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Wafer de safira CY2173

Número de catálogo. CY2173
Material Al2O3
Espessura 430 mm, 0,5 mm, 1 mm
Diâmetro Ø 1" /Ø 2" / Ø 3" / Ø 4"/ Ø5"
Condutividade térmica 46 W/mk
Constante dielétrica 11.58

A Stanford Advanced Materials (SAM) produz diâmetros de 1'' (25,4 mm) a 5'' (152,4 mm) para oferecer a maior flexibilidade possível. Podemos oferecer opções completas de orientação, incluindo plano C, plano A, plano R e plano M.

Produtos relacionados: Wafer de arseneto de gálio, Wafer de nitreto de gálio, Wafer de carboneto de silício, Wafer de silício, Wafer de germânio (Ge wafer).

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