CY9496 Wafer de silício ultraplano tipo P, dia. 6 polegadas x 675 μm de espessura

Wafer de silício ultraplano tipo P, Dia. 6 polegadas x 675 μm de espessura Descrição

O wafer de silício ultraplano tipo P, Dia. 6 polegadas x 675 μm de espessura é um substrato de silício projetado para aplicações em semicondutores e microeletrônica. Seu diâmetro de 6 polegadas e espessura de 675 μm estão em conformidade com os padrões de equipamentos estabelecidos, enquanto a dopagem controlada do tipo P otimiza a concentração de portadores de carga. O wafer é processado usando uma combinação de planarização química e mecânica para minimizar a rugosidade da superfície. Sua superfície lisa facilita a padronização litográfica precisa e a integração de processos na fabricação de dispositivos.

Wafer de silício ultraplano tipo P, Diâm. 6 polegadas x 675 μm de espessura Aplicações

Fabricação de eletrônicos e semicondutores
- Usado como substrato na fabricação de circuitos integrados para obter uma padronização precisa, aproveitando sua superfície ultraplana.
- Aplicado como material de base na produção de células solares para garantir uma conversão fotovoltaica eficiente devido à sua dopagem controlada.

Pesquisa e desenvolvimento
- Empregado em experimentos de ciência de materiais para analisar propriedades eletrônicas, aproveitando sua superfície uniforme.
- Utilizado na fabricação de sensores para obter respostas eletromecânicas precisas, aproveitando seu perfil de dopagem estável.

Wafer de silício ultraplano tipo P, diâm. 6 polegadas x 675 μm de espessura Embalagem

O wafer é embalado em um contêiner de dissipação estática com uma inserção de espuma para proteção contra choque físico e contaminação. Ele é colocado em uma bolsa antiestática e selado em uma embalagem resistente à umidade. Recomenda-se o armazenamento com temperatura controlada para preservar a integridade do material. Opções de embalagem personalizadas, como contêineres compatíveis com salas limpas e requisitos específicos de rotulagem, podem ser providenciadas mediante solicitação.

Perguntas frequentes

P1: Quais etapas de processamento garantem a planicidade da superfície do wafer?
R1: O wafer é submetido a um polimento químico-mecânico seguido de inspeção interferométrica. Essas etapas minimizam a micro-rugosidade e garantem que a superfície atenda ao rigoroso nivelamento exigido para litografia de semicondutores e integração de dispositivos.

P2: Como a dopagem do tipo P influencia o desempenho elétrico?
A2: A dopagem controlada do tipo P ajusta a concentração de portadores, o que é fundamental para atingir as propriedades elétricas desejadas em dispositivos semicondutores. Esse ajuste ajuda a reduzir as correntes de fuga e oferece suporte ao desempenho consistente em várias condições de processamento.

P3: Quais são as condições de armazenamento recomendadas para o wafer de silício?
R3: O wafer deve ser armazenado em um ambiente com temperatura controlada e baixa umidade, usando embalagens livres de estática e filmes de barreira contra umidade. O armazenamento adequado minimiza a contaminação e preserva as características precisas da superfície necessárias para o processamento subsequente.

Informações adicionais

Os substratos de silício são essenciais para a fabricação de dispositivos semicondutores avançados devido à sua estabilidade cristalina e às propriedades eletrônicas bem compreendidas. A uniformidade da estrutura cristalina do silício permite a integração de alta densidade e o desempenho confiável em vários processos de fabricação.

Os avanços nas técnicas de planarização e dopagem continuam a melhorar a planicidade e a uniformidade elétrica do wafer. Essas melhorias são fundamentais à medida que os fabricantes avançam em direção a nós de processo menores e arquiteturas de dispositivos mais complexas. O refinamento contínuo dos métodos de fabricação ajuda na pesquisa e no desenvolvimento, permitindo simulações mais precisas e validações experimentais na ciência dos materiais.