CY9492 Substrato de wafer de silício tipo N (dopado com P) de 100 mm, grau principal (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm

Wafer de silício tipo N (dopado com P) de 100 mm Substrato de grau primário (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm Descrição

O wafer é fabricado com silício de alta pureza com orientação de grau primário (100), garantindo propriedades cristalográficas ideais para a integração de dispositivos. A dopagem do tipo N com incorporação controlada de P produz uma faixa de resistividade de 0,001-0,01 ohm-cm, essencial para um comportamento eletrônico preciso. O acabamento SSP oferece uma superfície lisa e sem defeitos, propícia ao processamento de semicondutores de alto rendimento. A distribuição uniforme de dopantes e os baixos níveis de contaminação proporcionam um desempenho elétrico consistente em todo o wafer.

Substrato de wafer de silício tipo N (dopado com P) de 100 mm, grau principal (100), SSP, 0,001-0,01 ohm-cm Aplicações

Eletrônicos
- Usado como substrato para circuitos integrados em dispositivos semicondutores para obter perfis de dopantes controlados, aproveitando sua orientação definida (100) e o acabamento SSP.
- Aplicado como material de base na fabricação de transistores de alta velocidade para obter baixa perda de sinal, utilizando sua faixa de resistividade especificada.

Industrial
- Usado em conjuntos de sensores para garantir características elétricas estáveis, aproveitando a dopagem P uniforme, que minimiza a variabilidade sob condições ambientais variáveis.
- Aplicado como camada fundamental em sistemas microeletromecânicos para garantir um comportamento eletrônico preciso por meio da orientação controlada do cristal.

Substrato de wafer de silício tipo N (dopado com P) de 100 mm, grau principal (100), SSP, embalagem de 0,001-0,01 ohm-cm

Os wafers são acondicionados individualmente em transportadores antiestáticos com enchimento de espuma e selados em bolsas com barreira contra umidade para evitar contaminação e danos mecânicos. Elas devem ser armazenadas em um ambiente limpo e com temperatura controlada para evitar estresse térmico e oxidação. Opções de embalagem personalizadas, incluindo vedação a vácuo e ambientes com gás inerte, estão disponíveis para atender a requisitos de armazenamento especializados.

Perguntas frequentes

P1: Como a planicidade do wafer e a minimização de defeitos são garantidas durante a produção?
R1: A SAM emprega processamento químico preciso e inspeções de SEM de alta resolução para monitorar a uniformidade da superfície e a densidade de defeitos. Esse processo avalia as variações de espessura em todo o wafer e minimiza os microdefeitos, garantindo a planicidade consistente do wafer para aplicações de semicondutores.

P2: Quais são as condições de armazenamento recomendadas para esses wafers de silício?
A2: Armazene os wafers em um ambiente controlado, com baixa umidade e temperatura ambiente estável. Use embalagens antiestáticas e resistentes à umidade para evitar contaminação e estresse mecânico durante o manuseio e o transporte.

P3: Como o processo de produção mantém a faixa de resistividade especificada?
R3: O processo de fabricação incorpora dopagem P controlada com monitoramento de resistividade durante o processo. Isso garante que cada wafer permaneça dentro da faixa de 0,001-0,01 ohm-cm, permitindo um desempenho elétrico consistente necessário para a fabricação de dispositivos semicondutores avançados.

Informações adicionais

As pastilhas de silício são o material fundamental na tecnologia de semicondutores, em que o controle preciso da distribuição de dopantes e da orientação cristalográfica é vital. A combinação de propriedades elétricas bem definidas e a qualidade da superfície influenciam diretamente o desempenho do dispositivo e a complexidade da integração. A metrologia detalhada e as condições de processamento controladas são essenciais para a obtenção das características de material diferenciadas exigidas nos sistemas eletrônicos modernos.

Os avanços nas técnicas de dopagem e nos métodos de tratamento de superfície continuam a impulsionar melhorias no desempenho do wafer. Esses desenvolvimentos não apenas aumentam a confiabilidade dos dispositivos semicondutores, mas também permitem maior miniaturização e integração em vários setores de alta tecnologia.