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NR2172 Wafer de nitreto de gálio

Número de catálogo. NR2172
Material GaN
Espessura 300-450um
Diâmetro Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"

A Stanford Advanced Materials (SAM) produz qualquer diâmetro para oferecer a maior flexibilidade possível. Com o objetivo de fornecer a maior variedade de especificações, trabalhamos com wafers de nitreto de gálio dopados ou não dopados.

Produtos relacionados: Wafer de arseneto de gálio, Wafer de safira, Wafer de carbeto de silício, Wafer de silício, Wafer de germânio (Ge wafer).

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NR2172 Gallium Nitride Wafer
NR2172 Gallium Nitride Wafer
Descrição da
Especificação
SDS
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Material
GaN
Espessura
300-450um
Diâmetro
Ø 2" / Ø 4" /Ø 6"
 
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Pureza
99.9%
Número CAS
12039-79-1
Peso molecular
237.12
Densidade
9,14 g/cm3
 
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Número CAS
12033-89-5
Fórmula química
Si3N4
Tamanho da partícula
Personalizado
Aparência
Pó branco-acinzentado
Pureza
≥99%
Sinônimos
Nitreto de silício em pó, Si3N4 em pó
 
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Número CAS
12033-89-5
APS
~100 nm
Formulário
Pó branco-acinzentado
Pureza
99.9%
Sinônimos
Nano nitreto de silício em pó, nanopó de Si3N4

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País*

Brasil

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