CY11157 Wafer de silício revestido com nitreto de titânio (TiN)

Descrição do wafer de silício revestido com nitreto de titânio (TiN)

O wafer de silício revestido com nitreto de titânio (TiN) é um substrato de silício que apresenta um filme de TiN depositado uniformemente por meio de técnicas de pulverização catódica. A camada de TiN atua como uma barreira contra a oxidação e a contaminação, além de fornecer uma superfície condutora para a integração de dispositivos. A espessura e a homogeneidade controladas do filme são cruciais para minimizar os defeitos durante as etapas subsequentes do processamento de semicondutores, garantindo a compatibilidade com o equipamento de fabricação padrão.

Características do wafer de silício revestido com nitreto de titânio (TiN)

*As informações sobre o produto acima são baseadas em dados teóricos e servem apenas como referência. As especificações reais podem variar.

Aplicações de wafer de silício revestido com nitreto de titânio (TiN)

1.fabricação de eletrônicos e semicondutores
- Usado como uma camada de interconexão em circuitos integrados para obter caminhos de baixa resistência, aproveitando as propriedades condutoras do TiN.
- Aplicado como uma barreira de difusão em estruturas de metal-silício para evitar a mistura e a degradação durante o processamento em alta temperatura.

2.proteção de superfície e camadas de barreira
- Serve como revestimento protetor em sistemas microeletromecânicos (MEMS) para aumentar a vida útil do dispositivo, reduzindo a oxidação e o desgaste.
- Usado em dispositivos sensores em que a camada de TiN quimicamente inerte minimiza a contaminação e aumenta a estabilidade do dispositivo.

Embalagem de wafer de silício revestido com nitreto de titânio (TiN)

Os wafers são embalados em bandejas antiestáticas e selados em sacos laminados com barreira contra umidade para evitar contaminação e danos mecânicos durante o transporte. O armazenamento deve ser feito em um ambiente limpo, seco e com temperatura controlada para manter a integridade do revestimento de TiN. Opções de embalagem personalizadas estão disponíveis para atender a requisitos específicos de manuseio e garantir a proteção do produto contra influências ambientais.

Informações adicionais

Os revestimentos de nitreto de titânio têm sido amplamente estudados por sua inércia química e condutividade elétrica em aplicações de semicondutores. O processo de deposição controlada não apenas aumenta a durabilidade da superfície, mas também melhora a confiabilidade do contato elétrico. Os avanços na tecnologia de revestimento permitiram que os pesquisadores ajustassem com precisão as propriedades do filme, beneficiando vários processos de fabricação de alta tecnologia.

A compreensão da interação entre a uniformidade do revestimento e o desempenho do substrato é fundamental na fabricação de semicondutores. A integração de camadas de TiN com substratos de silício demonstra a importância do controle meticuloso do processo para alcançar os resultados desejados para os componentes ativos e passivos do dispositivo.