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Crescimento e aderência do grafeno em pastilhas de silício
Pesquisadores da Universidade Nacional de Cingapura revelaram um processo no qual o grafeno pode ser filmado em pastilhas de silício por meio de um processo de crescimento, aumentando a eficácia da transferência face a face do material. Semelhante à adesão de filme da água, o grafeno se espalha exponencialmente sobre uma superfície de silício para revesti-la completamente. O processo revoluciona a metodologia na qual o grafeno é aderido para uso tecnológico.
Grafeno em uma pastilha de silício
Esse novo processo é o primeiro não apenas a transferir, mas a reproduzir o grafeno em wafers e chips de silício. Isso rompe com o padrão do setor de pintura, em que um grafeno líquido é rolado sobre o silício e, em seguida, deixa-se secar como aplicação. Esse método padrão, embora usado para desenvolver folhas de grafeno de até 30 polegadas de comprimento, causou problemas ao permitir a formação de impurezas e defeitos no processo de estratificação. Dobras, rachaduras e rugas eram problemas comuns e eram aceitáveis na perda de produtos devido à falta de métodos mais confiáveis. Isso agora mudou com o método de crescimento e transferência.
O processo permitirá que uma semente de grafeno seja aderida a uma base de silício e, em seguida, que cresça exponencialmente em parâmetros naturais para preencher um espaço. O grafeno age como uma reação quase orgânica, espalhando-se por seu meio de crescimento para cobrir e revestir a superfície do silício. Esse processo reduz as impurezas adicionadas pelo processo de laminação e dará ao grafeno uma vantagem ao criar uma nova área de superfície. A pesquisa de bônus realizada, embora focada principalmente na adesão ao silício, sugere que o grafeno pode muito bem ser utilizado como um acessório de crescimento para outros materiais.
A prova no pudim
Durante os estágios investigativos e experimentais, fitas finas de grafeno foram aplicadas a estruturas de base de silício e a microscopia de força atômica foi utilizada para capturar o potencial de crescimento. Ao mesmo tempo, eletrodos canalizaram cargas através da placa de superfície em crescimento para medir a condutividade, a fim de garantir um produto viável no final do experimento. Esse experimento coincidente não mostrou perda de condutividade no processo, demonstrando que o processo será uma solução viável para os métodos de enrolamento e secagem usados anteriormente.
Sem dúvida, esse novo processo de colocação de grafeno em wafers de silício revolucionará o setor, com benefícios imediatos obtidos com a limitação de impurezas, a redução das horas de trabalho para aplicação e o aumento da lucratividade obtido com a diminuição do tempo de aplicação.
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