CY9484 Substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B) de 200 mm, grau principal (100), SSP, 1-50 ohm-cm

Substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B) de 200 mm, grau principal (100), SSP, 1-50 ohm-cm Descrição

O substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B) de 200 mm de grau primário (100), SSP, 1-50 ohm-cm é um substrato de silício projetado com dopagem controlada de boro e orientação (100). A designação SSP indica polimento em um único lado para melhorar a suavidade da superfície. O ajuste preciso da resistividade elétrica (1-50 ohm-cm) torna esse substrato adequado para circuitos integrados e outros dispositivos semicondutores, garantindo um desempenho consistente em ambientes de processo sensíveis a dopantes.

Substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B) de 200 mm, grau principal (100), SSP, 1-50 ohm-cm Aplicações

1. fabricação de eletrônicos e semicondutores
- Usado como substrato básico na fabricação de circuitos integrados para obter características elétricas uniformes, aproveitando sua dopagem controlada de boro.
- Aplicado como plataforma para dispositivos sensores em sistemas semicondutores para obter uma modulação precisa do sinal por meio de sua orientação cristalográfica (100).

2. dispositivos optoeletrônicos e fotovoltaicos
- Empregado como uma camada ativa em fotodetectores para melhorar a consistência do portador de carga, utilizando sua faixa de resistividade definida.
- Usado na produção de células solares para aumentar a eficiência da coleta de portadores, aproveitando a alta uniformidade da superfície e o acabamento polido em um único lado.

Substrato de wafer de silício tipo P (dopado com B) de 200 mm, grau principal (100), SSP, embalagem de 1-50 ohm-cm

Cada wafer é fixado em um suporte antiestático e amortecido com inserções de espuma para minimizar o estresse mecânico e a contaminação da superfície. Os substratos são colocados em embalagens resistentes à umidade com atmosfera inerte e etiquetados para rastreamento. Eles devem ser armazenados em um ambiente de sala limpa, com temperatura controlada, para preservar suas características elétricas e de superfície. Configurações de embalagem personalizadas estão disponíveis para atender a requisitos específicos de fabricação.

Perguntas frequentes

P1: Como a dopagem controlada de boro afeta a integração do processo?
R1: A concentração controlada de boro garante que a resistividade elétrica permaneça na faixa de 1 a 50 ohm-cm, facilitando o desempenho previsível durante a fabricação do dispositivo e melhorando a integração com o equipamento padrão de processamento de semicondutores.

P2: Que precauções de manuseio são recomendadas para manter a integridade do substrato?
A2: É aconselhável usar procedimentos de sala limpa com ferramentas de manuseio antiestáticas e usar roupas de controle de contaminação adequadas. Isso minimiza os danos à superfície e a contaminação por partículas, mantendo, assim, o desempenho do substrato.

P3: Quais técnicas de inspeção são melhores para avaliar a uniformidade do substrato?
R3: A microscopia óptica de alta resolução e a profilometria de superfície são recomendadas para avaliar a distribuição de dopantes e a qualidade do polimento da superfície. Essas técnicas fornecem dados precisos sobre a uniformidade e a densidade de defeitos para o controle do processo.

Informações adicionais

Os substratos de wafer de silício são elementos fundamentais na fabricação de dispositivos semicondutores. O controle detalhado da dopagem e da orientação do cristal é essencial para otimizar o desempenho do dispositivo, pois pequenas variações podem afetar o comportamento elétrico e o rendimento. Compreender as propriedades do material e as técnicas de processamento é fundamental para os engenheiros de P&D e especialistas em compras que desejam incorporar esses substratos em linhas de produção avançadas.

A função dos materiais de substrato se estende a várias aplicações em eletrônica e optoeletrônica. O emprego de métodos de controle de qualidade direcionados, como a inspeção de alta resolução e a análise precisa de dopantes, ajuda a reduzir os defeitos e a melhorar a uniformidade dos dispositivos. Esse insight técnico beneficia as partes interessadas ao alinhar as propriedades do material com os recursos do processo na fabricação moderna de semicondutores.