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CY2536 Substratos de cristal único de silício-germânio (Si-Ge)

Número de catálogo. CY2536
Tamanho 4" de diâmetro x 0,5 mm
Material Si-Ge(2 wt% Ge)
Orientação <100> ±0.5°
Método de crescimento Processo de cristalização

Os substratos de cristal único de silício-germânio (Si-Ge) têm sido amplamente utilizados graças às suas excelentes propriedades. A Stanford Advanced Materials (SAM) tem mais de duas décadas de experiência na fabricação e venda de substratos de cristal único de silício-germânio (Si-Ge).

Relacionados: Substrato de cristal LiAlO2, Substrato de cristal LAST, Substrato de cristal LiF, Substrato de cristal NdGaO3.

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