CY8922 Monocamada CVD de disseleneto de tungstênio em substrato de SiO2/Si Filme WSe2 10x10 mm

Disseleneto de tungstênio de monocamada CVD em substrato de SiO2/Si Filme WSe2 10x10 mm Descrição

Experimente o desempenho excepcional do nosso filme CVD Monolayer Tungsten Diselenide (WSe2), depositado com precisão em um substrato de safira SiO₂/Si de 10×10 mm. Essa camada ultrafina apresenta uma uniformidade notável, garantindo uma espessura consistente até a escala atômica. Seu bandgap direto e o forte acoplamento spin-órbita o tornam ideal para dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos avançados, como transistores, fotodetectores e circuitos flexíveis.

Projetada por meio de um rigoroso processo de crescimento, nossa monocamada de WSe2 atende a rigorosos padrões de qualidade em termos de pureza, cristalinidade e reprodutibilidade. O resultado é uma plataforma estável e eficiente para pesquisadores e fabricantes que buscam ampliar os limites da nanotecnologia. Invista em uma solução confiável conhecida por sua robustez, mobilidade e compatibilidade com diversas aplicações em pesquisa de semicondutores de ponta e desenvolvimento de produtos.

Disseleneto de tungstênio de monocamada CVD em substrato de SiO2/Si Filme WSe2 Aplicações de 10x10 mm

O disseleneto de tungstênio (WSe2) de monocamada cultivado via CVD em um substrato de SiO2/Si é um semicondutor 2D robusto, conhecido por sua estrutura estável em camadas e bandgap direto. Esse filme de 10x10 mm apresenta propriedades eletrônicas e ópticas excepcionais, o que o torna altamente adequado para várias aplicações de última geração. A espessura fina do material, combinada com excelente mobilidade de portadores e absorção óptica, permite soluções de alto desempenho em vários setores, desde eletrônicos e energia até iniciativas de pesquisa avançada.

1. aplicações industriais

-Sensores químicos de alta sensibilidade em ambientes petroquímicos, aproveitando a excelente reatividade de superfície do WSe2.

-Produtos eletrônicos automotivos duráveis e de alto desempenho, que se beneficiam da mobilidade superior de portadores do filme.

-Equipamentos avançados de fabricação em que camadas semicondutoras estáveis aumentam a eficiência do dispositivo.

2. aplicações de pesquisa

-Estudos fundamentais de materiais 2D, explorando efeitos quânticos e estruturas de banda eletrônica exclusivas do WSe

2.

-Desenvolvimento de protótipos de dispositivos fotônicos para comunicações ópticas e pesquisas baseadas em laser.

-Investigações sobre arquiteturas de semicondutores de última geração que aproveitam a escalabilidade da monocamada.

3. aplicações comerciais

-Dispositivos inteligentes vestíveis que integram filmes finos e flexíveis de WSe2 para maior conforto do usuário.

-Componentes de telas de alta resolução, aproveitando a forte absorção óptica e a clareza.

-Eletrônicos de consumo que exigem transistores compactos e eficientes em termos de energia construídos em semicondutores ultrafinos.

Disseleneto de tungstênio de monocamada CVD em substrato de SiO2/Si Embalagem de filme WSe2 de 10x10 mm

Cada filme WSe₂ de 10×10 mm é cuidadosamente colocado em uma luva antiestática com amortecimento inerte e, em seguida, selado a vácuo para minimizar a exposição à umidade e a partículas. Ele deve ser armazenado em um ambiente de baixa umidade e livre de poeira, de preferência sob nitrogênio ou argônio, para evitar a oxidação. Recomenda-se um controle rigoroso da contaminação, incluindo o uso de luvas limpas e superfícies de manuseio estéreis. Opções de embalagem personalizáveis, incluindo camadas protetoras adicionais ou rotulagem, estão disponíveis mediante solicitação.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Perguntas frequentes sobre o filme WSe2 de 10x10 mm com monocamada de disseleneto de tungstênio CVD em substrato de SiO2/Si

Q1: Quais são as principais propriedades do material de Disseleneto de tungstênio monocamada CVD em substrato de SiO2/Si e filme WSe2 de 10x10 mm?

A1: Os filmes CVD de monocamada de disseleneto de tungstênio (WSe2) cultivados em um substrato de SiO2/Si ou safira de 10×10 mm apresentam excelentes propriedades elétricas e ópticas, incluindo um bandgap direto de cerca de 1,6 eV, alta mobilidade de portadores e forte fotoluminescência. Eles também apresentam estabilidade química e flexibilidade mecânica notáveis. Esses atributos os tornam adequados para dispositivos optoeletrônicos avançados, fotodetectores e eletrônicos flexíveis, oferecendo alto desempenho com espessura reduzida.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Devido à sua sensibilidade a contaminantes e estresse mecânico, esses filmes de WSe2 de monocamada devem ser manuseados em um ambiente limpo e com baixa umidade. Evite o contato direto com os dedos ou pinças sem revestimentos de proteção. Recomenda-se armazená-los em um recipiente antiestático sob condições inertes ou a vácuo para evitar reações na superfície. O manuseio cuidadoso preserva a integridade do filme e maximiza o desempenho do dispositivo.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao filme CVD Monolayer Tungsten Diselenide on SiO2/Si Substrate WSe2 Film 10x10 mm?

R3: Esses filmes CVD WSe2 normalmente se alinham aos padrões gerais do setor para materiais de película fina, como a ISO 9001 para gerenciamento de qualidade e a ISO 14001 para gerenciamento ambiental. Fornecedores idôneos também podem fornecer documentação complementar sobre pureza, uniformidade e rastreabilidade. Assegurar a espessura consistente da monocamada, o mínimo de defeitos e a adesão a rigorosos protocolos internos de metrologia ajuda a garantir um desempenho confiável para aplicações industriais e de pesquisa avançadas.

Informações relacionadas

1. Propriedades e vantagens do material

O disseleneto de tungstênio (WSe2) de monocamada fabricado por meio de deposição de vapor químico em um substrato de SiO2/Si oferece uma combinação notável de características ópticas e eletrônicas. A natureza ultrafina desse filme de 10x10 mm permite uma configuração de bandgap direta, possibilitando a absorção e a emissão eficientes de luz, o que é altamente benéfico para a integração de dispositivos optoeletrônicos. Essa construção de camada de átomo único também garante excelente mobilidade de portadores de carga, tornando-o um candidato excepcional para componentes que exigem resposta eletrônica rápida e perdas mínimas de condução.

Juntamente com sua extraordinária uniformidade, esse material demonstra alta estabilidade térmica e resiliência mecânica. Esses atributos são ainda mais acentuados pela forte ligação da interface com o substrato, que sustenta a confiabilidade do dispositivo em ciclos operacionais prolongados. Quando comparado com filmes mais espessos ou policristalinos, o WSe2 monocamada apresenta menor densidade de defeitos, morfologia de superfície mais suave e continuidade de camada superior, o que melhora o desempenho do dispositivo e abre caminho para estruturas eletrônicas inovadoras.

2. Aplicações em indústrias avançadas

Em vários setores industriais de ponta, o WSe2 monocamada CVD é uma promessa imensa para futuros avanços tecnológicos. Seu bandgap direto e seus efeitos excitônicos pronunciados o tornam um excelente candidato para a próxima geração de fotodetectores e diodos emissores de luz, contribuindo para a rápida transmissão de dados e maior pureza de cores em tecnologias de exibição. A espessura em escala atômica do filme permite ainda o projeto de matrizes de transistores de alta densidade que exigem consumo mínimo de energia.

As equipes de P&D que exploram eletrônicos flexíveis e vestíveis também valorizam esse material por seu potencial de se dobrar sem perder a condutividade ou a eficiência óptica. Essa adaptabilidade cria novos caminhos em estruturas de sensores compactos, dispositivos de monitoramento de saúde e sistemas ultrafinos de coleta de energia. Juntas, essas aplicações avançadas ressaltam a importância do disseleneto de tungstênio de monocamada CVD na formação do futuro da eletrônica, da fotônica e dos circuitos integrados em escala global.