Deposição por Sputtering: Como funciona e onde é usado
Este artigo faz parte da série Noções básicas de PVD. Comece aqui ou veja todos os artigos.
A resposta curta
A deposição por pulverização catódica é um método de PVD que usa íons energéticos para derrubar átomos de um alvo sólido. Em seguida, esses átomos passam por uma câmara de vácuo e se condensam em um substrato para formar um filme fino.
Diferentemente da evaporação, que aquece o material até que ele se transforme em vapor, a pulverização catódica usa um processo de transferência de momento físico - como um jogo microscópico de bolas de bilhar. Essa diferença proporciona vantagens exclusivas à pulverização catódica: melhor adesão, controle preciso da composição das ligas e a capacidade de depositar materiais com alto ponto de fusão.
Se você precisa de filmes densos e bem aderentes de praticamente qualquer material sólido - metal, liga, cerâmica ou semicondutor -, a pulverização catódica é provavelmente a escolha certa.

Esquema do processo de deposição por sputtering. Martins, R.M.S.. (2008). Estudos de difração de raios X in-situ durante o crescimento de filmes de liga com memória de forma Ni-Ti e sua caracterização complementar ex-situ.
Como funciona a pulverização catódica
A palavra "sputtering" descreve o processo físico. Veja a seguir o que acontece passo a passo.
Etapa 1: Crie um plasma Uma câmara de vácuo é preenchida com uma pequena quantidade de gás inerte - quase sempre argônio. Uma alta tensão aplicada entre um alvo (cátodo) e as paredes da câmara ou o suporte do substrato (ânodo) ioniza o gás argônio, criando um plasma.
Etapa 2: Aceleração dos íons Os íons de argônio carregados positivamente são atraídos pelo alvo carregado negativamente. A diferença de voltagem os acelera.
Etapa 3: Solte os átomos Quando um íon de argônio atinge a superfície do alvo, ele transfere seu momento. Se a transferência for grande o suficiente, um átomo do alvo é ejetado. Um íon que chega pode derrubar vários átomos-alvo por meio de uma cascata de colisões.
Etapa 4: Transporte pelo vácuo Os átomos-alvo ejetados viajam pela câmara de vácuo. Em pressões típicas de sputtering (alguns militros), eles viajam em linhas quase retas com poucas colisões de gás.
Etapa 5: Condensação no substrato. Os átomos chegam ao substrato e se condensam para formar um filme fino. A energia dos átomos que chegam - muito maior do que na evaporação - ajuda-os a se mover na superfície e formar filmes densos e bem aderentes.
Isso é sputtering. Não há fusão. Não há evaporação. Apenas átomos soltos pelo impacto de íons.
Uma maneira simples de pensar sobre isso
Imagine uma bola de bilhar (um íon de argônio) batendo em uma prateleira de bolas bem compactada (a superfície alvo). O impacto faz com que várias bolas voem em diferentes direções. Algumas dessas bolas caem no substrato.
A pulverização catódica é uma transferência de momento, não uma evaporação térmica. É por isso que você pode pulverizar materiais que derretem a 3.000°C - você nunca precisa derretê-los.
Sputtering vs. Evaporação: As principais diferenças
Esses dois métodos de PVD são frequentemente comparados. Aqui está a diferença prática.
|
Recurso |
Sputtering |
Evaporação |
|
Como os átomos são ejetados |
Impacto de íons (momentum) |
Aquecimento (térmico) |
|
Energia dos átomos que chegam |
1-10 eV |
0,1-0,5 eV |
|
Densidade do filme |
Alta |
Moderada |
|
Adesão |
Excelente |
Boa, mas pode ser ruim |
|
Controle de composição |
Exato (o alvo corresponde ao filme) |
Pode ser fracionado em ligas |
|
Materiais com alto ponto de fusão |
Fácil |
Difícil ou impossível |
|
Aquecimento do substrato |
Baixo a moderado |
Muito baixo |
|
Cobertura de etapas |
Fraca (linha de visão) |
Fraca (linha de visão) |
|
Risco de partículas |
Moderado (arco voltaico, defeitos no alvo) |
Baixo |
A maior energia de chegada no sputtering é a principal vantagem. Os átomos energéticos podem se reorganizar na superfície do substrato, preencher espaços vazios e formar filmes mais densos com melhor adesão.
A desvantagem é a complexidade. A pulverização catódica exige a geração de plasma e o gerenciamento do alvo. A evaporação precisa apenas de um cadinho quente.
Tipos de Sputtering
Sputtering não é uma técnica única. É uma família. A série PVD Basics aborda cada uma delas em artigos separados.
|
Tipo |
Melhor para |
Limitação principal |
|
Sputtering DC |
Metais condutores |
Não funciona com isolantes |
|
Sputtering de RF |
Isolantes e dielétricos |
Mais lento, mais caro |
|
Sputtering magnetrônico |
Produção em alta velocidade |
Baixa utilização do alvo |
|
Sputtering reativo |
Óxidos, nitretos, carbonetos |
O controle do processo é complicado |
|
Sputtering com feixe de íons |
Filmes ultra-suaves e de alta densidade |
Muito lento, caro |
|
HiPIMS |
Filmes densos e ionizados |
Complexo, mais lento que o DC |
Se você não tem experiência em pulverização catódica, comece com a pulverização catódica por magnétron (abordada separadamente nesta série). Esse é o método de produção mais comum. Em seguida, aprenda sobre as fontes de alimentação CC e RF, pois elas determinam os materiais que você pode depositar.
O que afeta a qualidade do filme na pulverização catódica

Pureza do alvo: menor pureza significa mais impurezas no filme. Para o trabalho com semicondutores, você precisa de 99,95% ou mais. Para revestimentos decorativos, 99,9% é suficiente.
Densidade do alvo: um alvo denso produz um sputter limpo. Um alvo poroso produz gases, arcos e gera partículas. Nunca compre um alvo de baixa densidade para trabalhos críticos.
Pressão de base: a pressão antes da introdução do argônio. Uma pressão de base mais alta significa mais vapor de água residual e ar na câmara, o que pode oxidar o filme ou causar contaminação. O objetivo é obter 10-⁶ Torr ou melhor.
Pressão de pulverização: a faixa típica é de 2 a 20 mTorr. A pressão mais baixa proporciona menos colisões de gás e deposição mais direcional. Uma pressão mais alta gera mais dispersão e pode melhorar a uniformidade ao custo da taxa.
Polarização do substrato. A aplicação de uma polarização negativa ao substrato atrai íons positivos durante a deposição. Isso densifica o filme e melhora a adesão, mas pode aumentar a tensão do filme.
Aplicações comuns
Semicondutores: camadas de metal (Al, Cu, Ti, Ta) e barreiras de difusão (TiN, TaN) são pulverizadas. A pulverização catódica domina a deposição de metal de front-end e back-end na fabricação de chips.
Discos rígidos: as camadas de gravação magnética e as estruturas do cabeçote de leitura/gravação são pulverizadas. Essa é uma das aplicações de maior volume de sputtering.
Revestimentosópticos. Revestimentos antirreflexo , espelhos e filtros usam a pulverização catódica quando são necessárias alta densidade e durabilidade.
Revestimentos decorativos. Ouro , preto e outros acabamentos coloridos em relógios, torneiras e acabamentos automotivos são frequentemente pulverizados por sputtering.
Células solares. Óxidos condutores transparentes e contatos metálicos em células solares de película fina usam pulverização catódica.
Revestimentosde ferramentas. Os revestimentos de TiN, AlTiN e CrN em ferramentas de corte podem ser aplicados por pulverização catódica, embora a evaporação por arco também seja comum.

Quando escolher a pulverização catódica
Escolha a pulverização catódica quando:
-
Você precisa de filmes densos e bem aderentes
-
Seu material tiver um alto ponto de fusão (tungstênio, tântalo, platina)
-
Precisar de um controle preciso da composição das ligas
-
Seu substrato não tolera altas temperaturas
-
Você precisa de filmes uniformes em grandes áreas
Escolha a evaporação quando:
-
Você precisa da maior pureza possível (sem impurezas de plasma ou alvo)
-
Seu material tiver um ponto de fusão baixo (alumínio, ouro, prata)
-
Você deseja o sistema mais simples possível
-
O aquecimento do substrato é uma grande preocupação
Limitações a serem conhecidas
Deposição em linha de visão. A pulverização catódica, assim como a evaporação, é feita em linha de visão. Ela não reveste bem as laterais de orifícios profundos ou formas 3D complexas. Para essas aplicações, considere o CVD.
Autilização do alvo é ruim em sistemas planares. O padrão de erosão de pista de corrida desperdiça de 65 a 75% do alvo. Os alvos rotativos melhoram isso, mas custam mais.
A geração de partículas é um risco: arco voltaico , defeitos no alvo ou descamação das proteções podem produzir partículas que causam defeitos. Essa é uma batalha constante no sputtering de semicondutores.
Os isoladores requerem energia de RF. Não é possível aplicar pulverização catódica em um isolante. Você precisa de energia de RF, que é mais lenta e requer correspondência de impedância.
O resultado final
A deposição por pulverização catódica é um método de PVD versátil e comprovado na produção. Ele funciona com praticamente qualquer material sólido, produz filmes densos com excelente adesão e pode ser usado desde a pesquisa até a fabricação de grandes volumes.
As principais limitações são a deposição na linha de visão e a utilização deficiente do alvo em sistemas planos. Para muitas aplicações, essas são compensações aceitáveis para a qualidade do filme e a flexibilidade do material que a pulverização catódica proporciona.
Se estiver decidindo entre pulverização catódica e evaporação, faça duas perguntas: seu material tem um ponto de fusão alto e você precisa de filmes densos? Se a resposta for sim, provavelmente a pulverização catódica é a sua resposta.
Trazido a você por Stanford Advanced Materials, um fornecedor de alvos de pulverização catódica e materiais de evaporação.
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Dr. Samuel R. Matthews