Descrição do substrato de cristal único de dióxido de silício (SiO2) de quartzo com corte em X (11-20) 10x10x0,5 mm
Nosso substrato de cristal único de dióxido de silício (SiO2) de quartzo com corte em X (11-20) 10×10×0,5 mm oferece pureza excepcional, clareza óptica e resistência mecânica robusta. Cuidadosamente orientado ao longo do eixo X-cut (11-20), ele oferece propriedades piezoelétricas e eletro-ópticas consistentes, ideais para aplicações de alta precisão. Suas superfícies altamente polidas e sua espessura uniforme garantem defeitos superficiais mínimos, permitindo resultados confiáveis e repetíveis em experimentos sensíveis.
Esse substrato atende a rigorosos padrões de qualidade projetados para preservar as características fundamentais e o desempenho do cristal. Quer seja usado em guias de ondas ópticas, linhas de atraso, pesquisa avançada de sensores ou dispositivos de controle de frequência, ele oferece resultados estáveis e precisos ao longo de uma vida útil operacional prolongada. Confie em nosso substrato de cristal único de quartzo meticulosamente processado para elevar seus projetos de pesquisa, desenvolvimento e fabricação.
Dióxido de silício (SiO2) Substrato de cristal único de quartzo com corte em X (11-20) 10x10x0,5 mm Aplicações
O substrato de cristal único de quartzo com corte em X (11-20) 10x10x0,5 mm é um substrato estrutural especializado que aproveita as propriedades físicas e piezoelétricas estáveis do dióxido de silício. Esse corte orientado com precisão proporciona estabilidade térmica superior, excelente clareza óptica e alto fator Q para aplicações de vibração. Devido a seus defeitos mínimos e estrutura cristalina uniforme, os substratos de quartzo com corte em X são parte integrante de várias tecnologias de alta frequência, ópticas e de detecção.
1. aplicações industriais
-Filtros de alta frequência: A orientação do corte em X garante um desempenho estável e de baixa perda em ambientes industriais exigentes, tornando-o ideal para a fabricação de filtros SAW (Surface Acoustic Wave).
-Sensores de alta precisão: a estrutura uniforme e a estabilidade térmica do substrato permitem a detecção altamente precisa de pressão, fluxo e vibração em máquinas.
2. aplicações de pesquisa
-Óptica avançada: os pesquisadores usam esses substratos para o desenvolvimento de guias de ondas ópticas devido à sua excepcional transparência e qualidade de superfície.
-Estudos de ciência dos materiais: A natureza monocristalina facilita a análise sistemática das propriedades piezoelétricas e mecânicas em laboratórios especializados.
3. aplicações comerciais
-Módulos de RF: As propriedades robustas e de alto fator Q suportam a produção de ressonadores confiáveis e compactos para eletrônicos de consumo.
-Dispositivos médicos: a biocompatibilidade e a inércia química do substrato permitem a fabricação de sensores de diagnóstico seguros e precisos.
Substrato de cristal único de dióxido de silício (SiO2) de quartzo com corte em X (11-20) Embalagem de 10x10x0,5 mm
Cada substrato de cristal único de quartzo de dióxido de silício (SiO2) é embalado com segurança em um recipiente limpo e acolchoado com camadas de espuma absorvente de choque e uma capa protetora selada. Os substratos são armazenados em ambientes secos e controlados para evitar o acúmulo de umidade e partículas. Para garantir o mínimo de contaminação, a embalagem é projetada com materiais antiestáticos. Etiquetagem personalizada, opções seladas a vácuo e tamanhos de contêineres especializados estão disponíveis para acomodar processos de fabricação e requisitos de remessa específicos.
Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.
Substrato de cristal único de dióxido de silício (SiO2) de quartzo com corte em X (11-20) 10x10x0,5 mm Perguntas frequentes
P1: Quais são as principais propriedades do material Dióxido de silício (SiO2) Quartzo Single Crystal Substrate X-cut (11-20) 10x10x0.5 mm?
A1: O substrato monocristalino de dióxido de silício (SiO2) de quartzo com orientação X-cut (11-20) apresenta alta pureza e cristalinidade uniforme, oferecendo excepcional estabilidade térmica e baixo coeficiente de expansão térmica (~0,55 × 10-⁶ K-¹). O material tem excelente clareza óptica na faixa de UV a IV, alta resistência dielétrica e dureza de 7 na escala Mohs. Isso o torna ideal para aplicações ópticas e eletrônicas de alta precisão.
P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?
A2: Esses substratos devem ser manuseados com luvas de sala limpa para evitar contaminação. Evite o contato direto com superfícies duras ou ásperas, pois o quartzo é propenso a lascar nas bordas. Armazene cada substrato em um recipiente individual ou em um suporte almofadado em um ambiente de baixa vibração. Mantenha condições controladas de temperatura e umidade e mantenha os substratos longe de produtos químicos agressivos. Limpe somente com solventes aprovados e sem resíduos quando necessário.
P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal único de dióxido de silício (SiO2) Quartz X-cut (11-20) 10x10x0,5 mm?
R3: Esses substratos normalmente estão em conformidade com as diretrizes de gerenciamento de qualidade ISO 9001, garantindo fabricação consistente, rastreabilidade e documentação da orientação cristalográfica. Muitos fornecedores também aderem às diretrizes RoHS e REACH, confirmando que o produto está livre de substâncias perigosas. A verificação da qualidade geralmente inclui uma rigorosa difração de raios X (XRD) para confirmar a precisão e a pureza da orientação, bem como inspeções da qualidade da superfície e verificações dimensionais para manter tolerâncias rigorosas.
Informações relacionadas
1. Propriedades e vantagens do material
Devido à sua alta pureza e natureza monocristalina, o substrato de dióxido de silício (SiO2) de cristal único de quartzo com corte em X (11-20) 10x10x0,5 mm oferece estabilidade superior sob tensões térmicas e mecânicas variáveis. Esse design com corte em X minimiza o risco de defeitos cristalográficos e garante taxas de gravação precisas, tornando o substrato excepcionalmente adequado para aplicações que exigem extrema precisão dimensional. Além disso, a tolerância de espessura apertada do substrato oferece excelente clareza óptica, permitindo que ele mantenha um desempenho consistente em sistemas eletrônicos e ópticos de alta frequência.
O controle cuidadoso da orientação cristalográfica na configuração (11-20) aumenta ainda mais a elasticidade e as propriedades de isolamento elétrico do substrato. O coeficiente de expansão térmica excepcionalmente baixo do quartzo significa que ele pode suportar mudanças rápidas de temperatura sem comprometer a integridade estrutural. Além disso, a espessura uniforme de 0,5 mm garante um desempenho confiável em processos repetitivos, como aplicação de fotorresiste, padronização em nível nanométrico e técnicas de spin-coating usadas em pesquisa de ponta e produção industrial.
2. Aplicações em setores avançados
Diferentes setores, desde o aeroespacial até o de telecomunicações, dependem amplamente desse substrato de quartzo com corte em X (11-20) para o desenvolvimento de dispositivos e sistemas de última geração. Suas características piezoelétricas estáveis fazem dele uma excelente base para osciladores de alta frequência, filtros e sensores usados em aviônica. Como as taxas de transferência de dados continuam a aumentar, as propriedades dielétricas robustas do substrato e os recursos consistentes de transmissão de sinal são inestimáveis para o campo das telecomunicações, garantindo perda mínima de sinal e longevidade superior do dispositivo.
Campos em evolução, como a computação quântica e a fotônica integrada, frequentemente incorporam esse substrato preciso no projeto de chips especializados e guias de ondas ópticas. A qualidade superior da superfície e a baixa densidade de defeitos facilitam a criação de arquiteturas de dispositivos eficientes e compactos. Ao permitir um equilíbrio ideal entre rigidez e estabilidade térmica, esse substrato de quartzo é indispensável para pesquisadores e profissionais do setor que buscam ampliar os limites da tecnologia em aplicações avançadas.
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