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  • ST11210 Alvo de pulverização plana de carbeto de silício (SiC)

    • ST11210 Alvo de pulverização plana de carbeto de silício (SiC)

    Número de catálogo. ST11210
    Composição SiC
    Pureza ≥99,9%, ou personalizado
    Formulário Alvo
    Forma Retangular
    Dimensões Personalizado

    O alvo planar de carbeto de silício, SiC, foi projetado para aplicações de pulverização que exigem estabilidade do material em temperaturas elevadas. A Stanford Advanced Materials (SAM) utiliza processos de síntese controlados e inspeções de microscopia eletrônica de varredura para verificar a uniformidade da microestrutura e os níveis de impureza. A geometria plana e as dimensões personalizáveis do alvo facilitam a integração em sistemas de pulverização, garantindo a consistência do material para ambientes de processos de cerâmica e semicondutores.

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    Silicon Carbide Planar Target, SiC Target
    Silicon Carbide Planar Target, SiC Target
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    ST11210 Alvo de pulverização plana de carbeto de silício (SiC)
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    Composição
    SiC
    Pureza
    ≥99,9%, ou personalizado
    Formulário
    Alvo
    Forma
    Retangular
    Dimensões
    Personalizado
     
    SC0892 Pó de carbeto de silício de alta pureza (pó de SiC) (CAS No.409-21-2)
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    Material
    Carbeto de silício
    Pureza
    99,9999% ou personalizado
    Tamanho da partícula
    malha 200 ou sob medida
    Cor
    Preto/Verde
    Formulário
    Pó
    Estrutura cristalina
    Hexagonal (α-SiC) / Cúbico (β-SiC)
     
    SC0893 Rolamento de carbeto de silício (rolamento de SiC)
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    Material
    Cerâmica de carbeto de silício
    Pureza
    97%~99%
    Densidade
    3,05~3,15 g/cm3
    Formulário
    Rolamento de SiC
    Temperatura operacional
    1400℃
     
    SC0894 Anel de vedação de carbeto de silício (anel de SiC)
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    Material
    Cerâmica SiC
    Pureza
    97%~99%
    Densidade
    3,05~3,15 g/cm3
    Aparência
    Preto
    Ponto de fusão
    2,730 ℃
    Temperatura operacional
    1600℃
    Sinônimos
    Anel de vedação de carbeto de silício, anel de vedação de SiC

    FAQ

    Que vantagens técnicas o carbeto de silício oferece como alvo de pulverização catódica?

    A inércia química e o alto ponto de fusão do carbeto de silício sustentam um comportamento estável de sputtering. Essas propriedades minimizam a degradação do alvo e mantêm a deposição uniforme do filme, o que é essencial para processos de fabricação precisos em aplicações de semicondutores e cerâmica.

    Como as dimensões personalizadas afetam a integração do alvo de SiC nos sistemas de pulverização catódica?

    As dimensões personalizadas garantem que o alvo se encaixe com precisão em vários projetos de câmara de pulverização. Esse ajuste sob medida otimiza a distribuição de energia e a uniformidade da deposição, reduzindo a variabilidade do processo e melhorando o desempenho geral da pulverização.

    Quais medidas de controle de qualidade são implementadas durante a produção do alvo de SiC?

    As medidas de controle de qualidade incluem inspeções de microscopia eletrônica de varredura (SEM) e análise do nível de impureza. Esses métodos verificam a consistência microestrutural e o acabamento da superfície, garantindo que o alvo atenda aos requisitos rigorosos dos processos de deposição por sputtering.

    ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

    https://www.samaterials.com/images/sc/1765955766-normal-SC0892-1.jpg
    SC0892 Pó de carbeto de silício de alta pureza (pó de SiC) (CAS No.409-21-2)
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    sc/1752221027-SC0893.jpg
    SC0893 Rolamento de carbeto de silício (rolamento de SiC)
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    sc/1744365382-SC0894_01.jpg
    SC0894 Anel de vedação de carbeto de silício (anel de SiC)
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    Silicon Carbide Balls
    SC0895 Esferas de carbeto de silício, esferas de SiC
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    Silicon Carbide Plate
    SC0896 Placa de carboneto de silício (Placa de SiC)
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    sc/1751898312-SC0897.jpg
    SC0897 Bocal de carboneto de silício (bocal de SiC)
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    SC0908 Silicon Carbide Tube (SiC Tube)
    SC0908 Tubo de carbeto de silício, tubo de SiC
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    SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)
    SC0957 Bandejas de carbeto de silício (bandejas de SiC)
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