CY8580 Wafer de carbeto de silício Substrato de SiC 12 pol. 4H tipo SEMI (HPSI)

Wafer de carbeto de silício SiC Substrato 12 pol. 4H tipo SEMI (HPSI) Descrição

Nosso substrato de carbeto de silício (SiC) de 12 polegadas e 4H foi meticulosamente projetado para oferecer propriedades materiais excepcionais, essenciais para dispositivos semicondutores de energia e alta frequência de última geração. Com tecnologia de semi-isolamento de alta pureza (HPSI), esse wafer apresenta condutividade térmica excepcional, excelente estabilidade química e mobilidade superior de elétrons. Esses atributos ajudam a minimizar as perdas de energia e aumentar a eficiência em aplicações exigentes, tornando-o ideal para eletrônica de potência avançada, amplificadores de RF e sistemas de comutação de alta tensão.

Cada substrato é fabricado em conformidade com os rigorosos padrões SEMI, garantindo espessura consistente, baixa densidade de defeitos e qualidade de superfície excepcional. Ao escolher o nosso substrato de SiC 4H, você tem acesso a um material de ponta projetado para dar suporte à fabricação de dispositivos de alto desempenho e possibilitar avanços tecnológicos em aplicações de semicondutores de banda larga.

Wafer de carbeto de silício SiC Substrato 12 em aplicações do tipo 4H SEMI (HPSI)

Os substratos de carbeto de silício (SiC) 4H SEMI tipo HPSI de 12 polegadas se destacam por sua excepcional condutividade térmica, estabilidade química e recursos de banda larga. Essas características distintivas permitem um desempenho superior em aplicações de alta potência e alta frequência, tornando-os indispensáveis em vários setores civis. Ideais para ambientes adversos, esses substratos formam a base para eletrônicos de última geração, sistemas de energia renovável e outros empreendimentos comerciais de ponta.

1. aplicações de eletrônicos e semicondutores

-Aplicação 1: Fabricação de diodos e transistores de alta tensão para gerenciamento eficiente de energia em circuitos eletrônicos avançados

-Aplicação 2: produção de componentes de alta frequência em equipamentos de telecomunicações para uma transmissão de dados mais rápida

2. tecnologia médica e de saúde

-Aplicação 1: Desenvolvimento de sensores ultraprecisos e ferramentas de diagnóstico que se beneficiam da estabilidade química do substrato

-Aplicação 2: Criação de dispositivos de imagem compactos e de alto desempenho projetados para diagnósticos precisos de pacientes

3. energia renovável e sistemas industriais

-Aplicação 1: Integração em inversores solares e conversores de energia para melhorar a eficiência e o gerenciamento térmico

-Aplicação 2: Uso em máquinas de alta temperatura e equipamentos de processos químicos para aumentar a durabilidade e a confiabilidade

Wafer de carbeto de silício Substrato de SiC de 12 polegadas em embalagem 4H tipo SEMI (HPSI)

Cada wafer de carbeto de silício HPSI de 12" 4H SEMI é cuidadosamente acondicionado em um suporte de wafer seguro contra ESD e revestido com espuma para proteção contra choques mecânicos. Os sacos antiestáticos de camada dupla e as bolsas seladas evitam a entrada de umidade e a contaminação por partículas. O armazenamento é recomendado em um ambiente de sala limpa, mantendo 40-60% de umidade e temperaturas estáveis. Etiquetagem personalizada, código de barras ou opções de embalagens especializadas estão disponíveis mediante solicitação, garantindo o mais alto nível de proteção e rastreabilidade.

Embalagem: Selada a vácuo, caixa de madeira ou personalizada.

Perguntas frequentes sobre o substrato de wafer de carbeto de silício SiC 12 em 4H tipo SEMI (HPSI)

P1: Quais são as principais propriedades do material do substrato de wafer de carbeto de silício SiC 12 em 4H do tipo SEMI (HPSI)?

A1: O wafer de carbeto de silício (SiC) de 12 polegadas do tipo 4H SEMI (HPSI) é conhecido por sua alta condutividade térmica, amplo bandgap (cerca de 3,26 eV) e excelente estabilidade química. Sua estrutura cristalina hexagonal (4H) proporciona mobilidade superior de elétrons, tornando-a ideal para aplicações de alta frequência e alta potência. Além disso, sua baixa densidade de defeitos e suas propriedades de semi-isolamento permitem um desempenho estável do dispositivo, menor interferência de sinal e maior confiabilidade geral.

P2: Como esse produto deve ser manuseado e armazenado?

A2: Para manter a integridade do substrato, é fundamental manusear o wafer com luvas de sala limpa e usar pinças não metálicas ou suportes de wafer para minimizar a contaminação por partículas. Evite expor o wafer à luz solar direta ou a temperaturas extremas e mantenha-o em um recipiente seguro e livre de estática. Armazene o wafer em um ambiente de baixa umidade para evitar defeitos relacionados à umidade, garantindo a qualidade consistente da superfície e a viabilidade prolongada do produto.

P3: Quais padrões de qualidade e certificações se aplicam ao wafer de carbeto de silício SiC substrato 12 em 4H tipo SEMI (HPSI)?

R3: O wafer de carbeto de silício SiC substrato 12 em 4H tipo SEMI (HPSI) normalmente está em conformidade com os padrões SEMI M55, que definem parâmetros como tolerâncias de dimensão, qualidade da superfície e orientação do wafer. Os fabricantes geralmente mantêm a certificação ISO 9001 para garantir práticas de gerenciamento de qualidade. Testes adicionais podem incluir a inspeção de defeitos por topografia de raios X ou fotoluminescência, garantindo uma densidade mínima de microtubos e alta uniformidade de cristal. Essas medidas garantem um desempenho confiável e atendem aos requisitos específicos do setor.

Informações relacionadas

1. Processo de fabricação

A fabricação de um wafer de carbeto de silício tipo SEMI (HPSI) de 12 pol. e 4H envolve um procedimento refinado de crescimento de cristais que garante características de alta pureza e semi-isolamento. Primeiro, um equipamento especializado é encarregado de controlar os parâmetros de temperatura e pressão, permitindo que o material de SiC se forme em camadas uniformes. Essa técnica, geralmente facilitada pela deposição de vapor químico, cria um substrato com densidade de defeitos extremamente baixa. Como resultado, o wafer ganha a integridade estrutural necessária para aplicações eletrônicas de alto desempenho.

Durante o pós-crescimento, as etapas de corte e polimento de precisão são cuidadosamente implementadas para atingir a espessura e a suavidade de superfície desejadas. Diferentes níveis de inspeção verificam se há microcristais ou irregularidades na superfície, garantindo estresse mínimo e durabilidade superior. Esses procedimentos meticulosos de acabamento são essenciais para produzir o formato de 12 polegadas em conformidade com os padrões SEMI, abrindo caminho para rendimentos consistentes de dispositivos e maior confiabilidade.

2. Aplicações em setores avançados

Os sistemas avançados de conversão de energia dependem das propriedades elétricas robustas do wafer do tipo 4H SEMI (HPSI) para componentes como diodos e transistores de alta tensão. A excelente condutividade térmica do carbeto de silício permite que esses dispositivos operem com eficiência sob alta tensão, minimizando a necessidade de sistemas de resfriamento volumosos. Além disso, a força superior do campo de ruptura do wafer suporta velocidades de comutação ultrarrápidas, o que é inestimável em módulos de energia de última geração para veículos elétricos e tecnologias de energia renovável.

Os principais setores aeroespaciais e de comunicação também empregam esses wafers de SiC de grande diâmetro para obter uma transferência de dados mais rápida e maior estabilidade operacional. Devido à sua resistência inerente à radiação, elas são adequadas para iniciativas de satélite e de espaço profundo, em que a longevidade do dispositivo é fundamental. O desempenho aprimorado em condições extremas não apenas beneficia os componentes essenciais da missão, mas também estabelece novos padrões de referência em aplicações de pesquisa científica altamente exigentes.