CY8540 Substrato de cristal de silício (Si) (110) 10x10 mm

Descrição do substrato de cristal de silício (Si) (110) 10x10 mm

Nosso substrato de cristal de silício (Si) (110) 10×10 mm é fabricado com precisão a partir de silício monocristalino de alta pureza, garantindo excepcional uniformidade e baixa densidade de defeitos. A orientação cristalográfica (110) oferece vantagens exclusivas para processos avançados de fabricação de dispositivos, incluindo gravação anisotrópica e crescimento epitaxial. Sua estrutura de rede consistente ajuda a minimizar a tensão nas camadas epitaxiais, melhorando o desempenho do dispositivo e a confiabilidade geral. Além disso, o acabamento de superfície lisa e as tolerâncias dimensionais rigorosas permitem a integração perfeita em uma ampla gama de aplicações industriais e de pesquisa.

Projetado para atender a rigorosos padrões de qualidade, esse substrato passa por rigorosos procedimentos de inspeção e limpeza para reduzir a contaminação e manter as superfícies ideais do wafer. Se estiver investigando novos materiais semicondutores, desenvolvendo circuitos integrados de última geração ou explorando dispositivos MEMS, nosso substrato de cristal de silício (Si) (110) 10×10 mm oferece a precisão, a durabilidade e a consistência necessárias para obter resultados de ponta.

Aplicações do substrato de cristal de silício (Si) (110) 10x10 mm

O substrato de cristal de silício (Si) (110) 10x10 mm é conhecido por sua estrutura cristalina uniforme, dopagem consistente e estabilidade térmica inigualável. Esse substrato compacto é muito procurado em eletrônica avançada, óptica de precisão e testes de materiais. Com propriedades como alta pureza, excelente mobilidade de portadores e precisão dimensional, ele se torna essencial em vários domínios, impulsionando a inovação e os avanços da pesquisa. Projetado para ser confiável, ele promove o desempenho de dispositivos de última geração.

1. aplicações industriais

-Aplicação 1: Utilizado em componentes de máquinas de alta temperatura devido à resistência térmica e estabilidade superiores

-Aplicação 2: Utilizado em processos de fabricação de semicondutores em larga escala para produção extremamente precisa de wafer

2. aplicações de pesquisa

-Aplicação 1: parte integrante de dispositivos experimentais de computação quântica em que a dopagem controlada é crucial

-Aplicação 2: Essencial para o desenvolvimento de dispositivos nanoeletrônicos, permitindo a exploração de novas arquiteturas de transistores

3. aplicações comerciais

-Aplicação 1: Encontrado em eletrônicos de consumo de ponta para garantir a longevidade e a eficiência prolongadas do dispositivo

-Aplicação 2: Usado em tecnologias fotovoltaicas para melhorar o desempenho das células solares e a conversão de energia

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Embalagem de 10x10 mm

Cada substrato de cristal de silício (Si) de 10×10 mm (110) é protegido em uma bolsa selada antiestática com inserções de espuma para evitar danos mecânicos. A embalagem inclui dessecantes de controle de umidade para manter a secura e reduzir o risco de contaminação. Armazene-os em ambientes limpos e com temperatura controlada, longe da luz solar direta. As opções de vedação dupla e vácuo estão disponíveis para aumentar a limpeza. Etiquetagem personalizada, embalagem especializada e ajustes de quantidade podem ser acomodados mediante solicitação.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Perguntas frequentes sobre o substrato de cristal de silício (Si) (110) de 10x10 mm

P1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (110) 10x10 mm?

R1: O substrato de cristal de silício (Si) (110) é conhecido por sua orientação cristalográfica bem definida, alta pureza e controle preciso de dopagem. Com uma constante de rede de aproximadamente 5,431 Å, ele oferece excelente estabilidade mecânica, dureza em torno de 1150 HV e condutividade térmica de 148 W/m-K. Essa orientação (110) é especialmente vantajosa para determinadas aplicações de dispositivos devido às suas propriedades elétricas e ópticas anisotrópicas.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Normalmente, esses substratos são manuseados com luvas de sala limpa e armazenados em embalagens inertes ou seladas a vácuo para evitar contaminação ou oxidação. As superfícies podem ser extremamente sensíveis a arranhões, portanto, é essencial usar apenas materiais não abrasivos durante a limpeza. As flutuações de temperatura devem ser minimizadas para evitar deformações, e a umidade deve ser controlada para evitar a absorção de umidade que pode afetar a integridade da superfície do substrato.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (110) 10x10 mm?

R3: Para critérios de desempenho rigorosos, esses substratos geralmente estão em conformidade com os sistemas de gerenciamento de qualidade ISO 9001. Muitos fornecedores também seguem os padrões SEMI, como o M1, para especificações de wafer de silício, garantindo espessura, planicidade e orientação cristalográfica consistentes. Verificações de rotina usando difração de raios X e perfilometria de superfície verificam a uniformidade do substrato. Além disso, a conformidade com as diretrizes RoHS garante uma fabricação ambientalmente responsável e livre de substâncias perigosas, como chumbo, mercúrio ou cádmio.

Informações relacionadas

1. Propriedades e vantagens do material

O substrato de cristal de silício (Si) (110) 10x10 mm é conhecido por sua estrutura robusta e versátil, o que o torna ideal para diversas aplicações de alta precisão. Sua orientação (110) proporciona um conjunto exclusivo de características cristalográficas, permitindo uma mobilidade superior de portadores em determinados projetos de transistores e aprimorando as propriedades de condução de superfície. Essa orientação específica também oferece maior uniformidade na deposição de filmes finos, garantindo que pesquisadores e fabricantes possam obter resultados confiáveis ao desenvolver dispositivos eletrônicos e fotônicos avançados.

Graças ao seu tamanho compacto de 10x10 mm, esse substrato é particularmente conveniente para testes de laboratório e execuções de produção em pequena escala. Ele atinge um equilíbrio entre a eficiência do material e o desempenho do dispositivo, permitindo a criação de protótipos econômicos sem sacrificar a precisão ou a consistência. Sua capacidade de manter características elétricas estáveis sob várias condições ambientais consolida ainda mais sua função na pesquisa de semicondutores de ponta e nos processos de microfabricação.

2. Tendências do mercado global

O aumento da demanda por tecnologias eficientes em termos de energia e componentes miniaturizados está gerando um interesse significativo no substrato de cristal de silício (Si) (110) 10x10 mm. Setores como o de microeletrônica, fotovoltaico e fabricação de sensores estão adotando ativamente esses substratos para atender à crescente demanda por dispositivos de alto desempenho e baixo consumo de energia. À medida que as instalações de fabricação de semicondutores se expandem em todo o mundo, os fabricantes desse substrato se beneficiam do estabelecimento de cadeias de suprimentos confiáveis e do atendimento a mercados internacionais que valorizam a orientação cristalográfica precisa e as propriedades consistentes do material.

Nos últimos anos, iniciativas de colaboração entre institutos de pesquisa, empresas de tecnologia e órgãos governamentais impulsionaram o investimento geral em inovação de substrato de silício. O aumento das parcerias globais acelerou a exploração de novas arquiteturas de dispositivos e técnicas de processamento, reforçando, em última análise, a viabilidade comercial de substratos de pequeno formato, como o wafer de silício com orientação de 10x10 mm (110). Essas tendências devem continuar, pois os setores avançados enfatizam designs compactos e eficientes para atender às crescentes demandas industriais e dos consumidores.