ST11471 Alvo planar de nitreto de tântalo, alvo de TaN

Número de catálogo.	ST11471
Composição	TaN
Forma	Retangular
Formulário	Alvo
Pureza	≥98%

O alvo planar de nitreto de tântalo, alvo TaN, é um alvo de pulverização produzido por meio de processos de pulverização reativa controlada, garantindo uma composição química definida. A Stanford Advanced Materials (SAM) utiliza microscopia eletrônica de varredura em linha para monitorar a morfologia da superfície e a uniformidade da microestrutura. Essas medidas ajudam a manter a estequiometria precisa para melhorar o desempenho da deposição de filmes finos em ambientes controlados.

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FAQ

Quais considerações de processamento são críticas ao usar um alvo de pulverização de TaN para a deposição de filmes finos?

Ao usar um alvo de TaN, o fornecimento consistente de energia e o resfriamento do substrato são essenciais para manter a uniformidade do filme. O monitoramento dos parâmetros do plasma garante que a estequiometria seja preservada durante a deposição. Os ajustes no fluxo de gás reativo ajudam a gerenciar a adesão do filme e a minimizar a contaminação.

Como o design planar do alvo de TaN beneficia o desempenho da pulverização?

O design plano promove a erosão uniforme durante a pulverização, levando a uma distribuição uniforme do filme depositado. Essa uniformidade estrutural minimiza a ejeção de partículas e reduz o desperdício do alvo, melhorando, assim, a reprodutibilidade das características do filme fino.

Que precauções devem ser tomadas durante a instalação e o manuseio de um alvo de sputtering de TaN?

Deve-se tomar cuidado para evitar choques mecânicos e contaminação da superfície durante a instalação. O uso de ferramentas de manuseio antiestáticas e a garantia de um ambiente de sala limpa reduzirão a contaminação por partículas e preservarão a integridade da superfície do alvo.