CY8544 Substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada

Substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada Descrição

Descubra qualidade e confiabilidade excepcionais com o nosso substrato de cristal de silício (Si) (111), projetado com um diâmetro de 1 polegada para aplicações microeletrônicas e optoeletrônicas de precisão. Projetados usando processos avançados de crescimento de cristal único, esses substratos oferecem uma rede cristalina altamente uniforme e níveis de pureza superiores, garantindo defeitos mínimos e excelente mobilidade de portadores. A orientação (111) proporciona características elétricas e mecânicas distintas, o que a torna ideal para laboratórios de pesquisa, fabricação de semicondutores e desenvolvimento de dispositivos de ponta.

Cada substrato atende aos rigorosos padrões do setor quanto à planicidade da superfície e à densidade de defeitos, permitindo um desempenho consistente e uma variação reduzida na fabricação de dispositivos. Independentemente de você precisar de prototipagem para nanotecnologia inovadora ou criar circuitos integrados robustos, nosso substrato de cristal de silício (Si) (111) oferece qualidade, estabilidade e reprodutibilidade confiáveis para apoiar seus esforços de fabricação e pesquisa.

Substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada Aplicações

O substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada é valorizado por sua estrutura molecular precisa e excelente condutividade térmica. Esse substrato robusto pode acomodar diversas configurações, o que o torna indispensável para os setores que exigem componentes de alto desempenho. Sua superfície uniforme, combinada com características mecânicas confiáveis, permite a fabricação de dispositivos de última geração, enquanto a orientação (111) aprimora os processos de crescimento e deposição de cristais em várias aplicações.

1. aplicações industriais

-Fabricação de dispositivos microeletrônicos de alta frequência, em que a orientação (111) suporta camadas de precisão e melhora o desempenho

-Fabricação de sensores MEMS, aproveitando a excepcional estabilidade térmica e mecânica do substrato para a operação confiável do sensor

2. aplicações de pesquisa

-Estudos avançados de crescimento epitaxial, utilizando a orientação cristalina consistente para explorar novos materiais semicondutores

-Experimentos fundamentais de ciência de materiais, com foco em perfis de dopagem e engenharia de estrutura cristalina para eletrônicos de última geração

3. aplicativos comerciais

-Tecnologia de geração de imagens de alta resolução, beneficiando-se da uniformidade e da condutividade superior do substrato para aumentar a eficiência do sensor

-Componentes eletrônicos de consumo, fornecendo uma plataforma estável para circuitos integrados em smartphones e outros dispositivos portáteis

Substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada Embalagem

Cada substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada é embalado individualmente dentro de uma inserção de espuma livre de estática e selado em uma bolsa de grau de sala limpa e barreira contra umidade. A embalagem é armazenada sob temperatura e umidade controladas para minimizar a oxidação e o acúmulo de partículas. Uma caixa externa oferece proteção adicional contra choques, evitando a contaminação durante o transporte. A personalização opcional inclui marca personalizada e etiquetagem com código de barras, garantindo rastreabilidade precisa para aplicações especializadas.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada Perguntas frequentes

P1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada?

R1: O substrato de silício (Si) Crystal (111) Dia. 1 polegada normalmente apresenta uma orientação cristalina que promove alta mobilidade de elétrons, defeitos mínimos na estrutura e excelente uniformidade. Com um bandgap de aproximadamente 1,12 eV, ele oferece boa condutividade térmica e resistência mecânica estável. A orientação 111 do substrato é especialmente útil para o crescimento epitaxial avançado e a fabricação de dispositivos, garantindo espessura consistente da camada, baixa deformação do wafer e controle preciso da dopagem.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: O manuseio adequado requer o uso de luvas para salas limpas e pinças que não sejam de metal para evitar contaminação. Armazene o substrato em um ambiente de baixa umidade, sem poeira e em temperatura ambiente estável, de preferência em um recipiente antiestático para wafer. Evite o contato direto com a pele ou a exposição a produtos químicos agressivos. Inspecione regularmente para verificar se há danos à superfície ou acúmulo de partículas. Manuseie as bordas somente para manter a superfície cristalina necessária para o desempenho confiável do dispositivo e a precisão da medição.

Q3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada?

R3: Esses substratos normalmente seguem os padrões da SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) para tolerâncias dimensionais, uniformidade de espessura e densidade de defeitos. Eles também podem estar em conformidade com o gerenciamento de qualidade ISO 9001 para garantir a consistência e a confiabilidade da produção. As certificações adicionais podem incluir conformidade com REACH e RoHS, garantindo o cumprimento das normas ambientais e de segurança. Os fabricantes submetem cada lote de substrato a rigorosos protocolos de inspeção para garantir a pureza, a precisão da orientação e a baixa contaminação por partículas.

Informações relacionadas

1. Propriedades e vantagens do material

Feito sob medida para atender às demandas exatas de semicondutores, o substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada oferece estabilidade mecânica e uniformidade excepcionais em toda a sua superfície. Com uma estrutura cristalina rigidamente controlada, ele apresenta condutividade térmica superior e parâmetros de rede consistentes, o que o torna uma base confiável para aplicações microeletrônicas de precisão.

Fabricado para atender a padrões de alta pureza, a orientação (111) desse substrato oferece um plano ideal para o crescimento epitaxial complexo e a estratificação de dispositivos. Ao minimizar os deslocamentos e as densidades de defeitos, o wafer garante um desempenho elétrico otimizado em componentes essenciais, como dispositivos de energia, sensores e circuitos integrados avançados.

2. Aplicações em setores avançados

Caracterizado por seu alinhamento cristalino superior, o substrato de cristal de silício (Si) (111) Dia. 1 polegada é amplamente utilizado no desenvolvimento de produtos de ponta em áreas como computação quântica, instrumentação aeroespacial e sistemas avançados de energia. Sua estrutura precisa e propriedades eletrônicas estáveis permitem que pesquisadores e fabricantes projetem dispositivos inovadores que exigem especificações exatas de material.

A integração desse substrato em tecnologias de última geração permite maior sensibilidade em sensores, maior confiabilidade em aplicações de alta tensão e energia fotovoltaica mais eficiente. Suas qualidades cristalográficas exclusivas, combinadas com um rigoroso controle dimensional, proporcionam a precisão necessária para inovações em escala de wafer e soluções emergentes de alto desempenho.