CY8537 Substrato de cristal de silício (Si) (110) 5x5 mm

Descrição do substrato de cristal de silício (Si) (110) 5x5 mm

Projetado para pesquisas avançadas de microfabricação e fotônica, nosso substrato de cristal de silício (110) de 5 × 5 mm oferece precisão e uniformidade inigualáveis. A orientação do índice Miller (110) desse substrato proporciona propriedades anisotrópicas exclusivas, tornando-o altamente valioso para a engenharia de dispositivos em escala nanométrica. Cada substrato é fabricado de acordo com rigorosos padrões de qualidade, garantindo o mínimo de defeitos de superfície, baixa rugosidade e pureza excepcional. Isso resulta em desempenho superior de crescimento epitaxial e operação confiável em ambientes de alta temperatura e alta tensão. As aplicações mais populares incluem sistemas microeletromecânicos (MEMS), deposição de película fina e desenvolvimento de sensores.

Nosso meticuloso processo de produção e o rigoroso controle de qualidade garantem excelente planicidade e precisão dimensional. Esse substrato é a solução perfeita para pesquisadores e engenheiros que buscam uma plataforma estável e confiável para seus projetos de semicondutores mais exigentes.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) 5x5 mm Aplicações

Os substratos de cristal de silício (110), medindo 5x5 mm, são valorizados por suas propriedades estruturais exclusivas e pela orientação consistente dos cristais, que facilitam o desempenho avançado dos dispositivos. Esses substratos permitem uma modelagem precisa e dão suporte a vários esforços industriais, de pesquisa e comerciais. Com alta pureza e características elétricas superiores, eles servem como plataformas ideais para uma ampla gama de aplicações que envolvem microeletrônica e nanofabricação.

1 Aplicações industriais

-Aplicação 1: Empacotamento condutivo de microeletrônica de alto desempenho em nível de wafer, aproveitando a orientação (110) para uma ligação confiável e distorção mínima de sinal.

-Aplicação 2: Sensores de alta precisão para usos automotivos e aeroespaciais, aproveitando as características de resposta à tensão do plano (110) para obter confiabilidade consistente.

-Aplicação 3: microfabricação robusta de dispositivos MEMS que exigem espessura uniforme, garantindo propriedades mecânicas estáveis sob condições operacionais industriais.

2 Aplicações de pesquisa

-Aplicação 1: Estudos de crescimento epitaxial para P&D de semicondutores avançados, usando o substrato (110) para examinar a tensão da rede e a propagação de defeitos.

-Aplicação 2: Protótipos de dispositivos quânticos em que a orientação precisa da superfície é fundamental para aumentar a mobilidade dos elétrons e reduzir a dispersão.

-Aplicação 3: experimentos de física fundamental que investigam as propriedades de transporte térmico e elétrico em orientações cristalinas bem definidas.

3. aplicações comerciais

-Aplicação 1: Componentes fotônicos integrados que exploram os índices de refração exclusivos do plano (110) para uma propagação eficiente da luz.

-Aplicação 2: Revestimentos especializados de película fina e camadas protetoras, que se beneficiam da qualidade uniforme do substrato e da adesão aprimorada.

-Aplicação 3: Sensores eletrônicos de consumo (por exemplo, sensores de pressão ou de toque) que utilizam a estabilidade do substrato em condições ambientais variáveis.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Embalagem de 5x5 mm

Cada substrato de Si (110) de 5×5 mm é embalado em um ambiente limpo e livre de estática, usando materiais acolchoados e com baixo teor de partículas para garantir a segurança e a integridade do produto. As superfícies são protegidas contra umidade e poeira com películas protetoras seladas e anti-contaminação. O contêiner selado é armazenado sob temperatura e umidade controladas para minimizar a oxidação. Opções de personalização, como embalagens de camada dupla seladas a vácuo ou transportadoras especializadas, também estão disponíveis para atender a necessidades específicas de manuseio e envio.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Perguntas frequentes sobre o substrato de cristal de silício (Si) (110) 5x5 mm

Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (110) 5x5 mm?

R1: O substrato de cristal de silício (Si) com orientação (110) oferece propriedades anisotrópicas distintas em comparação com a orientação mais comum (100). Ele tem uma estrutura cristalina cúbica de diamante, altos níveis de pureza (geralmente 99,9999%) e uma condutividade térmica em torno de 150 W/m-K à temperatura ambiente. O plano (110) apresenta resistência à fratura e estrutura de banda eletrônica diferentes, o que o torna ideal para a fabricação de dispositivos especializados, incluindo canais de transistores avançados e sistemas microeletromecânicos (MEMS).

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Manuseie esses substratos pelas bordas ou com luvas de sala limpa para evitar contaminação e danos. Armazene-os em um ambiente sem poeira e com temperatura controlada para preservar a integridade da superfície e evitar a oxidação. Use suportes de proteção ou caixas de wafer para proteger contra estresse mecânico. Recomenda-se a inspeção regular com um microscópio ou profilômetro de superfície para confirmar a limpeza e a qualidade da superfície antes de qualquer processamento. Evite força ou flexão excessiva para manter a integridade do cristal.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (110) 5x5 mm?

R3: Os substratos de silício (110) normalmente estão em conformidade com as especificações SEMI M1 para geometria, planicidade e qualidade da superfície do wafer. Os fabricantes geralmente aderem à ISO 9001 para sistemas de gerenciamento de qualidade, garantindo uma produção consistente e protocolos de inspeção rigorosos. As tolerâncias epitaxiais e de dopagem são verificadas por meio de métodos como medição de sonda de quatro pontos ou espectrometria de massa de íons secundários (SIMS). Essas certificações garantem a rastreabilidade, a reprodutibilidade e a conformidade com os padrões internacionais, tornando os substratos adequados para pesquisas de alta precisão e aplicações industriais.

Informações relacionadas

1. Processo de fabricação

A criação de um substrato de cristal de silício (Si) (110) 5x5 mm normalmente começa com o crescimento de um lingote de silício de alta pureza, que é então cuidadosamente orientado e cortado para obter o plano cristalográfico (110). Durante essas etapas, procedimentos avançados de corte e polimento são empregados para manter a planicidade do substrato, minimizar defeitos e preservar sua espessura uniforme, garantindo que a orientação (110) seja apresentada com precisão em toda a superfície de 5x5 mm.

As técnicas de precisão são cruciais para refinar ainda mais o substrato. Após o corte, as superfícies são submetidas a um regime de limpeza extensivo para remover contaminantes, seguido por processos de gravação que melhoram a suavidade da estrutura cristalina. Essa abordagem meticulosa ajuda a manter características elétricas e mecânicas consistentes, permitindo que o substrato de cristal de silício (Si) (110) 5x5 mm atenda aos requisitos exatos de aplicações especializadas em microeletrônica e nanotecnologia.

2. Aplicações em setores avançados

O uso extensivo do substrato de cristal de silício (Si) (110) 5x5 mm pode ser encontrado em dispositivos eletrônicos de última geração, nos quais a orientação cristalográfica proporciona propriedades elétricas distintas, adequadas a determinadas configurações de transistor. Seu alinhamento estrutural preciso também suporta tecnologias avançadas de sensores, principalmente na fabricação de dispositivos MEMS e fotodetectores sofisticados.

O desempenho robusto em condições desafiadoras torna esse substrato ideal para outros domínios de alta precisão, como a optoeletrônica e a computação quântica. Ao aproveitar a característica de maior mobilidade de portadores do plano cristalográfico (110), os engenheiros podem desenvolver componentes com velocidade e sensibilidade aprimoradas, impulsionando assim a inovação em uma série de setores de ponta.