem aderir aos padrões SEMI relativos à geometria, planicidade e qualidade da superfície do wafer. Muitos fornecedores também realizam metrologia interna rigorosa, como difração de raios X, medição da rugosidade da superfície e inspeções de defeitos, garantindo que esses substratos atendam às rigorosas especificações microeletrônicas e optoeletrônicas.

Informações relacionadas

1. Processo de fabricação

O processo de fabricação de um substrato de cristal de safira de óxido de alumínio, Al2O3 C-Plane (0001), Dia. 50,8 mm x 0,5 mm começa com a formação de um lingote de safira de alta pureza. Por meio de técnicas cuidadosamente controladas, muitas vezes incluindo o método Verneuil ou Czochralski, o cristal é cultivado para minimizar as imperfeições estruturais e as impurezas. Após a formação do lingote, ele é cortado com precisão em discos com o diâmetro necessário de 50,8 mm e submetido a etapas completas de retificação da superfície que ajudam a obter uma espessura ideal de 0,5 mm.

Após a conclusão das etapas de modelagem, o substrato é submetido a uma sequência meticulosa de lapidação e polimento para criar uma superfície impecável. Utilizando compostos de polimento patenteados e equipamentos avançados, os fabricantes garantem uma rugosidade mínima da superfície, o que é um fator crucial para a fabricação subsequente do dispositivo. O substrato polido é então submetido a testes para confirmar a orientação cristalográfica ao longo do plano C (0001), garantindo assim a uniformidade e a consistência entre os lotes de produção.

2. Aplicações em setores avançados

Setores de ponta, como optoeletrônica, microeletrônica e instrumentação de precisão, geralmente dependem desse tipo de substrato de cristal de óxido de alumínio e safira para obter um desempenho superior dos dispositivos. Sua integridade estrutural robusta e o alinhamento cristalino impecável permitem uma tensão mínima durante o crescimento epitaxial de semicondutores como o nitreto de gálio (GaN). Essa confiabilidade torna o substrato particularmente útil na produção de dispositivos de rádio de alta frequência e LEDs com eficiência e gerenciamento de calor aprimorados.

Durante o processamento em nível de wafer, a excepcional estabilidade térmica e a inércia química do substrato desempenham um papel fundamental na manutenção da confiabilidade do dispositivo. Na eletrônica de potência, sua capacidade de suportar temperaturas elevadas sem deformar ou degradar contribui para prolongar a vida útil operacional. Além disso, o diâmetro de 50,8 mm e a espessura de 0,5 mm proporcionam compatibilidade com equipamentos de processamento padrão do setor, expandindo ainda mais seu escopo de aplicação na pesquisa moderna de nanotecnologia e fotônica.