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  • CY3789 Cristal de NiTe

    • CY3789 Cristal de NiTe

    Número de catálogo. CY3789
    Material Cristal de NiTe
    Densidade 7,17 g/cm3
    Dimensões 3-5 mm
    Método sintético CVT

    NiTe Crystal é um material quântico metálico em camadas. Stanford Advanced Materials (SAM) possui experiência na fabricação e fornecimento de Produtos Ópticos de alta qualidade.

    Produtos relacionados: Substrato de Cristal de Aluminato de Magnésio (MgAl2O4), Substratos de Cristal de Aluminato de Lítio (LiAlO2), Wafer de Nitreto de Gálio, Substratos de Cristal de Galato de Lítio (LiGaO2)

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    CY3789 Cristal de NiTe
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    Material
    Cristal de NiTe
    Densidade
    7,17 g/cm3
    Dimensões
    3-5 mm
    Método sintético
    CVT
     
    Wafer de safira CY2173
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    Material
    Al2O3
    Espessura
    0,35-1 mm, ou personalizado
    Diâmetro
    Ø 1-8", ou personalizado
    Formulário
    Wafer
    Pureza
    ≥99.999%
    Sinônimos
    Pastilha de safira, pastilha de Al2O3
     
    Wafer de silício CY2174
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    Material
    Si
    Espessura
    0,25-1 mm, ou personalizado
    Diâmetro
    Ø 2-12", ou personalizado
    Pureza
    ≥99,999%, ou personalizado
    Sinônimos
    Pastilha de silício, pastilha de Si
     
    Wafer de carbeto de silício CY2175
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    Material
    SiC
    Espessura
    260 um a 500 um, ou personalizado
    Diâmetro
    Ø 1"-12", ou personalizado
    Formulário
    Wafer
    Sinônimos
    Pastilha de carbeto de silício, pastilha de SiC

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    Silicon Wafer
    Wafer de silício CY2174
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    Wafer de carbeto de silício CY2175
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    MG2274 Magnesium Oxide Wafers Substrates
    Substratos de wafers de óxido de magnésio MG2274
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    SC2275 Silicon Thermal Oxide Wafer
    SC2275 Wafer de óxido térmico de silício
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    ZN2277 Zinc Oxide Wafers Substrates
    Substratos de wafers de óxido de zinco ZN2277
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    CY2298 Substratos de cristal de tantalato de potássio (KTaO3)
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    LSAT Crystal Substrates
    Substratos de cristal LSAT CY2299
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