ST11189 Alvo de pulverização de sulfeto de gálio, alvo Ga2S3

Alvo de pulverização de sulfeto de gálio, Ga2S3 Descrição do alvo

O alvo de pulverização de sulfeto de gálio, alvo Ga2S3, é um composto Ga2S3 de alta pureza desenvolvido para processos de deposição física de vapor. As dimensões personalizadas garantem compatibilidade com vários sistemas de pulverização e exposição consistente do alvo. Sua composição química controlada e suas propriedades microestruturais promovem uma descarga de plasma uniforme durante a deposição, o que é fundamental para obter espessura e adesão consistentes do filme na fabricação de semicondutores.

Características do alvo de pulverização de sulfeto de gálio, Ga2S3

Alvo de pulverização de sulfeto de gálio, aplicações de alvo Ga2S3

Eletrônicos
- Usado como alvo de pulverização na deposição de filmes finos de semicondutores para obter revestimentos uniformes, aproveitando sua microestrutura controlada.

Indústria
- Aplicado como um componente de deposição de camada funcional na fabricação de módulos fotovoltaicos para melhorar a adesão do filme por meio do controle preciso da composição.

Revestimentos ópticos
- Utilizado como fonte de deposição em sistemas de sensores para obter propriedades ópticas consistentes com o mínimo de impurezas, garantindo o desempenho do alvo durante os processos de revestimento.

Alvo de pulverização de sulfeto de gálio, embalagem de alvo Ga2S3

O alvo de pulverização de sulfeto de gálio, alvo Ga2S3 é embalado em um recipiente protetor antiestático com inserções de espuma para atenuar choques mecânicos. Ele é selado em uma embalagem resistente à umidade para evitar contaminação e armazenado em condições controladas de temperatura ambiente. A embalagem apresenta rotulagem segura e selos invioláveis, com opções de embalagem personalizadas disponíveis mediante solicitação.

Informações adicionais

Os alvos de pulverização são parte integrante de várias técnicas de deposição de filmes finos nos setores de fabricação avançada e de semicondutores. Seu desempenho influencia diretamente a estabilidade do processo e a qualidade do filme. Materiais como o Ga2S3 são selecionados por sua estabilidade química e propriedades elétricas, que são essenciais para garantir a deposição uniforme do filme e a integridade do dispositivo.

Compreender a ciência do material subjacente, incluindo o comportamento da fase e o controle microestrutural, é essencial para otimizar os procedimentos de pulverização. As pesquisas nessas áreas continuam a evoluir, com melhorias contínuas na fabricação de alvos que contribuem para sistemas de deposição mais eficientes e confiáveis.