SC9905 Placa de carbeto de silício recristalizado com 30 mm de espessura

Placa de carbeto de silício recristalizado com 30 mm de espessura Descrição

A placa de carbeto de silício recristalizado com 30 mm de espessura é fabricada a partir de SiC com pureza ≥99% e apresenta uma densidade de aproximadamente 2,7 g/cm³. A espessura substancial da placa e as propriedades cerâmicas inerentes permitem que ela suporte temperaturas elevadas de até 1650 ℃. Essa formulação oferece estrutura de grãos controlada e inclusões mínimas, que são vitais para manter a integridade estrutural e a estabilidade térmica em ambientes industriais exigentes.

Placa de carbeto de silício recristalizado com 30 mm de espessura Aplicações

Aplicações industriais de alta temperatura
- Uso como componente refratário em revestimentos de fornos para obter um gerenciamento térmico estável, aproveitando sua capacidade de suportar temperaturas de até 1650 ℃.
- Aplicado como elemento estrutural em trocadores de calor para manter a estabilidade dimensional e resistir a choques térmicos.

Fabricação de semicondutores e eletrônicos
- Usado como substrato em equipamentos de processamento de alta temperatura para obter um desempenho consistente, aproveitando sua composição de alta pureza e características dimensionais robustas.

Placa de carbeto de silício recristalizado com 30 mm de espessura Embalagem

O produto é embalado em um contêiner antiestático revestido de espuma para reduzir o estresse mecânico e evitar a contaminação da superfície. Recomenda-se armazenar o material em um ambiente seco e com temperatura controlada para proteger contra umidade e flutuações térmicas. Opções de embalagem personalizadas, incluindo etiquetas especializadas e compartimentação, estão disponíveis com base em requisitos específicos de manuseio e armazenamento.

Perguntas frequentes

P1: Como a pureza ≥99% da placa de SiC influencia seu desempenho operacional?
R1: A alta pureza minimiza os defeitos induzidos por impurezas que poderiam enfraquecer a estrutura sob estresse térmico. Isso resulta em uma microestrutura mais uniforme, essencial para manter a integridade mecânica consistente durante a operação em alta temperatura.

P2: A placa pode operar continuamente em temperaturas próximas a 1650°C?
R2: A temperatura operacional especificada indica que a placa é capaz de resistir à exposição prolongada a altas temperaturas. Entretanto, os projetistas devem considerar o ambiente operacional, inclusive o ciclo térmico, para garantir a estabilidade a longo prazo.

P3: Que precauções devem ser tomadas ao limpar a placa de SiC?
R3: Limpe a placa usando métodos não abrasivos com água deionizada e solventes suaves. Evite produtos químicos agressivos que possam alterar as propriedades da superfície. Recomenda-se um processo de limpeza controlado para manter a integridade necessária para aplicações de alta temperatura.

Informações adicionais

As cerâmicas de carbeto de silício são reconhecidas por sua excepcional estabilidade térmica e inércia química, o que as torna adequadas para aplicações industriais de alto desempenho. O processo de recristalização refina a estrutura do grão, reduzindo as tensões internas e atenuando o risco de propagação de trincas sob condições de choque térmico.

A compreensão da evolução microestrutural durante a sinterização e a recristalização é fundamental para os cientistas de materiais. Os parâmetros de processamento otimizados ajudam a obter propriedades uniformes, essenciais para aplicações que envolvem altas cargas térmicas e ambientes corrosivos. Esse conhecimento ajuda no desenvolvimento de materiais com desempenho consistente em condições operacionais rigorosas.