Substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 2 polegadas Descrição
O substrato de cristal de silício (Si) de alta pureza (100) com diâmetro de 2 polegadas é caracterizado por sua estrutura cristalina consistente e qualidade de superfície excepcional. Sua orientação (100) proporciona uniformidade ideal, tornando-o uma plataforma confiável para microfabricação avançada e engenharia de dispositivos semicondutores. Com densidade mínima de defeitos e resistividade controlada com precisão, esse substrato atende a uma ampla gama de aplicações, incluindo circuitos integrados, sensores e tecnologias fotovoltaicas.
Cada substrato é submetido a rigorosas medidas de controle de qualidade para garantir a conformidade com os padrões do setor. O acabamento polido da superfície e as tolerâncias precisas de espessura possibilitam resultados de processamento repetíveis e de alto rendimento, enquanto suas excelentes propriedades térmicas e elétricas apoiam o desempenho estável do dispositivo. Seja usado em laboratórios de pesquisa ou em linhas de produção de alto volume, nosso substrato de cristal de silício (Si) (100) oferece a consistência e a confiabilidade necessárias para componentes eletrônicos de última geração.
Substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 2 polegadas Aplicações
Os substratos de cristal de silício (Si) com orientação (100) e diâmetro de 2 polegadas são reconhecidos por suas características elétricas excepcionais, excelente condutividade térmica e perfeição estrutural superior. Seus perfis de dopagem uniformes e defeitos mínimos garantem resultados de alta qualidade em uma infinidade de aplicações, da microeletrônica ao desenvolvimento de sensores, tornando-os a escolha ideal para a fabricação de dispositivos precisos e avanços tecnológicos inovadores.
1. aplicações industriais
-Circuitos integrados de alto desempenho: A baixa densidade de defeitos e a estrutura cristalina consistente do substrato aumentam a confiabilidade do dispositivo em processos avançados de fabricação.
-Módulos de eletrônica de potência: A condutividade térmica superior permite a dissipação eficiente do calor, levando a um melhor desempenho em sistemas com uso intensivo de energia.
2. aplicações de pesquisa
-Novos dispositivos semicondutores: O controle preciso da dopagem e a excelente cristalinidade dão suporte à experimentação com arquiteturas de semicondutores de ponta.
-Estudos de deposição de película fina: A superfície uniforme do substrato é ideal para analisar revestimentos inovadores e novas camadas de materiais.
3. aplicações comerciais
-Sensores de eletrônicos de consumo: Baixos níveis de impureza e estrutura cristalina estável garantem leituras precisas de sensores em dispositivos cotidianos.
-Componentes fotônicos: A alta clareza óptica e a uniformidade da estrutura permitem o desenvolvimento de circuitos fotônicos avançados e óptica integrada.
Substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. Embalagem de 2 polegadas
Cada substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 2 inch é cuidadosamente embalado usando inserções de espuma protetora com sacos antiestáticos selados a vácuo. A embalagem foi projetada para evitar danos e contaminação, minimizando a umidade e a infiltração de partículas. Armazene os substratos em um ambiente seco e com temperatura controlada e manuseie-os com luvas para manter a pureza. Soluções de embalagem personalizadas estão disponíveis para atender às necessidades exclusivas de pesquisa ou produção, garantindo o transporte seguro e a proteção ideal do substrato.
Embalagens: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.
Substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 2 polegadas Perguntas frequentes
Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 2 polegadas?
A1: O substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 2 inch é conhecido por sua alta cristalinidade, dopagem uniforme e excelente condutividade térmica. Sua estrutura de cristal único garante o mínimo de defeitos, o que o torna ideal para a fabricação de dispositivos semicondutores. A orientação (100) proporciona um comportamento previsível de gravação e propriedades elétricas consistentes. Esses wafers apresentam baixa rugosidade superficial, alta resistência à tração e um coeficiente estável de expansão térmica para um desempenho confiável em aplicações exigentes.
P2: Quais são as práticas de manuseio e armazenamento recomendadas para o substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 2 polegadas?
A2: Devido à sua alta pureza e ao acabamento preciso da superfície, esses substratos devem ser manuseados com luvas para salas limpas e armazenados em um ambiente seco e sem poeira. Evite o contato direto com os dedos desprotegidos e use somente pinças ou ferramentas de manuseio de wafer específicas. Mantenha condições estáveis de temperatura e umidade para evitar contaminação e reduzir o estresse. Armazene os wafers em transportadores especializados para minimizar os danos mecânicos.
Q3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 2 polegadas?
R3: O substrato de cristal de silício (Si) de alta qualidade (100) Dia. 2 polegadas de alta qualidade normalmente estão em conformidade com os padrões SEMI para tolerância de espessura, planicidade e acabamento de superfície. Muitos fornecedores também possuem certificações ISO 9001 para garantir processos de fabricação consistentes e rastreabilidade. Certificações adicionais podem incluir conformidade com RoHS e REACH para substâncias restritas. Os testes de laboratório verificam a resistividade, a orientação cristalográfica e a densidade de defeitos em alinhamento com as normas do setor de semicondutores.
Informações relacionadas
1. Propriedades e vantagens do material
O substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. 2 polegadas apresenta estabilidade térmica excepcional, o que o torna a escolha ideal para aplicações de alta temperatura no processamento de semicondutores. Essa estabilidade ajuda a preservar a integridade do wafer durante as etapas de fabricação de dispositivos que podem envolver condições extremas. A orientação cristalina bem definida (100) proporciona características elétricas uniformes e permite perfis de gravação consistentes, que são cruciais na fabricação de dispositivos em escala micro e nano.
A robusta resistência mecânica do substrato garante um manuseio confiável e reduz o risco de danos durante as operações de transporte ou processamento. Graças à sua excelente mobilidade de portadores e à baixa densidade de defeitos, esse substrato de silício permite um movimento mais rápido dos elétrons e um desempenho mais alto dos dispositivos em aplicações como eletrônica de potência, sensores e circuitos integrados. Além disso, seu acabamento de superfície lisa facilita a fotolitografia precisa e melhora a adesão de filmes finos em estruturas de dispositivos complexos.
2. Medidas de controle de qualidade
Protocolos de metrologia focados são empregados em todo o ciclo de produção para manter níveis rigorosos de tolerância para espessura, diâmetro e planicidade. Métodos avançados de inspeção, como a varredura automatizada de superfícies e o mapeamento de defeitos, ajudam a detectar quaisquer microarranhões ou imperfeições cristalinas que possam comprometer o rendimento dos dispositivos. Esses rigorosos processos de inspeção garantem um substrato de alta qualidade capaz de suportar arquiteturas complexas de dispositivos.
Equipamentos de alta resolução são usados para medir a resistividade e verificar a concentração de dopagem, que são essenciais para alcançar as propriedades elétricas desejadas para aplicações de uso final. Essa camada de garantia assegura a confiabilidade e a consistência do produto em diferentes ciclos de fabricação. Além disso, os sistemas de rastreabilidade integrados registram cada estágio da criação do wafer, permitindo que os fabricantes resolvam rapidamente quaisquer desvios e mantenham um fornecimento consistentemente confiável de substrato de cristal de silício (Si) (100) Dia. wafers de 2 polegadas.
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