O aprimoramento da mobilidade dos transistores de óxido de índio, gálio e zinco por meio da cristalização em baixa temperatura usando uma camada catalítica de tântalo

Título	O aprimoramento da mobilidade dos transistores de óxido de índio, gálio e zinco por meio da cristalização em baixa temperatura usando uma camada catalítica de tântalo
Autores	Yeonwoo Shin, Sang Tae Kim, Kuntae Kim, Mi Young Kim, Saeroonter Oh, Jae Kyeong Jeong
Revista	Relatórios científicos
data	09/07/2017
Doi	10.1038/s41598-017-11461-0
Introdução	Os transistores de filme fino (TFTs) de óxido de índio, gálio e zinco (IGZO) de alta mobilidade foram aprimorados por meio de um processo de cristalização de baixa temperatura facilitado por uma camada catalítica de metal de transição. Os TFTs de IGZO amorfos convencionais geralmente exigem temperaturas de recozimento de 600 °C ou mais para que a camada ativa se cristalize, o que os torna inadequados para telas de substrato de vidro. Entretanto, quando o IGZO está em contato com uma camada de tântalo (Ta), a temperatura de cristalização cai significativamente. A cristalização parcial no canal traseiro do IGZO pode ser obtida com o recozimento a 300 °C, e a cristalização completa da camada ativa ocorre a 400 °C. Esse processo aumenta a mobilidade de efeito de campo para 54,0 cm²/V-s em comparação com 18,1 cm²/V-s para TFTs de IGZO amorfo sem uma camada catalítica. Essa pesquisa apresenta um método direto e eficiente para melhorar o desempenho do dispositivo por meio da cristalização da camada IGZO usando temperaturas de recozimento padrão, eliminando a necessidade de processos caros de irradiação a laser.
Citação	Yeonwoo Shin, Sang Tae Kim e Kuntae Kim et al. The Mobility Enhancement of Indium Gallium Zinc Oxide Transistors via Low-temperature Crystallization using a Tantalum Catalytic Layer. Sci Rep. 2017. Vol. 7. DOI: 10.1038/s41598-017-11461-0
Elemento	Gálio (Ga) , Índio (In) , Tântalo (Ta) , Zinco (Zn)
Materiais	Óxidos
Indústria	Eletrônicos