CY8541 Substrato de cristal de silício (Si) (111) 10x10 mm

Descrição do substrato de cristal de silício (Si) (111) 10x10 mm

Este substrato de cristal de silício (Si) (111) 10×10 mm oferece uma base consistentemente uniforme e robusta para uma variedade de aplicações industriais e de pesquisa. A orientação cristalográfica (111) proporciona uma uniformidade de rede excepcional, tornando-o ideal para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores avançados, crescimento epitaxial e estudos de ciência de superfície. Fabricado de acordo com rigorosos padrões de pureza, esse substrato apresenta o mínimo de defeitos e uma superfície extremamente lisa. Sua estrutura monocristalina garante um comportamento previsível do portador de carga e uma estabilidade térmica excepcional.

Atendendo a rigorosos padrões de qualidade, cada substrato é submetido a uma inspeção meticulosa para garantir corte preciso, espessura consistente e planicidade superior. Esses atributos acomodam a produção de componentes e chips de alto desempenho, dando suporte à microeletrônica, MEMS e fabricação de sensores. A qualidade confiável do material e a precisão da orientação fazem desse substrato uma solução valiosa para quem busca excelência em ambientes de pesquisa e produção.

Aplicações do substrato de cristal de silício (Si) (111) 10x10 mm

O substrato de cristal de silício (Si) (111) 10x10 mm é valorizado por sua orientação atômica precisa, alta pureza e excelentes propriedades elétricas. Sua estrutura cristalina uniforme oferece suporte à tecnologia avançada de semicondutores, enquanto a orientação da superfície (111) aumenta a compatibilidade com os processos de crescimento epitaxial. Essa combinação de precisão, estabilidade e condutividade torna o substrato altamente versátil, permitindo soluções inovadoras em ambientes industriais, de pesquisa e comerciais.

1. aplicações industriais

-Fabricação de wafer: Permite a produção de circuitos integrados de alto desempenho e dispositivos de energia.

-Produção de sensores: fornece uma base de cristal estável para sensores, garantindo medições precisas e confiáveis em ambientes adversos.

2. aplicações de pesquisa

-Estudos de filmes finos: oferece uma superfície ideal para a investigação de técnicas de crescimento e deposição de materiais.

-Computação quântica: Serve como um substrato confiável para testar dispositivos quânticos e estudar novas arquiteturas computacionais.

3. aplicações comerciais

-Dispositivos optoeletrônicos: Facilita o desenvolvimento de telas inovadoras, componentes fotônicos e módulos de comunicação.

-Eletrônicos de consumo: Forma a base de processadores de última geração e chips especializados encontrados em smartphones, wearables e muito mais.

Substrato de cristal de silício (Si) (111) Embalagem de 10x10 mm

Cada substrato de cristal de silício (Si) de 10x10 mm (111) é cuidadosamente embalado em uma bolsa antiestática e amortecido com inserções de espuma para evitar danos mecânicos. Um recipiente hermético e resistente à umidade garante a proteção contra a umidade. O substrato deve ser armazenado em um ambiente limpo, sem poeira e em temperatura ambiente. A vedação dupla minimiza ainda mais os riscos de contaminação. As opções personalizadas incluem revestimentos especializados, variações de espessura e marcações de orientação exclusivas.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Perguntas frequentes sobre o substrato de cristal de silício (Si) (111) de 10x10 mm

P1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (111) 10x10 mm?

R1: Esse substrato é silício monocristalino com orientação (111), oferecendo um plano de rede consistente para a fabricação de dispositivos avançados. Normalmente, ele tem uma faixa de resistividade entre 1 e 10 Ω-cm, o que garante uma mobilidade estável de elétrons. A superfície é polida em um dos lados, atingindo uma rugosidade abaixo de 5 Å. Sua pureza de 99,9999% produz uma composição uniforme que conduz a processos microeletrônicos confiáveis. Além disso, sua estrutura cristalográfica bem definida suporta o crescimento epitaxial para várias rotinas de semicondutores.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Ao manusear o substrato, use luvas limpas para evitar contaminação e evite contato direto com a superfície polida. Use pinças dedicadas ou varinhas de vácuo para minimizar o estresse mecânico. Armazene em um ambiente limpo e com baixa umidade, de preferência em um dessecador com purga de nitrogênio. Proteja-o de flutuações extremas de temperatura para preservar a integridade cristalográfica. Embale cada substrato individualmente em um recipiente antiestático para evitar danos à superfície.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (111) 10x10 mm?

R3: Certificações reconhecidas pelo setor, como a ISO 9001:2015 e a ISO 14001:2015, geralmente se aplicam aos processos de fabricação, garantindo qualidade consistente e responsabilidade ambiental. Os substratos também atendem às especificações SEMI M1, que abrangem as tolerâncias dimensionais, a rugosidade da superfície e a densidade geral de defeitos. Além disso, a documentação pode fazer referência à ASTM F76 ou a padrões equivalentes para medições de resistividade e perfis de dopagem. A conformidade com as normas RoHS e REACH é normalmente garantida para atender aos requisitos do mercado global.

Informações relacionadas

1. Processo de fabricação

A fabricação do substrato de cristal de silício (Si) (111) 10x10 mm geralmente começa com a seleção cuidadosa de lingotes de silício monocristalino. Esses lingotes são cultivados sob condições térmicas e atmosféricas estritamente controladas para manter a uniformidade da orientação e da pureza do cristal. Métodos avançados de extração, como a técnica Czochralski, ajudam a obter uma excelente estrutura cristalina que se alinha perfeitamente com a orientação (111). Isso garante o mínimo de defeitos, o que o torna ideal para dispositivos que exigem alta precisão e estabilidade.

Durante a fase de modelagem do cristal, o lingote é cortado em substratos usando um equipamento especializado de corte de diamante projetado para obter uma espessura consistente e uma qualidade de superfície superior. Cada substrato é então submetido a um processo de polimento que refina a rugosidade da superfície, permitindo interfaces suaves em aplicações subsequentes. O controle dimensional preciso, que resulta em um formato de 10x10 mm, garante a compatibilidade com uma ampla gama de sistemas de microfabricação e aumenta o rendimento das linhas de produção de semicondutores.

2. Aplicações em setores avançados

Setores com visão de futuro, como microeletrônica, tecnologia de sensores e fotônica, contam com a orientação do cristal (111) para aplicações que exigem baixas densidades de defeitos e mobilidade ideal de portadores de carga. O substrato de cristal de silício (Si) (111) 10x10 mm é particularmente valorizado nesses setores por sua capacidade de manter a integridade estrutural sob intensas etapas de processamento, incluindo difusão em alta temperatura e implantação de íons. Seu arranjo estável de treliça contribui ainda mais para caminhos de condução eficientes, vitais para eletrônicos críticos no nível de wafer.

No âmbito da computação quântica e de novos circuitos integrados, esse substrato especializado oferece uma excelente base para avanços em pesquisa e engenharia. Seu tamanho preciso de 10x10 mm acomoda técnicas avançadas de litografia, garantindo a padronização precisa do dispositivo e a redução do desperdício de material. Os pesquisadores frequentemente exploram o plano cristalográfico (111) para estudar novas arquiteturas de pontos quânticos e componentes spintrônicos, tornando-o um material essencial para inovações na vanguarda da tecnologia moderna.