CY8546 Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 polegadas

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 polegadas Descrição

Fabricado com silício monocristalino de alta pureza com orientação (110), nosso substrato de Dia. O substrato de 2 polegadas é cuidadosamente cortado e polido para proporcionar uniformidade superior. Essa orientação é particularmente vantajosa para uma variedade de aplicações microeletrônicas, incluindo a fabricação de sensores, matrizes de transistores e pesquisa avançada em física de semicondutores. Nossos substratos passam por rigorosas inspeções de qualidade para estar em conformidade com os padrões do setor, garantindo rugosidade mínima da superfície, baixa variação de resistência e integridade excepcional. Com uma espessura consistente e mínima curvatura ou deformação, eles fornecem uma base confiável para o processamento preciso de dispositivos. Seja para produção em massa ou pesquisa de ponta, nosso substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 inch se destaca por seu desempenho robusto, repetibilidade confiável e conformidade de alto nível com os requisitos globais de fabricação de semicondutores.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 polegadas Aplicações

Os substratos de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 polegadas são amplamente reconhecidos por sua excepcional pureza, orientação cristalográfica e propriedades estruturais estáveis. Eles desempenham um papel fundamental em vários setores, desde a microeletrônica até os campos de pesquisa avançada. Seu arranjo cristalino uniforme oferece condutividade elétrica superior, tornando-os ideais para uso em sensores, dispositivos semicondutores e pesquisas de ponta. Essa combinação de orientação precisa e propriedades de superfície de alta qualidade os diferencia para várias aplicações especializadas.

1. aplicações industriais

-Fabricação de wafer de precisão: A orientação (110) aumenta a resistência mecânica e as características de gravação, permitindo a produção de sistemas microeletromecânicos robustos.

-Sensores de alto desempenho: As propriedades eletrônicas superiores facilitam a detecção e a medição altamente precisas na fabricação e no controle de processos.

2. aplicações de pesquisa

-Prototipagem de dispositivos quânticos: A estrutura cristalina estável apoia o desenvolvimento de sistemas eletrônicos e quânticos avançados em laboratórios acadêmicos e de P&D.

-Estudos de ciência de superfície: As superfícies uniformes são ideais para a investigação de reações químicas e propriedades de materiais em nível atômico.

3. aplicações comerciais

-Dispositivos semicondutores: Excelente condutividade e orientação cristalográfica confiável são cruciais para a construção de circuitos integrados em eletrônicos de consumo.

-Componentes fotônicos: O arranjo preciso da rede aprimora as propriedades ópticas, dando suporte a sistemas fotônicos de alta eficiência em tecnologias de comunicação.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. Embalagem de 2 polegadas

Cada substrato de silício (Si) (110) de 2 polegadas é embalado individualmente em uma bolsa antiestática selada, forrada com inserções de espuma para evitar danos mecânicos. Essas bolsas também são fechadas em sacos de barreira contra umidade com pacotes de dessecante para manter a secura e evitar contaminação. Para um armazenamento ideal, os substratos devem ser mantidos em um ambiente limpo e com baixa umidade. Etiquetagem personalizada, formatos de espuma especializados e opções de embalagem dupla estão disponíveis mediante solicitação para atender a requisitos exclusivos de remessa ou manuseio.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 polegadas Perguntas frequentes

Q1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 polegadas?

R1: O substrato de cristal de silício (Si) (110) com diâmetro de 2 polegadas apresenta características elétricas, mecânicas e ópticas específicas que o tornam essencial para aplicações avançadas. Entre suas principais propriedades estão a alta mobilidade de portadores, a orientação definida ao longo do plano (110), a baixa densidade de defeitos e a excelente condutividade térmica. Esse substrato é amplamente utilizado em microeletrônica, células fotovoltaicas e outros projetos de pesquisa baseados em semicondutores.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Para manter a condição imaculada do substrato, os operadores devem manusear o wafer com luvas sem pó e pinças macias ou varinhas de vácuo para evitar contaminação da superfície e danos físicos. Evite o contato direto com as mãos desprotegidas e armazene o substrato em um ambiente limpo e seco em transportadores de wafer dedicados ou em embalagens especializadas. O manuseio adequado reduz a contaminação por partículas e preserva a integridade da superfície para o processamento subsequente.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 polegadas?

R3: O substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 pol. normalmente segue os padrões específicos do setor, como o SEMI M1 para especificações de geometria e superfície de wafer, garantindo espessura, diâmetro e planicidade uniformes. Os fabricantes geralmente operam com sistemas de gerenciamento de qualidade certificados pela ISO 9001 para garantir a rastreabilidade e o desempenho consistente do produto. O atendimento a esses padrões dá suporte ao processamento confiável de semicondutores e garante aos usuários finais a qualidade e a reprodutibilidade do substrato.

Informações relacionadas

1. Propriedades e vantagens do material

Meticulosamente projetado para uma orientação cristalográfica precisa, o substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 polegadas oferece uma excelente plataforma para a fabricação avançada de semicondutores. Sua orientação (110) garante um espaçamento atômico quase uniforme em toda a superfície, promovendo um comportamento de gravação altamente previsível e facilitando a transferência de padrões nítidos durante os processos litográficos. Esse tipo específico de substrato de silício é conhecido por suas propriedades mecânicas estáveis, o que o torna menos suscetível a rachaduras ou deformações sob as condições exigentes da produção de microeletrônica.

Esses substratos apresentam excelente condutividade elétrica que pode ser adaptada por meio de procedimentos controlados de dopagem, permitindo que pesquisadores e fabricantes ajustem o desempenho do wafer em aplicações especializadas. O formato de 2 polegadas de diâmetro oferece um equilíbrio entre o manuseio gerenciável e a área de superfície suficiente para prototipagem ou produção de dispositivos em menor escala. Com excepcional estabilidade térmica, o substrato de cristal de silício (Si) (110) Dia. 2 polegadas mantém sua integridade em ciclos repetidos de aquecimento e resfriamento, garantindo resultados consistentes para projetos de microchips de alta precisão.

2. Tendências do mercado global

Impulsionados pela crescente demanda por dispositivos eletrônicos eficientes e miniaturizados, os substratos de silício (110) têm atraído grande atenção em regiões que enfatizam o desenvolvimento de chips de última geração. As nações que se concentram na inovação de circuitos integrados adotaram wafers de 2 polegadas de diâmetro como materiais padronizados em pilotos de pesquisa, preparando o terreno para a futura produção em massa. Esses fatores reforçam a expansão das tecnologias especializadas de wafer de silício (110), levando a um aumento acentuado no crescimento industrial global e na colaboração entre as instalações de fabricação.

O crescente interesse por esses substratos versáteis é ainda mais alimentado pelo progresso da inteligência artificial, dos sistemas de comunicação de alta frequência e dos dispositivos fotônicos. A compatibilidade dos wafers de silício (110) com muitos processos de fabricação existentes permite que esses aplicativos prosperem sem a necessidade de um amplo reprojeto das linhas de fabricação. Essa adaptabilidade e as amplas oportunidades de aprimoramento do produto posicionam o substrato de cristal de silício (Si) Dia. 2 polegadas na vanguarda do mercado global em rápida evolução, prometendo relevância sustentada nos próximos anos.