CY9483 Substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B), grau principal (100), SSP, 10-20 ohm-cm

Substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B) de primeiro grau (100), SSP, 10-20 ohm-cm Descrição

O substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B) de grau primário (100), SSP, 10-20 ohm-cm é fabricado com silício de alta pureza e dopado com boro para obter condutividade do tipo P. Sua orientação cristalográfica (100) suporta o crescimento epitaxial uniforme durante o processamento de semicondutores. Sua orientação cristalográfica (100) suporta o crescimento epitaxial uniforme durante o processamento de semicondutores. Com uma faixa de resistividade de 10 a 20 ohm-cm, o substrato atende às demandas elétricas e estruturais da fabricação de dispositivos avançados, mantendo a baixa densidade de defeitos e as condições estáveis da superfície.

Substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B), grau principal (100), SSP, 10-20 ohm-cm Aplicações

Fabricação de eletrônicos e semicondutores
- Usado como substrato na fabricação de circuitos integrados para obter um crescimento consistente da camada epitaxial, aproveitando sua orientação precisa (100).
- Aplicado como material de base para dispositivos semicondutores de potência para controlar a condutividade por meio da dopagem calibrada de boro.

Aplicações industriais e de pesquisa
- Utilizado em estudos experimentais para análise de difusão de dopantes em silício, garantindo resultados quantificáveis por meio de resistividade uniforme.
- Empregado em laboratórios de desenvolvimento de processos para testar tratamentos avançados de superfície que exigem um substrato estável e com poucos defeitos.

Substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B), grau principal (100), SSP, embalagem de 10-20 ohm-cm

Os wafers são acondicionados individualmente em transportadores antiestáticos e colocados em contêineres rígidos revestidos de espuma para minimizar o impacto físico e a contaminação. Uma película protetora adicional protege a superfície de partículas transportadas pelo ar. Recomenda-se o armazenamento em um ambiente com temperatura controlada e baixa umidade. Opções de embalagem personalizadas, incluindo vedação a vácuo e rotulagem detalhada, estão disponíveis para acomodar protocolos de manuseio específicos.

Perguntas frequentes

P1: Que medidas são aplicadas para controlar a consistência do dopante nesses wafers?
R1: A SAM utiliza técnicas avançadas de difusão de boro combinadas com metrologia de superfície, como varredura de resistência elétrica, para manter a distribuição uniforme do dopante, o que é fundamental para sustentar a resistividade designada de 10-20 ohm-cm.

P2: Como a orientação cristalográfica (100) é verificada?
A2: A orientação é confirmada por meio de análises de difração de raios X (XRD) e difração de retrodispersão de elétrons (EBSD). Esses métodos garantem que o substrato esteja em conformidade com os padrões rigorosos necessários para os processos epitaxiais subsequentes.

P3: Quais condições de armazenamento são recomendadas para preservar a integridade do wafer?
R3: Os wafers devem ser armazenados em um ambiente com temperatura regulada e baixa umidade dentro de uma embalagem antiestática para evitar contaminação e estresse mecânico, mantendo assim as propriedades estruturais e elétricas do substrato.

Informações adicionais

Os substratos de wafer de silício são fundamentais na indústria de semicondutores, fornecendo a base para a fabricação de circuitos integrados e dispositivos microeletrônicos. A orientação cristalográfica e a dopagem controladas permitem a integração confiável de processos em operações de oxidação, litografia e gravação. O desenvolvimento contínuo das técnicas de processamento de materiais permite um melhor desempenho e rendimento dos dispositivos em ambientes industriais.

Os avanços no controle de dopantes e na caracterização da superfície melhoraram a consistência e o desempenho das pastilhas de silício. Técnicas como XRD e SEM oferecem percepções aprofundadas sobre as características estruturais e morfológicas, permitindo que os engenheiros ajustem os parâmetros do processo para otimizar o desempenho do dispositivo em laboratórios de pesquisa e ambientes de produção.