CY2302 Substratos de cristal de óxido de neodímio e gálio (NdGaO3)

Número de catálogo.	CY2302
Dimensões	10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20
Material	NdGaO3
Orientação	<100>, <110>, <111>
Método de crescimento	Método Czochralski

A Stanford Advanced Materials (SAM) pode oferecer uma variedade de tamanhos de substrato de cristal único de NdGaO3. Temos uma equipe de vendas profissional para oferecer uma resposta rápida em 24 horas e um serviço caloroso.

Produtos relacionados: Substrato de cristal KTaO3, Substrato de cristal LAST, Substrato de cristal LiF, Substrato de cristal LiAlO2, Substrato de cristal único de antimoneto de gálio.

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CY2302 Neodymium Gallium Oxide (NdGaO3) Crystal Substrates

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CY2302 Substratos de cristal de óxido de neodímio e gálio (NdGaO3)

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Dimensões

10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20

Material

NdGaO3

Orientação

<100>, <110>, <111>

Método de crescimento

Método Czochralski

CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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Pureza

99,99%

Fórmula química

GaSb

Diâmetro

2", 3", 4"

Espessura

500 ± 25 μm, 600 ± 25 μm, 800 ± 25 μm

Orientação

(100) / (111) ±0,5°

NR2172 Wafer de nitreto de gálio

Adicionar à lista

Material

GaN

Espessura

300-450um

Diâmetro

Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"

Wafer de safira CY2173

Adicionar à lista

Material

Al2O3

Espessura

0,35-1 mm, ou personalizado

Diâmetro

Ø 1-8", ou personalizado

Formulário

Wafer

Pureza

≥99.999%

Sinônimos

Pastilha de safira, pastilha de Al2O3

ÚLTIMAS RECOMENDAÇÕES

GA2156 Gallium Antimonide Single Crystal Substrate

CY2156 Substrato monocristalino de antimoneto de gálio (GaSb)

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*Código de controlo

Fórmula molecular	NdGaO3
Espessura	0,5 mm, 1,0 mm
Parâmetros da célula	0,3984nm
Ra	≤5Å (5µm × 5µm)
Ponto de fusão	1600 °C
Densidade	7,57 ^g/cm3
Dureza de Mohs	6
Dureza	5,9 Mohs
Método de crescimento	Método Czochralski
Calor específico (temperatura ^JK-1g-1)	0.378
Bandas transparentes (nm)	380~4000
Orientação	<100>, <110>, <111> ± 0.5 °
Tamanho regular	10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20 Ou de acordo com os requisitos do cliente
Constantes de célula unitária	a=5,43, b=5,50, c=7,71
Polimento	Polido em um lado (SSP) ou polido em dois lados (DSP)

Fórmula molecular	NdGaO3
Espessura	0,5 mm, 1,0 mm
Parâmetros da célula	0,3984nm
Ra	≤5Å (5µm × 5µm)
Ponto de fusão	1600 °C
Densidade	7,57 ^g/cm3
Dureza de Mohs	6
Dureza	5,9 Mohs
Método de crescimento	Método Czochralski
Calor específico (temperatura ^JK-1g-1)	0.378
Bandas transparentes (nm)	380~4000
Orientação	<100>, <110>, <111> ± 0.5 °
Tamanho regular	10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20 Ou de acordo com os requisitos do cliente
Constantes de célula unitária	a=5,43, b=5,50, c=7,71
Polimento	Polido em um lado (SSP) ou polido em dois lados (DSP)

Region & Language

North America

South America

Europe

Asia Pacific

Middle-East

CY2302 Substratos de cristal de óxido de neodímio e gálio (NdGaO3)

Descrição dos substratos de cristal de óxido de neodímio e gálio

Especificação dos substratos de cristal de óxido de neodímio e gálio

Aplicações dos substratos de cristal de óxido de neodímio e gálio

Pacote de substratos de cristal de óxido de neodímio e gálio (NdGaO3)

Perguntas frequentes

P1 O que torna os substratos de NdGaO₃ adequados para o crescimento de óxido de perovskita?

Q2 Os substratos de NdGaO₃ são transparentes?

Q3 Os substratos de NdGaO₃ são adequados para aplicações de alta temperatura?

Especificação

Caso

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