CY8543 Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada Descrição

Nosso substrato de cristal de silício (Si) (110) com diâmetro de 1 polegada foi projetado para oferecer qualidade cristalina superior e uniformidade estrutural excepcional. A orientação (110) proporciona arranjos atômicos exclusivos que são altamente favoráveis para aplicações em microeletrônica avançada, energia fotovoltaica e pesquisa de MEMS. Com sua alta pureza e baixa densidade de defeitos, esse substrato suporta o controle preciso de dopantes e tensões mínimas de rede, garantindo desempenho confiável e resultados reproduzíveis em ambientes experimentais e de produção.

Fabricado sob rigorosos padrões de qualidade, cada substrato passa por uma inspeção rigorosa para verificar a planicidade da superfície, a uniformidade da espessura e a precisão dimensional geral. Essa supervisão cuidadosa garante a qualidade ideal da superfície, adequada para a deposição de filmes finos, fotolitografia e outros processos de fabricação. Independentemente de estar explorando novos conceitos de dispositivos ou aumentando a produção, nosso substrato de cristal de silício (Si) (110) oferece as propriedades consistentes e o desempenho confiável essenciais para os avanços tecnológicos de ponta.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada Aplicações

O substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada é uma base versátil para uma ampla gama de metodologias sofisticadas. Com sua alta pureza, estrutura cristalina uniforme e orientação precisa, ele permite um desempenho consistente em vários campos. O aproveitamento dessas propriedades resulta em alta condutividade térmica, características elétricas superiores e resistência mecânica robusta, o que o torna essencial para aplicações de ponta.

1. aplicações industriais

-Eletrônicos de alto desempenho: A orientação (110) garante o transporte eficiente de portadores, ideal para transistores de potência.

-Dissipadores de calor: a condutividade térmica excepcional ajuda a dissipar o calor em ambientes industriais de alta demanda.

2. aplicações de pesquisa

-Experimentação em semicondutores: A orientação estável do cristal permite estudos avançados de dopagem e crescimento.

-Avanços em fotônica: A espessura uniforme do substrato ajuda no projeto e nos testes precisos de componentes ópticos.

3. aplicações comerciais

-Fabricação de dispositivos de consumo: a uniformidade e a robustez contribuem para produtos confiáveis e duradouros.

-Tecnologias de sensores: A alta pureza garante a detecção precisa do sinal e a operação estável ao longo do tempo.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada Embalagem

Cada substrato de cristal de silício de 1 polegada de diâmetro (110) é selado individualmente em um saco de polietileno para salas limpas com inserções de espuma para absorção de choques. Para obter melhores resultados, armazene em um ambiente controlado a 20-25°C, mantendo a umidade abaixo de 50%. As medidas anti-contaminação incluem embalagem dupla e manuseio mínimo. Embalagens protetoras personalizadas, como vedação a vácuo e coberturas ESD, podem ser providenciadas mediante solicitação. A rotulagem clara com as especificações do produto garante a rastreabilidade e o gerenciamento eficiente do estoque.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada Perguntas frequentes

Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada?

R1: O substrato de silício (Si) Crystal (110) Dia. 1 polegada normalmente apresenta excelente resistência mecânica, arranjo atômico preciso e parâmetros de rede consistentes. Com uma orientação cristalográfica (110), é o preferido para sistemas microeletromecânicos (MEMS) e dispositivos eletrônicos especializados que exigem gravação direcional. A resistividade típica varia de 1 a 20 Ω-cm, dependendo do tipo de dopagem, garantindo uma condutividade estável. Seu acabamento de superfície é suave, com rugosidade mínima, permitindo a fabricação de dispositivos de alta qualidade.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: O manuseio adequado do substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada envolve o uso de luvas de sala limpa para evitar contaminação e segurar o substrato pelas bordas para evitar arranhões. Ele deve ser armazenado em um ambiente limpo e livre de estática, com umidade e temperatura controladas. Evite o contato direto com superfícies duras e use recipientes acolchoados para o transporte. A inspeção regular e a limpeza cuidadosa com solventes aprovados manterão a integridade da superfície.

Q3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada?

R3: O substrato de silício (Si) Crystal (110) Dia. Além disso, muitos fornecedores seguem as especificações da SEMI para geometria de wafer, planicidade e precisão de orientação cristalográfica. A conformidade com a RoHS é frequentemente certificada para confirmar o mínimo de substâncias perigosas. Verificações regulares de CQ e processos de metrologia são realizados para validar a uniformidade da espessura, a resistividade e a densidade de defeitos antes do envio do produto.

Informações relacionadas

1. Processo de fabricação

Métodos meticulosos de crescimento são empregados para criar o substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada, garantindo sua estrutura de rede uniforme e orientação estável. Esses substratos geralmente começam como cristais de silício de alta pureza cultivados por meio de técnicas como o processo Czochralski, em que o silício é derretido e, em seguida, cuidadosamente puxado para formar um lingote. A orientação (110) é mantida com precisão durante todo esse procedimento, contribuindo para as propriedades consistentes e a precisão dimensional do substrato.

Seguem-se procedimentos avançados de corte e polimento, em que os wafers são cortados do lingote e polidos por máquina para obter a suavidade ideal. Durante o polimento, todas as irregularidades ou contaminantes são completamente removidos para produzir uma superfície espelhada com requisitos rigorosos de planicidade. Essa atenção aos detalhes é fundamental para obter o mínimo de defeitos, o que é crítico quando o substrato é submetido a etapas subsequentes de fabricação de dispositivos em ambientes comerciais e de pesquisa.

2. Aplicações em setores avançados

O desempenho robusto em sistemas microeletromecânicos (MEMS), lasers semicondutores e fabricação de microprocessadores faz com que o substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada inestimável. Sua orientação cristalina bem definida proporciona características consistentes de gerenciamento térmico, condutividade elétrica e distribuição de tensão, essenciais para dispositivos eletrônicos delicados. O diâmetro de uma polegada do substrato o torna particularmente adequado para ambientes de fabricação especializados ou experimentos em escala piloto focados na engenharia de dispositivos inovadores.

A utilização direcionada em setores de ponta, como optoeletrônica e desenvolvimento de sensores, decorre da considerável confiabilidade e precisão dimensional desse substrato. Sua capacidade de manter a estabilidade cristalina sob uma série de condições ajuda pesquisadores e fabricantes a agilizar o processo de produção, reduzir o desperdício de material e aumentar a qualidade dos resultados. Essa versatilidade posiciona o substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 1 polegada como um componente essencial para impulsionar as tecnologias de próxima geração em vários campos de alta tecnologia.