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NR2172 Wafer de nitreto de gálio

Número de catálogo. NR2172
Material GaN
Espessura 300-450um
Tipo condutivo N - tipo
Diâmetro Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"
Resistência elétrica (µOhm-cm) < 0,5 Ω-cm

A Stanford Advanced Materials (SAM) produz qualquer diâmetro para oferecer a maior flexibilidade possível. Com o objetivo de fornecer a maior variedade de especificações, trabalhamos com wafers de nitreto de gálio dopados ou não dopados.

Produtos relacionados: Wafer de arseneto de gálio, Wafer de safira, Wafer de carbeto de silício, Wafer de silício, Wafer de germânio (Ge wafer).

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