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ST11210 Alvo planar de carbeto de silício, alvo de SiC

Número de catálogo. ST11210
Composição SiC
Pureza ≥99,9%, ou personalizado
Formulário Alvo
Forma Retangular
Dimensões Personalizado

O alvo planar de carbeto de silício, SiC, foi projetado para aplicações de pulverização que exigem estabilidade do material em temperaturas elevadas. A Stanford Advanced Materials (SAM) utiliza processos de síntese controlados e inspeções de microscopia eletrônica de varredura para verificar a uniformidade da microestrutura e os níveis de impureza. A geometria plana e as dimensões personalizáveis do alvo facilitam a integração em sistemas de pulverização, garantindo a consistência do material para ambientes de processos de cerâmica e semicondutores.

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FAQ

Que vantagens técnicas o carbeto de silício oferece como alvo de pulverização catódica?

A inércia química e o alto ponto de fusão do carbeto de silício sustentam um comportamento estável de sputtering. Essas propriedades minimizam a degradação do alvo e mantêm a deposição uniforme do filme, o que é essencial para processos de fabricação precisos em aplicações de semicondutores e cerâmica.

Como as dimensões personalizadas afetam a integração do alvo de SiC nos sistemas de pulverização catódica?

As dimensões personalizadas garantem que o alvo se encaixe com precisão em vários projetos de câmara de pulverização. Esse ajuste sob medida otimiza a distribuição de energia e a uniformidade da deposição, reduzindo a variabilidade do processo e melhorando o desempenho geral da pulverização.

Quais medidas de controle de qualidade são implementadas durante a produção do alvo de SiC?

As medidas de controle de qualidade incluem inspeções de microscopia eletrônica de varredura (SEM) e análise do nível de impureza. Esses métodos verificam a consistência microestrutural e o acabamento da superfície, garantindo que o alvo atenda aos requisitos rigorosos dos processos de deposição por sputtering.

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